共查询到10条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
2.
808nm大功率半导体量子阱激光器锁相列阵 总被引:3,自引:2,他引:1
在材料研究和器件特性分析的基础上,采用分子束外延方法(MBE),成功地研制出低阈值电流密度、高量子效率、折射率缓变分别限制异质结单量子阱结构(GRIN-SCH-SQW)大功率半导体激光器锁相列阵,最大线性输出功率为1.5W(室温,连续),激射波长808±4nm,光-电转换效率最高达62%,器件寿命考核(25℃,CW)超过1000小时无明显退化。 相似文献
3.
4.
5.
用低压MOVPE方法研制出了波长为655nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见激光器,并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为45mA,输出光功率不小于5mW,最高工作温度不低于50℃,预计20℃时寿命接近100,000小时,主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当,完全可以满足实用要求。 相似文献
6.
7.
8.
在多量子阱红外探测器外延材料制备中,由于器件响应波长对量子阱的阱宽和垒高变化敏感,因此对外延材料的制备有很高的要求.本文中我们利用光致荧光谱(PL)对GaAs/AIGaAs多量子阱红外探测器材料进行了测量和计算,从而在器件工艺前,快速确定器件的探测波长.以光致荧光光谱对GaAs/AIGaAs多量子阱红外探测器材料进行测试,通过理论计算,得到多量子阱红外探测器探测波长.计算得到的理论响应波长与实际器件的响应波长有良好的一致性,证明用光荧光谱对外延材料进行测量并计算,能够更加有效地开展器件研究工作.同时,我们在低温下测量了外加偏压下器件暗电流情况,以及液氮温度下,500K黑体辐射情况时,信号噪声比达到235.3. 相似文献
9.