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反应合成AgSnO2电接触材料的组织与性能研究 总被引:9,自引:1,他引:9
采用反应合成技术和传统粉末冶金技术制备银氧化锡(AgSnO2)电接触材料。利用千瓦CO2激光器模仿电弧作用在试样表面产生局部熔化,对AgSnO2块体材料进行抗熔蚀性测试。对AgSnO:块体材料进行电导率测试和X射线衍射分析,对块体材料及冷拉拔的AgSnO2线材进行显微组织分析(扫描电镜、透射电镜)。研究结果表明,采用反应合成技术可以在银基体中合成尺寸细小、界面新鲜的SnO2颗粒,所制备的AgSnO2电接触材料中,微米级的SnO2颗粒系由纳米级的SnO2颗粒聚集而成I反应合成法制备的AgSnOz电接触材料较传统粉末冶金法制备的AgSnO2电接触材料具有更高的导电性和抗熔蚀性;该方法制备的AgSnO2电接触材料由于改变了Ag、SnO2的结合状态使材料的加工性能、导电性能和抗熔蚀性同时得到改善和提高。 相似文献
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AgSnO2是最有可能替代AgCdO的触头材料,但AgSnO2在使用过程中存在接触电阻过高的缺陷。如何降低AgSnO2的接触电阻是本文重点讨论的问题。首先利用粉末冶金法制备AgSnO2Bi2O3和AgSnO2两种触头材料,并对两种触头材料进行了电弧实验,通过扫描电镜对触头材料电弧侵蚀后的形貌进行了观察和分析。然后,通过润湿性实验,测量了AgSnO2和AgSnO2Bi2O3两种触头材料的润湿角。结果发现,Bi元素的加入改善了Ag液对SnO2的浸润性,使润湿角减小,从而使AgSnO2Bi2O3经电弧侵蚀后表面形成河流状组织,避免了SnO2富集在触头表面形成绝缘层。最后,通过电性能实验验证了AgSnO2Bi2O3的接触电阻小于AgSnO2的接触电阻。通过以上实验证明,Bi元素的加入达到了降低AgSnO2触头材料接触电阻的目的。 相似文献
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一直以来掺杂改善AgSnO2触头材料的电性能大多采用"试错"的方法进行实验研究,因此寻求有效的理论支撑具有非常重要的研究意义和应用价值.该文基于密度泛函理论的第一性原理,构建三种金属元素(Sr、Ga、Co)掺杂SnO2的晶胞模型,仿真研究掺杂后SnO2的稳定性与相对电导率,得到最佳的掺杂元素Co.通过实验进行验证,首先采用溶胶凝胶法制备掺杂的SnO2粉末,X射线衍射(XRD)验证了溶胶凝胶法能够实现仿真计算建立的置换掺杂模型,再利用粉末冶金法制备掺杂的AgSnO2电触头材料,经电性能测试验证了仿真结果的正确性.为筛选掺杂元素改善AgSnO2触头材料性能提供了理论依据. 相似文献
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采用合金内氧化法 粉末冶金方法制备了一种新型银氧化锡(AgSnO2_La2O3)触头材料。其密度为9.70~10.05 g/cm3,硬度为79.6~99.0,电阻率为3.20~3.50μΩ.cm。用扫描电镜(SEM)及能谱分析(EDS)对AgSnO2_La2O3触头材料的显微组织进行分析发现,氧化物(La2O3,SnO2)晶粒明显细化且呈细小球状(<0.5μm)及不规则形状(<3μm)两种形态均匀分布。对AgSnO2_La2O3进行电性能试验和物理、机械性能的测定,并与合金内氧化法的AgSnO2(8)_In2O3_T和AgCdO(8)_T触头材料比较,结果表明,AgSnO2_La2O3材料的电性能、物理及机械性能与后两者相近,但侵蚀量略低于后二者,有望成为一种新型触头材料。 相似文献
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粉末元素掺杂对AgSnO2(10)触头材料的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
通过对粉末进行特殊处理,在AgSnO2(10)触头材料中加入抗电侵蚀的元素,研制出了一种高性能AgSnO2(10)触头材料,较好地降低了触头的电侵蚀率,延长了触头寿命,并提高了触头的抗动熔焊性能。 相似文献
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利用银镜反应制备纳米银包覆SnO2粉体,考察了硝酸银溶液浓度、反应时间、SnO2粉体粒径等因素对复合粉体结构形貌的影响。结果表明,降低银镜反应速率有利于纳米银在SnO2粉体表面的包覆,优化的反应条件为:AgNO,浓度0.005mol/L、以乙醇稀释甲醛溶液、pH值为10、反应温度45℃、反应时间1h。SnO2粉体粒径对最终复合粉体中纳米银的包覆形貌有较大影响,当SnO2为微米级粉体时,纳米银在SnO2颗粒表面形成均匀的包覆层;当SnO2为纳米级粉体时,纳米银与纳米SnO2颗粒彼此连接,形成尺寸更大的聚集体。 相似文献
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以SnCl4.5H2O和BiCl3为原料,采用化学共沉淀法制备了不同Bi掺杂量的SnO2纳米粉体,利用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备的粉体进行了表征。结果表明,当Bi掺杂量低于30%时,SnO2纳米粉体的晶体结构保持为金红石四方相结构,Bi原子部分置换了Sn的位置;当掺杂量为30%时,开始形成杂质相BiOCl。掺杂Bi元素可细化SnO2纳米晶粒,经700℃焙烧后,未掺杂Bi元素的SnO2晶粒尺寸约为29 nm,而掺杂Bi元素的SnO2晶粒尺寸约为10 nm。此外,Bi元素的掺杂还可在一定程度上提高SnO2粉体的密度。 相似文献