γ-TiAl单晶中<011]超点阵位错的分解及其核心结构

＾－［１５２］取向的γ－ＴｉＡｌ单晶（Ｔｉ－５６ａｔ．％Ａｌ）在屈服强度的峰温以下的主要形变方式是＾－（１１１）［０１１］起点阵位错滑移。［０１１］超点阵位错具有不对称的分解方式：［０１１］→１／２［０１１］＋ＡＰＢ）＋１／６＾－［１２１］＋（ＳＩＳＦ）＋１／６［１１２］;在低温,［０１１］位错大多在＾－（１１１）滑移面上呈平面型核心结构,而在呈现反常屈服现象的温度区域内,１／２［０１１］ＡＰＢ不     

TiAlSi合金γ相内位错网的电子衍衬分析

γ－ＴｉＡｌ中所观察到的位错主要有（１／２）〈１１０］普通位错，（１／２）〈１１２］和［０１１］超点阵位错。Ｋａｄ等研究了ＴｉＡｌ合金层状组织层片界面的位错结构［１］，表明由于非１８０°旋转孪晶界面两侧晶体在界面处的非严格匹配而形成剪切边界，其中一类...     

PST双相TiAl类单晶中1／2〈112〉位错的行为

ＰＳＴ双相ＴｉＡｌ类单晶中１／２＜１１２］位错的行为洪建明赵晓宁刘毅林栋梁汪德宁陈达陈世朴（南京大学现代分析中心，南京２１００９３）（上海交通大学材料科学系，上海２０００３０）ＰＳＴ（ｐｏｌｙｓｙｎｔｈｅｔｉｃａｌｙｔｗｉｎｎｅｄ）双相ＴｉＡｌ晶体是...     

L12－（Al，Ag）3Ti向DO23－Al11Ti5相分解的电镜观察

Ｌ１２－（Ａｌ，Ａｇ）３Ｔｉ向ＤＯ２３－Ａｌ１１Ｔｉ５相分解的电镜观察田文怀杨海春根本实＊（北京科技大学材料物理系，北京１０００８３）（＊九州大学（日本））Ａｌ３Ｔｉ由于比ＴｉＡｌ具有更好的抗氧化性能，且具有密度小，熔点高（１３４０℃）的优点，作为新...     

原位TiC-AlN/Al复合材料中AlN/Al界面的微结构的研究

本文用透射电镜（ＴＥＭ）的衍技术和高分辨电镜（ＨＲＴＥＭ）研究了用原位固－气－液三态反应法制备的原位ＴｉＣ－ＡｌＮ／Ａｌ复合材料中ＡｌＮ颗粒与Ａｌ界面的微现组织结构，发现ＡｌＮ／Ａｌ界面两侧晶休的两个晶面存在平行关系；（１０１）ＡｌＮ／（１１１）Ａｌ。作者从金属固溶和金属结晶理论出发，分析了ＡｌＮ／Ａｌ界面微结构的形成机制，较好地解决了原位了ＴｉＣ－ＡｌＮ／Ａｌ昨合材料中界面结合较好的原因。     

Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术

为制备Ａ１／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｔｉ电容,研究了采用ＳＦ６／Ａｒ等离子体对Ｐｂ（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３及Ｐｔ／Ｔｉ底电极进行反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的技术．较系统地研究了ＲＦ功率,ＳＦ６／Ａｒ流量比及气压对刻蚀速率的影响,找到了对ＰＺＴ及Ｔｉ进行ＲＩＥ的优化工艺条件．在不同的条件下得到对ＰＺＴ的刻蚀速率为２～７ｎｍ／ｍｉｎ;采用纯Ａｒ气体时Ｐｔ的刻蚀速率为２～６ｎｍ／ｍｉｎ;对于Ｔｉ可用ＨＣｌ及Ｈ２Ｏ２溶液进行腐蚀     

高压超高压榴辉岩中绿辉石的超微构造研究

高压超高压榴辉岩中绿辉石的超微构造研究＊吴秀玲１，２孟大维１，２韩郁菁１韦必则１杨巍然１（１．中国地质大学，武汉４３００７４２．中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）绿辉石［（Ｎａ，Ｃａ）（Ｍｇ，Ｆｅ，Ａｌ）Ｓｉ２Ｏ６］为榴...     

不同热循环下K2O.8TiO2／ZL109Al复合材料的相分析

不同热循环下Ｋ＿２Ｏ·８ＴｉＯ＿２／ＺＬ１０９Ａｌ复合材料的相分析李吉红，宁小光，叶恒强，沈保罗（中国科学院固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）（成都科大）本文所用Ｋ＿２Ｏ－８ＴｉＯ＿２晶须增强／ＺＬ１０９Ａｌ复合材料是挤压铸造法制备的。基体...     

新型Al金属化系统微波器件EB结的可靠性研究

对具有Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／ＴｉＮ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ（样品Ａ）和Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ（样品Ｂ）两种新型金属化结构的微波管的ＥＢ结在不同温度、相同电流条件下进行了加速寿命试验，得到其中值寿命（ＭＴＦ）相差近一倍，激活能分别为０．９２和０．７９ｅＶ，并给出了在温度和电流应力下ＥＢ结反向击穿特性的变化规律     

Mg合金中的FCI稳定准晶相研究

Ｍｇ合金中的ＦＣＩ稳定准晶相研究＊汤亚力１沈宁福１柳百成２赵东山１罗治平３刘晓芳１（１．郑州工业大学材料研究中心，郑州４５０００２）（２．清华大学）（３．北京航空材料研究所）自从Ａｌ６５Ｃｕ２０Ｆｅ１５稳定准晶相被发现后［１］，有研究者对其结构进行了...     

