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本工作是利用H—600型电镜研究Pt-Sn/Al_2O_3体系催化剂在热处理过程中晶粒烧结的变化规律,发现三种催化剂的晶粒在热处理前虽然相近,但经热理后却有很大差别;另外,若将烧结的样品再在空气中加热,则晶粒又减小,这为催化剂的研究提供有用的信息。一、实验及其结果: 样品是用Ar离子溅射法制备,即将Pt溅射在Al_2O_3上得到(1)Pt/Al_2O_3,将Pt和Sn分别溅射得(2)Pt-Sn/Al_2O_3(分溅),而将Pt与Sn共溅得(3)Pt-Sn/Al_2O_3(共溅)。测定其晶粒大小和电镜衍射花样,经计算求出 相似文献
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目前随着光电子学的发展有必要建立放大系数高的小型固体激光器。这种激光器可以用单组份(自激活)稀土化合物来建立。迄今HoF_3系统是在2微米区域内基质晶格离子产生受激辐射的唯一材料。本文报道以提拉法生长钬铝石榴石(Ho_3Al_5O_(12))晶体于90°K下在2微米区获得的受激辐射。资料[3]研究了Ho_2O_3:Al_2O_3系统的相平衡。在原料比例为3:5时证实结晶成石榴石型立方晶格的Ho_3Al_5O_(12)晶相。作者用 相似文献
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沸石分子筛X射线能谱分析中的Na沉积 总被引:1,自引:1,他引:0
以前曾经发现某些硅酸盐玻璃和矿物在电子束轰击下一些元素的计数率不稳定。近年来人们用电子探针对快离子导体和长石类矿物等的Na~+离子迁移现象的研究表明,长石类矿物随着X射线采集时间的增加,Na计数率下降,而β—Al_2O_3的Na计数率则上升。我们在对NaA和NaHs沸石分子筛的能谱分析中也发现了这种Na~+迁移现象。分子筛具有多孔道的骨架结构,在孔道中有金属阳离子存在,以保持体系的电中性。阳离子在沸石分子筛中的行为对分子筛物化性能的研究及分子筛应用的研究都有一定的参考价值。对阳离子的研究一般采用红外谱和磁共振等方法。本文试图用扫描电镜及X射线能谱仪对NaA和 相似文献
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离子注入型超大容量固体离子电容器 总被引:2,自引:1,他引:1
本文提出了一种具有“混合导体电极/快离子导体(或快离子导体粉体与炭质极化电极颗粒混合体)/混合导体电极”结构的离子注入型超大容量固体离子电容器.其电容量除由界面双电层形成外,研究还发现电容量随混合导体电极用量增加线性增大.研究采用Cu~(+)离子导体为固体电解质,Cu_2Mo_6S_7.7为混合导体电极.其容量密度高达50F/Cm~3,等效串联电阻(ESR)为40Ω,漏电流为15μA,分解电位为600mV. 相似文献
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本文系研究用各种不同稀土元素激活的300°K下γ-射线照射的Y_3Al_5O_(12)晶体的吸收光谱和热发光曲线。Pr~(3+)和Tb~(3+)在300~500毫微米区使被照晶体的吸收急剧增大,这与γ-照射时形成TR~(4+)离子有关。铕和镜在照射时还原成Eu~(2+)和Yb~(2+),其它的稀土元素300°K下未形成稳定的二价离子。含Ce,Pr,Tb或Eu的γ-射线照射的Y_3Al_5O_(12)晶体,加热时发生的复合过程伴随有热荧光,光谱的特点是三价激活剂的;而未形成稳定二价离子(Dy,Sm)的激活剂不产生热荧光,这就可以认为,TR~(3+)离子由于在其内电子和空穴复合的结果直接产生激励。 相似文献
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本文介绍55%重量Al_2O_3和45%重量玻璃作基板材料,采用扎膜成型;银95%重量和钯5%重量作导体材料,用丝网漏印法布线;在880~920℃烧成的多层陶瓷基板。其性能不仅优于95%重量Al_2O_3瓷和M_0、Mn作导体材料烧成的多层基板,而且工艺简单,成本更低。它是制作集成电路基板的一种较理想的陶瓷材料。 相似文献
