金属及合金的激光非晶化

金属非晶态又称金属玻璃，它是原子处于一种无序状态或变化中,的短程有序状态的金属材料。目前认为金属非晶态的晶体结构可以是微晶无序模型或是拓扑学的无序模型。金属非晶态具有各向同性的极为优良机机械性能。铁系非晶态的强度极限可达400公斤/毫米2，其塑性也很好,在室温下可冷压延30%~50%，并可多次弯曲180度。金属非晶态对裂纹等缺陷的敏感性很小同时还有良好的理化性能。因此它可作为高强韧性材料、超导材料、磁性材料和耐蚀材料而得到广泛的应用。     

非晶态合金及其离子注入效应

非晶态合金是一种新型的具有独持优异性能的无机材料,其工业应用潜力是无与伦比的。非晶态合金的离子注入效应则是近十多年内发展起来的用离子束技术研究非晶态合金问题的新领域,它主要研究离子注入引起的非晶态合金的结构变化和有关现象,并用以测定非晶态合金的抗辐照损伤能力,为探索高抗辐照损伤能力的材料提供依据。 本文在简述非晶态合金主要优良性能之后,介绍非晶态合金离子注入效应研究的基本内容和取得的结果。包括:注入非晶态合金的结构状态;非晶态合金中注入He的研究及由此引起的注入条件(能量、剂量、束流密度)、合金成分、注入前样品的不同预处理等对注入效应的影响。     

用PECVD法制备非晶态GaP薄膜

<正>非晶态半导体材料是一种新型的电子材料,由于它具有特殊的物理性质,使非晶态半导体研究成为较热门的课题之一.对氢化非晶硅(α-Si:H),非晶锗(α-Ge)及非晶态硫系材料的研究已进入较深入的阶段,并应用于器件制作.但对非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,由于其结构无序和化学无序同时存在,给研究工作带来很大困难,对它们的研究仅限于物理性质的探索.     

非晶态材料录音磁头的研究

本文从分析目前录音磁头所常用的两类铁芯材料各自优缺点出发,介绍了新型非晶态材料的特性,并指出了非晶态软磁材料用作磁头铁芯的优点:材料无晶粒,亦没有磁晶各向异性;电阻率较大而且容易制成薄带材;具有突出的高硬度。通过对国内新试制的非晶态材料 Fe_4Co_(66)V_2Si_8B_(20)的磁头试验,介绍了非晶态磁头的一些技术性能。最后为应用和推广非晶态磁头,讨论了某些传统的磁头工艺必须注意的问题及目前非品态材料应进一步研究和改善的方面。     

玻璃的显微结构研究

玻璃是一种非晶态固体材料，是熔体在高温冷却过程中，快速越过析晶温度范围而凝固下来的固体。玻璃显微结构一般指玻璃中存在的非晶态缺陷，例如夹杂物、气孔及析晶等。近年来我们用EPMA和SEM对玻璃分相、析晶、结石等的显微结构进行了研究。陶瓷釉也是粘度较高的玻璃系统，特     

硫系非晶态半导体材料的研究进展

硫系非晶态半导体材料的实验研究提示了出它具有许多新奇的光学特性实际的应用价值，本文对较新的研究成果和发展作了阐述 。     

非晶态电子声子及相互作用

利用非晶态物质的实验数据,通过理论分析,对非晶态电子模型和声子谱进行了分析和研究,得出了非晶态近自由电子模型与自由电子模型有比较高的近似程度,在处理非晶态金属及合金等材料时可以采用自由电子模型;而非晶态声子在低能态密度增加,声子谱低频端软化;由于动量不守恒,电子声子在更大相空间内相互作用,从而导致了2αF(ω)低频端的上升。     

手性非晶玻璃的合成及其极化特性

利用溶胶 -凝胶低温合成非晶态技术 ,以正硅酸乙酯和乙醇为前驱体 ,将手性分子灰黄霉素均匀地掺入到溶胶 -凝胶体系中 ,首次成功地研制出手性非晶态玻璃材料 ,并对其光学极化特性及材料的热稳定性进行了测试。测试结果表明 ,手性非晶态玻璃的旋光率为 - 1.4 5°/ cm,计算所得的手征参数为 2 .37× 10 - 7。     

非晶态硅的TED和TEM的研究

一、引言近年来,非晶态物质的制备和物性研究已受到广泛的重视,大量的研究结果表明,非晶态物质具有许多优异的特性。已经在非晶态半导体、非晶态磁性材料、非晶态超导体、非晶态金属合金等材料中取得了令人注目的进展。在前一工作的基础上,我们利用高分辨率透射电子显微镜(TEM)对非晶态硅(a—Si:H,a—Si:Cl)薄膜样品进行研究,观测到薄膜样品中的原子团(atom cluster)和微结构,并探讨了其生长机理。二、实验我们采用射频辉光放电(RFGD)方法,使SiH_4(或SiCl_4)气体在射频场作用下离解,产生等离子体,通过     

