稀土氧化物Pr2O3掺杂对高压ZnO压敏电阻性能的影响

采用低温固相化学反应法制备了Pr2O3掺杂的ZnO纳米复合粉体,并用此粉体在不同烧结温度下制备了高压ZnO压敏电阻.采用X射线衍射、比表面测试、透射电镜、扫描电镜等手段对制备的ZnO纳米复合粉体及高压ZnO压敏电阻进行了表征,并与未掺杂ZnO压敏电阻进行了对比研究,探讨了稀土氧化物Pr2O3掺杂对高压ZnO压敏电阻电性能的影响机制.结果表明:较低的烧结温度(1030～1130℃)时,掺杂的稀土氧化物Pr2O3偏析于ZnO晶界中,有活化晶界、促使晶粒生长的作用;同时,Pr2O3掺杂导致1080℃烧结的ZnO压敏陶瓷体中晶体相互交织形成晶界织构,比未掺杂的更均匀和致密,这有助于高压ZnO压敏电阻晶界性能的改善,从而提高其综合电性能.当烧结温度为1080℃时,Pr2O3掺杂的高压ZnO压敏电阻的综合电性能最佳:电位梯度为864.39 V/mm,非线性系数为28.75,漏电流为35 μA.     

Y2O3掺杂对低压氧化锌压敏电阻材料结构和电学性能的影响

通过掺杂研究了微量Y2O3对低压氧化锌压敏电阻的电性能影响,并采用SEM测试手段对其微观组织结构进行了分析研究,从理论上探讨了Y2O3影响低压氧化锌压敏电阻电性能与组织的机理.研究结果表明,在0～0.07%(摩尔分数)掺杂范围内,随着Y2O3含量的增加,低压氧化锌压敏电阻的电场强度明显提高;当Y2O3含量超过0.07%时,电场强度又呈下降趋势.低压氧化锌压敏电阻掺杂Y2O3后,非线性指数α增大,漏电流IL减小,但当掺杂量在0.06%～0.09%(摩尔分数)的范围内,漏电流IL和非线性指数α的变化不大.其原因是Y2O3加入到氧化锌压敏电阻中,Y主要以固溶的形态分布于ZnO晶内和晶界处,使ZnO晶体的自由电子浓度增大,进而使填隙锌离子Zni的总浓度下降,引起填隙锌离子的传质能力下降,抑制了ZnO晶粒的生长,因而晶粒尺寸随Y2O3掺杂量的增加而减小.     

稀土氧化物Pr2O3掺杂对高压ZnO压敏电阻性能的影响

采用低温固相化学反应法制备了Pr₂O₃掺杂的ZnO纳米复合粉体, 并用此粉体在不同烧结温度下制备了高压ZnO压敏电阻。采用X射线衍射、 比表面测试、 透射电镜、 扫描电镜等手段对制备的ZnO纳米复合粉体及高压ZnO压敏电阻进行了表征, 并与未掺杂ZnO压敏电阻进行了对比研究, 探讨了稀土氧化物Pr₂O₃掺杂对高压ZnO压敏电阻电性能的影响机制。结果表明: 较低的烧结温度(1030～1130 ℃)时, 掺杂的稀土氧化物Pr₂O₃偏析于ZnO晶界中, 有活化晶界、 促使晶粒生长的作用; 同时, Pr₂O₃掺杂导致1080 ℃烧结的ZnO压敏陶瓷体中晶体相互交织形成晶界织构, 比未掺杂的更均匀和致密, 这有助于高压ZnO压敏电阻晶界性能的改善, 从而提高其综合电性能。当烧结温度为1080 ℃时, Pr₂O₃掺杂的高压ZnO压敏电阻的综合电性能最佳: 电位梯度为864.39 V/mm, 非线性系数为28.75, 漏电流为35 μA。     

高电位梯度ZnO压敏电阻片的研究进展

从材料组成、显微结构控制和制备工艺等方面综述了国内外高电位梯度ZnO压敏电阻片的研究进展,并展望了提高ZnO压敏电阻片电位梯度和通流容量的途径.采用三价过渡金属离子掺杂、减小添加剂粉料颗粒粒度以及控制合理的烧成制度,能明显减小晶粒尺寸,降低气孔率,增加晶界数目,提高晶界势垒,从而有效提高ZnO压敏电阻片的电位梯度.     