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一、引言 ZrO_2/Al_2O_3复合材料,因具有优良的力学和热力学性能,近年来受到普遍重视。在该复合材料中ZrO_2以二种方式存在,一是ZrO_2存在于Al_2O_3晶粒间,另一是ZrO_2呈球状形式嵌在Al_2O_3晶粒内。对处于Al_2O_3晶粒内ZrO_2曾研究了其在基体产生的应力分布和用高分辨电镜作了界面观察。虽然对于以Y_2O_3稳定的四方相ZrO_2(Y-TZP)已经明确指出ZrO_2中存在成核相变过程,但对于ZrO_2/Al_2O_3复合材料而言,其中晶粒内ZrO_2虽大多以四方相形式存在,并对周围基体产生应力,而对于晶粒内四方相ZrO_2在应力作用下成核和相变过程及晶粒内ZrO_2与基体Al_2O_3之间界面反应情况尚未见明确报导。本文对15~75vol%ZrO_2/Al_2O_3复合材料经1500℃-1650℃不同温度下热压而成材料中ZrO_2成核相变及其界面进行了研究。二、实验与材料制备 相似文献
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透明氧化铝与铌金属的封接是用氧化物焊料实现的,用光学显微镜和电子探针显微分析仪研究了两种材料之间的界面。用于该试验的氧化物焊料是一种结晶质焊料,是由CaO,Al_2O_3,MgO和B_2O_3的结晶所组成,并且不含有碱金属的氧化物。试验结果如下: (1)真空密封封接是用这种技术实现的; (2)由于封接过程而转变成玻璃-陶瓷结构的焊料包含有3CaO·Al_2O_3,CaO·Al_2O_3和MgO·Al_2O_3的主晶相; 相似文献
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下面报导掺Cr~(3+)钇铝石榴石(Y_3Al_5O_(12))已得到激光振荡。需要指出的是,至今未见有资料报导过除Al_2O_3外的基质中获得Cr~(3+)离子振荡的实验(见资料[1])。我们对一个尺寸不大的样品(0.04~2厘米~3)进行了钇铝石榴石中激活Cr~(3+)离子 相似文献
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近年来,Al_2O_3:Ti~(3+)晶体被发现是一种很好的激光晶体.1984年,Albreeht等报道了这种晶体的荧光谱和400~900 nm范围的吸收光谱.同年,用这种晶体制成了660~980 nm的宽带调谐激光器.在Raman光谱研究方面,1967年Porto等用50W的Ar~(3+)离于激光,做了五种配置下Al_2O_3:Ti~(3+)晶体Raman光谱,发现了全部7根Raman线.本文报道创.Al_2O_3:Ti~(3+)晶体Raman光谱实验研究的新结果.主要实验设备有:Spex 1403型激光Raman光谱仪,波长范围为10000~30000cm~(-1), 分辨率为0.15cm~(-1).激发光源用Spootra Physics 2020型的氩离子激光器. 相似文献
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以前的研究表明,高能电子束只对α-Si_3N_4产生辐射损伤。而对β—Si_3N_4不产生辐射损伤。本研究表明,高能电子束对于β—Si_3N_4虽然不象对于α-Si_3N_4那样,产生较严重的辐射损伤,但也可以产生损伤。我们对这种结构损伤进行高分辨电子显微镜观察,并且在原子水平上进行了研究。研究结果指出,高能电子 相似文献
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《微纳电子技术》2019,(11)
Ga_2O_3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga_2O_3的基本性质,包括β-Ga_2O_3的晶体结构和电学性质,简述了基于β-Ga_2O_3制造的功率器件,主要包括肖特基势垒二极管(SBD)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。总结回顾了β-Ga_2O_3SBD和MOSFET近年来的研究进展,比较了不同结构器件的特性,并分析了目前β-Ga_2O_3功率器件存在的问题。分析表明,β-Ga_2O_3用于高功率和高压电子器件具有巨大潜力。 相似文献