新型AI金属化系统微波器件EB结的可靠性研究

对具有Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／ＴｉＮ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ（样品Ａ）和Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ两种新型金属化结构的微波管的ＥＢ结在不同温度、相同电流条件下进行加速寿命试验，得到其中值寿命相差近一倍，激活能分别为０．９２和０．７９ｅＶ，并给出了在温度和电流力下ＥＢ结反向击穿特性的变化规律。     

Ti~（3＋）离子掺杂浓度与Ti：Al_2O_3晶体的光谱畸变

通过室温下掺杂浓度为０．０３～０．４５Ｗｔ－％范围的Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３晶体的偏振激发光谱，荧光光谱和吸收光谱的测量，从实验上确信，Ｔｉ３＋在Ａｌ２Ｏ３基质晶体中不易形成Ｔｉ３＋离子对。并且发现，随着Ｔｉ３＋离子掺杂浓度的提高，偏振激发光谱发生了（ｌ）肩／峰强度比增加和（２）长波展宽现象，而相应波段的吸收光谱却未发现这种浓度效应导致的线型畸变。     

涡街流量计用压电陶瓷材料的研究

在分析Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３＋ＢｉＦｅＯ３＋Ｓｒ（Ｃｕ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３以及Ｐｂ［（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）（Ｔｉ，Ｚｒ）］Ｏ３系列压电性能的基础上，通过调整系统中的锆钛比，得到压电性能参数满足要求的涡街流量计用压电陶瓷材料。     

反应热压NiAl－TiB＿2复合材料界面结构研究

反应热压ＮｉＡｌ－ＴｉＢ＿２复合材料界面结构研究戴吉岩，李斗星，叶恒强，邢占平，郭健亭（中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）Ｂ２型ＮｉＡｌ金属间化合物由于具有高熔点（１６４０℃），低密度（５．８６ｇ／ｃｍ￣３），以及极佳的...     

Raman Spectra of AlP/GaP Short-period Superlatice

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｌａｔｉｃｅｄｙｎａｍｉｃｓｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓｕｐｅｒｌａｔｉｃｅｈａｓｂｅｅｎｅｘｔｅｎｓｉｖｅｌｙｓｔｕｄｉｅｄ［１，２］．ＴｈｅＲａｍａｎｓｐｅｃｔｒａｏｆＡｌＡｓ／ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ...     

Al3Ni2的一个超结构相

Ａｌ３Ｎｉ２的一个超结构相郝朝斌王蓉（北京科技大学材料物理系，１０００８３）Ａｌ３Ｎｉ２（τ３）相是一种空位有序相，实验上已观察到由十次准晶向Ａｌ３Ｎｉ２的五重畴结构的转变［１］，然而，Ａｌ３Ｎｉ２结构并不满足准晶近似相的大单胞特征［２］。已有工作［...     

GaN/Al_2O_3(0001)的匹配机制及氮化的作用

在Ａｌ２Ｏ３（０００１）衬底上用ＭＯＣＶＤ（金属有机物气相沉积）方法进行了ＧａＮ的外延生长，通过Ｘ射线衍射（同步辐射源）研究了ＧａＮ和Ａｌ２Ｏ３（０００１）的匹配关系。结果表明，经充分氮化的衬底上，ＧａＮ以单一的匹配方式沿［０００１］方向生长；在Ａｌ２Ｏ３（０００１）衬底未经氮化或氮化不充分时，不同程度地出现了其它三种绕〈１１２０〉晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了ＧａＮ／Ａｌ２Ｏ３（０００１）的几种匹配方式的晶体学规律。ＧａＮ绕〈１１２０〉晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Ａｌ２Ｏ３（０００１）的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。     

光电导及光反射法测量AlGaN薄膜的Al组分

ＡｌＧａＮ／ＧａＮ异质结兰光激光器和发光管近年来得到很大的发展．高速和高功率的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ异质结场效应管（ＨＦＥＴ）的研究也得到很大的重视．ＡｌＧａＮ 薄层中的Ａｌ组分是决定此类器件的设计和性能的一个重要参量． 传统的测量组分的方法如ＸＰＳ和Ａｕｇｅｒ等方法需要大型的仪器,而且大多数方法是破坏性的,注意到ＡｌＧａＮ的禁带宽度Ｅｇ和Ａｌ组分有直接的关系,可以通过光学方法先测出Ｅｇ,用下式推算出Ａｌ的组分： Ｅｇ（ＡｌＧａＮ）＝ Ｅｇ（ＧａＮ）（１－ｘ）＋Ｅｇ（ＡｌＮ）ｘ－ｂｘ（１－ｘ）．其中ｘ是…     

Al2O3／TiB2和Al2O3／TiB2／SiCW陶瓷材料氧化层的显微结构分析

用Ｘ射线衍射，扫描电子显微镜和透射电镜／能谱仪分析了Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２和Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣＷ陶瓷材料在１３００℃氧化３０小时后氧化层的相组成及显著结构。     

新型陶瓷刀具材料JX—2—I组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ２Ｏ３），ＡＰ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ），ＡＷ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）和ＪＸ－１（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ｉ具有较高的抗弯强度（σｂｂ）和断裂韧性ＫＩＣ，研究结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的主要增韧机理是界面解离，裂纹偏转和晶须拔