非晶态碲镉汞的暗电导率和吸收边(英文)

研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88～0.91eV之间,与通过光学方法获得的结果相符。在80～240K的温度区间非晶态碲镉汞(x=0.2)的暗电导率从1×10—8Ω—1.cm—1缓慢增大到5×10-8Ω—1.cm—1,温度大于240K时,其电导率剧烈增大到1×10—5Ω—1.cm—1,说明在240K附近非晶态碲镉汞材料的导电机制发生了变化,这对非晶态碲镉汞材料的应用研究具有重要意义。还研究了退火过程对非晶态碲镉汞薄膜电导率的影响,结果表明140℃退火后非晶态碲镉汞薄膜发生了部分晶化。     

非晶态硅及其应用

本文介绍了新型电子薄膜材料非晶态硅的特性,制作方法以及利用非晶态硅薄膜各种特性的应用器件。     

非晶态碲镉汞的光学性质(英文)

采用椭圆偏振光谱技术研究了射频磁控溅射生长非晶态碲镉汞(amorphous Hg1-xCdxTe,amorphous MCT,a-MCT)薄膜的光学性质,发现非晶态碲镉汞薄膜的介电函数谱特征与晶态碲镉汞材料的明显不同,表现出与其他非晶态半导体材料类似的"波包"结构特征。基于修正的FB模型在1.0～4.0eV的能量范围内对实验结果进行了拟合分析,得到了不同组分非晶态碲镉汞薄膜的光学带隙随组分关系。通过与单晶碲镉汞光学带隙随组分变化关系的对比研究,结果表明碲镉汞的结构从晶态向非晶态转变过程中,材料的光学待续发生了明显的"蓝移"。     

磁头材料的国内外发展概况

本文综述了近期国内外磁头材料的发展概况。对坡莫合金、高硬度耐磨坡莫合金、FeSiAl合金及铁氧体材料进行了介绍。报导了新型磁头芯材料FeSiAl薄带、薄膜磁头材料、非晶态合金及铁磁性金属间化合物的研究进展情况。     

a-Si:H和a-SiN:H薄膜的质子核磁共振研究

<正> 由辉光放电分解硅烷淀积的氢化非晶态薄膜中都包含相当数量的氢,含氢量的多少直接对薄膜的结构、性质及稳定性有很大的影响。利用核磁共振(1H NMR)可以给出有关氢的局部环境和分布的信息。它与通常所用的红外、ESR、核共振等方法所获得的信息是不同的,因此1H NMR在材料结构分析方面是有其特色的。     

非晶态碲镉汞薄膜晶化过程的椭圆偏振光谱研究(英文)

采用椭圆偏振光谱技术研究了非晶态碲镉汞薄膜在不同退火条件下的结构性能。结果表明非晶态碲镉汞薄膜在退火过程中的成核晶化是在薄膜内部均匀发生的,对于不同晶化程度的薄膜,其光学常数谱具有明显的特征,通过对光学常数谱的分析研究可以对非晶态碲镉汞薄膜的晶化程度进行量化表征,从而控制退火条件,优化材料质量。     

探讨油页岩的开发与利用

全世界对能源的需求量是非常巨大的,尤其是对石油的需求量更是巨大,而石油的储量是有限的,替代能源的开发利用一直是世界关注的热点问题。作为非常规油气资源的油页岩,储量巨大,是重要的石油替代资源,有着良好的资源、环境、经济及社会效益,对它的开发与利用越来越受到重视。     

非晶态超晶格的XTEM研究

非晶态半导体超晶格一种新发展的材料。它一般由两种极薄的薄膜交替迭合而成,单个薄层的厚度从十几埃到数百埃。薄层的厚度、厚度的均匀性、界面的平整性等是对这种材料特性有重要影响的重要参数。XTEM—横断面TEM技术是测定这些参数的唯一方法。本文利用XTEM技术研究了数种不同的超晶格样品,如:aSi-aC,     

激光熔覆制备非晶复合涂层的研究进展

非晶态合金是一种极有发展潜力的新型金属材料。激光熔覆非晶复合涂层不仅能有效提高材料表面性能,还是将非晶态合金推向应用的有效方法。综述了激光熔覆非晶复合涂层的研究现状,包括激光熔覆非晶涂层的材料体系、组织结构和性能特点等,并指出了激光熔覆非晶涂层目前存在的主要问题与发展方向。     

激光使晶态半导体变为非晶态

不久前有几个研究小组观察到硅的表层晶态结构在脉冲激光辐射作用下消失(非晶态化)。这种改变半导体材料性质的新方法能产生非晶态半导体，其性质强烈地取决于其制备方法。     

日本电子材料技术协会访华讲演摘要

应仪表材料学会的邀请,日本电子材料技术学会(JEMS)访华团一行三人,于82年10月下旬在重庆作电子材料、弹性材料、触点材料、永磁铁氧体、非晶态等方面专题交流,现将部分内容整理于下。