Co2O3和MnCO3掺杂对低压ZnO压敏电阻电性能的影响

概述了低压ZnO压敏电阻的重要添加剂的作用,阐述了其电性能"三参数"(压敏电压梯度、非线性系数和漏电流)的影响因素.用低压ZnO压敏电阻的基本配方,以及在此基础上分别添加Co2O3、MnCO3、Co2O3 MnCO3四种配方制备样品作对比实验.发现Co2O3、MnCO3掺杂后都能引起压敏电压梯度升高,非线性系数显著提高,漏电流明显降低,且效果Co2O3 MnCO3大于MnCO3大于Co2O3.对造成上述差别的原因进行了深入分析.     

纳米ZnO掺杂对ZrO2(8mol% Y2O3稳定)电性能的影响研究

采用纳米粉料,在单轴成型,无压烧结条件下,用交流阻抗谱技术对掺不同质量百分比ZnO的ZrO2(8mol% Y2O3稳定)烧结体的电性能进行了研究.研究发现ZnO掺杂对ZrO2(8mol% Y2O3稳定)的离子导电性能具有优化作用.     

纳米(ZnO,Al2O3)复合掺杂对3Y2O3-ZrO2材料电性能的影响

以3Y2O3—ZrO2纳米粉和ZnO，A12O3纳米粉为原料，采用交流阻抗谱技术对掺少量ZnO和A12O3的3Y2O3—ZrO2烧结陶瓷进行电性能研究。研究表明：少量纳米ZnO掺杂降低了3Y2O3—ZrO2的电导率，但随着掺人量的增加，电导率开始回升。在ZnO掺杂样品中加入少量纳米A12O3进行复合第二相掺杂，结果提高了3Y2O3—ZrO2材料的电导率。同时少量A12O3的掺人降低了晶粒电导活化能，使得晶粒电导率增加。     

B_2O_3掺杂氧化锌压敏电阻烧结工艺的微观结构和电气特性

研究了在不同烧结温度下制备的直流ZnO压敏陶瓷的微观结构和电气特性。通过扫描电子显微镜,电流-电压的伏安特性,电容-电压和从小电流到大电流范围的X射线衍射图测量不同烧结温度下样品的电气参数和微观结构。实验结果表明在1150℃下烧结的样品晶粒尺寸比较均匀,非线性系数和泄漏电流分别为66和0.96μA/cm~2,电压梯度为381 V/mm,直流氧化锌压敏电阻的综合性能达到最优。随着烧结温度的升高,ZnO晶粒尺寸(d)会变大,导致单位长度内晶界数量减少使氧化锌压敏电阻的电压梯度减少。晶粒的尺寸的增加可以阻断三角区的互联互通,使泄漏电流减小。当烧结温度高于1 150℃时,会造成Bi_2O_3的挥发使非线性系数降低。获得电压梯度为381 V/mm的直流氧化锌压敏电阻有利于优化超高压避雷器结构、电阻柱上的电位分布更加均匀。综上所述,制备B_2O_3掺杂的氧化锌压敏电阻配方最佳的烧结温度为1 150℃。     

两步法制备Y_2O_3掺杂ZnO压敏瓷

采用两步烧结制备了Y_2O_3掺杂ZnO压敏瓷,其电位梯度为863～1330V/mm,非线性系数为27.0～49.7,漏电流为0.55～1.13μA.研究结果表明,当Y_2C_3的掺杂量为1.00%(摩尔分数)时,压敏瓷电性能最好,电位梯度为1330V/mm,非线性系数为49.7,漏电流为0.76μA.     

ZnO-Nb2O5掺杂SnO2基陶瓷研究

通过常压烧结制备SnO2基陶瓷,研究了ZnO、Nb2O5单掺杂及ZnO-Nb2O5复合掺杂对SnO2基陶瓷的烧结性能及电阻率的影响。采用SEM及XRD对试样分别进行了微观结构观察及物相分析。研究表明,掺杂ZnO能提高陶瓷的体积密度,但对于降低电阻率的影响不明显,当ZnO掺杂量在0.5%～0.75%(质量分数)时,SnO2基体积密度可达到6.67～6.73g/cm3;掺杂Nb2O5不能有效提高烧成陶瓷的体积密度,但能显著降低SnO2基陶瓷的电阻率;0.5%(质量分数)ZnO～1.5%(质量分数)Nb2O5复合掺杂在1450℃下烧成的陶瓷可得到较好的性能,其体积密度可达到6.61g/cm3,常温电阻率为867.84Ω.cm。     

具有加长LDD结构的高压CMOS器件

基于中国科学院微电子研究所的0.8μm标准N阱CMOS工艺以及ISETCAD软件,模拟了具有加长LDD结构的高压CMOS器件.器件的击穿电压可以达到30V以上.加长的LDD结构是通过非自对准的源漏注入实现的.LDD区域的长度和该区域的掺杂浓度对器件击穿影响很大.对于不同的工作电压(10-20 V),实验给出了相应的LDD区域长度和该区域的注入剂量.只需要在标准工艺的基础上增加三层掩模版和相应的工艺步骤就能实现低高压工艺的兼容.而且对称结构和非对称结构(具有更大的驱动电流)器件都能实现.与LDMOS或DDDMOS工艺相比,节省了成本,而且所设计的高压器件尺寸较小,有利于集成.     

剩余电压测试

对照剩余电压的形成和国家标准规定的测试要求,叙述了剩余电压存在形式、特点、测试方法和要求及测试设备。根据现有不同剩余电压测试方法和测试设备的性能,对照现行国家标准测试规定,列出了当前剩余电压测试过程出现的测试阻抗、测试方法和测试设备等问题。针对这些测试问题,提出了解决的具体测试变通方法和设想。     

The N5-4 high-frequency voltage calibrator

The main characteristics, constructional features, and recommendations on the use of a new measuring instrument, employed as a highly stable multivalued standard of a variable high-frequency voltage, operating in the 0.1–50 MHz frequency band and at voltages of 0.166–30 V, are described. __________ Translated from Izmeritel’naya Tekhnika, No. 3, pp. 40–43, March, 2008.     

International comparison of a standard voltage transformer between Ukraine and Germany

Results are provided for international comparisons of a standard voltage transformer performed in Ukraine and Germany. Algorithms are given for the equivalence of national standards taking account of expanded uncertainty. __________ Translated from Izmeritel’naya Tekhnika, No. 11. pp. 57–58, November, 2007.     

砷化镓阈值电压自动测试系统的研制

介绍了砷化镓阈值电压的测试原理和测试方法,并完成了φ3”砷化镓阈值电压自动测试系统的设计与研制。该系统包括自动探针台、测量设备和相应的软件。自动探针台的定位精度为10μm,分辨率为2．4μm,速度为251mm/s。阈值电压测量精度为1mV。该系统可进行φ3”砷化镓圆片的MESFET器件参数的自动测量、存储和运算,能给出圆片的阈值电压分布图。该系统还可用于大圆片的电阻率、欧姆接触电阻、背栅电压和光敏特性等的测量。     

Line voltage phasor reconstruction on capacitive voltage transformers using dynamic phasor approach

Capacitive voltage transformers (CVTs) are widely used in line voltage measurement of EHV/UHV power systems. When a fault occurs, CVT measurements may contain severe transients during the beginning 3–6 fault cycles, which have usually been ignored instead of processed in many previous algorithms. However, this may cause reach problems and postpone response time in digital relay operation. In the present paper, dynamic phasor approach was employed to reconstruct line voltage phasors. Using the proposed algorithm, line voltage phasors can be obtained rapidly after one-cycle plus 2 samples, which are still accurate even if transients are involved in the CVT measurements. The proposed algorithm is simulated and evaluated by the MATLAB/SIMULINK built system. Simulation and evaluation results illustrate the effectiveness and performance of the proposed algorithm in various fault conditions and CVT types.     

一种新型光学直流电压传感器

通过引进电光λ/4波片的Jones矩阵,阐明了用脉冲控制的电光波片构成的光学直流电压传感器的敏感特性;该传感器结构把被测量的直流电压信号转换成了交流脉冲控制的电压信号,因此输出电压信号对电磁干扰不敏感,且消除了输入光强波动的影响;双光路的输出结构消除了温度变化引起的干扰双折射的影响.用该传感器对-500～500V的直流电压进行了测量,其非线性误差在±0.5%以内,实验结果表明,该传感器结构是可行的.     

光学电压互感器研究现状

本文介绍了光学电压互感器的原理和特点以及目前的研究方向 ,重点介绍了基于Pockels效应的互感器 ,并展望了以后的发展趋势。     

低压反应离子镀的物理过程

通过观察和分析，指出低压反应离子镀中材料经过了蒸发、电离、飞行、加速和沉积五个阶段，定性解释了对能谱和质谱的测量结果，比较全面、细致地描绘了低压反应离子镀的物理图像。