GSI发布最新晶圆级芯片打标技术

<正>在半导体制程领域提供雷射技术已经超过2 0年的GSILumonics公司,前不久在上海举行了"先进晶圆级芯片打标技术研讨会",向业界展示了从晶圆刻印到链接处理、晶粒刻印、混合信号电路修整、以及其他一系列最新技术和产品。 研讨会上GSI Lumonics公司除向与会者介绍了高端的集成电路封装趋势和以激光技术为基础的晶圆级芯片打标系统外,还详细叙述了为什么晶圆级芯片打标技术能使     

WLCSP封装技术中的集成无源器件

芯片规模封装技术一直倍受高性能、小形状因素解决方案在各类应用中的关注。芯片规模封装与球栅阵列(BGA)封装之间的区别变得不可分辨,已成为“细间距BGA”的同义词。芯片规模封装成本也是业界关注的焦点之一。芯片规模晶圆级封装是提供小形状、高性能和低成本的最快途径。论述了集成无源器件加工、低成本化的晶圆级芯片规模封装技术。     

晶圆级Micro-LED芯片检测技术研究进展

随着微型氮化镓（GaN）发光二极管（LED）制造工艺的不断进步，Micro-LED显示有望成为新一代显示技术并在近眼显示、大尺寸高清显示器件、柔性屏幕等领域大放异彩。在Micro-LED显示众多技术环节中，晶圆级Micro-LED芯片的检测是实现坏点拦截，提升显示屏良品率、降低整机制造成本的关键环节。针对大数量（百万数量级）、小尺寸（<50μm）的晶圆级Micro-LED芯片阵列，现有的电学检测手段存在检测效率低、成本高等缺点。因此，提高检测效率、提升检测准确度、降低检测成本是晶圆级Micro-LED检测技术的发展趋势。本文首先介绍了晶圆级Micro-LED芯片检测时所需要检测的几个指标，其次详细介绍并分析了现有的或已经提出的检测手段，最后对晶圆级Micro-LED芯片检测技术进行总结并展望了未来技术发展方向。     

Tessera专注微电子和成像与光学技术

Tessera公司创立于1990年,公司的微电子解决方案以芯片规模、3D与晶圆级的封装技术,以及高密度的衬底与静音散热技术,支持客户生产体积更小、功能更强     

Xilinx采用90nm工艺制造FPGA器件

作为采用300mm晶圆和90nm制造技术制造FPGA产品的供应商，赛灵思公司（Xilinx）继续保持与竞争解决方案间的巨大成本优势。与目前的130nm技术相比，采用90nm工艺技术使芯片面积和芯片成本降低了50%-80%，结合300mm晶圆技术，每晶圆可生产的有效芯片数量是采用130nm技术在200mm晶圆上获得芯片数量的5倍。     

用于3D集成中的晶圆和芯片键合技术(英文)

3D集成技术包括晶圆级、芯片与晶圆、芯片与芯片工艺流程,通过器件的垂直堆叠得到其性能的提升,并不依赖于基板的尺寸和技术。所有的报道均是传输速度提高,功耗降低,性能更好及更小的外形因素等优势使得这种技术的名气大振。选择晶圆或芯片级集成的决定应基于几个关键因素的考虑。对于不同种类CMOS、非CMOS器件间的集成,芯片尺寸不匹配引发了衬底的变化(如300mm对150mm).芯片与晶圆或芯片与芯片的堆叠也许是唯一的选择。另外,当芯片的成品率明显地不同于晶圆与晶圆键合方法时,在堆叠的晶圆中难以使确认好芯片的量达到最大。在这种情况下,应将一枚或两枚晶圆划切成小芯片并仅将合格的芯片垂直地集成。只要适当地采用晶圆与晶圆键合工艺便可实现高成品率器件同类集成。晶圆间键合具有最高的生产效率,工艺流程简便及最小的成本。满足选择晶圆级或芯片级工艺总的工艺解决方案应结合对准和键合细节来考虑决定最终的设备选择和工艺特性。所有这些工艺的论证证实对于多数产品的制造3D集成是可行的,而且有些也已成为生产的主流。     

探索晶圆级芯片贴装薄膜和芯片制备集成工艺的新挑战

分析了在多芯片叠装封装产品中采用晶圆级芯片贴装薄膜对传统芯片制备以及后续封装工艺所产生的巨大影响。阐述了在晶圆级芯片贴装薄膜贴覆工艺,芯片制备以及后序工艺中所遇到的巨大挑战。     

三维（3D）互连校准型晶圆片压焊技术

本文对有发展前途的三维（3D）技术平台进行简要回顾，说明采用校准型晶圆片压焊技术的晶圆片级三维（3D）集成。重点强调了胶粘剂晶圆片压焊技术，分别叙述了3D集成、校准型晶圆片压焊、多芯片互连、晶圆片校准和晶圆片级3D ICs的关键性问题，并对所获得的结果进行综述。     

扇出型晶圆级封装中圆片翘曲研究

在扇出型晶圆级封装工艺中,由于芯片材料与塑封料之间的热膨胀系数差异,晶圆塑封过程中必然会形成一定的翘曲.如何准确预测晶圆的翘曲并对翘曲进行控制是扇出型晶圆级封装技术面临的挑战之一.在讨论圆片翘曲问题时引入双层圆形板弯曲理论与复合材料等效方法,提出一套扇出型晶圆级封装圆片翘曲理论模型,并通过有限元仿真与试验测试验证了该翘...     

焊球植球凸块工艺的可靠性研究

焊球植球是一种最具潜力的低成本倒装芯片凸块制作工艺.采用焊球植球工艺制作的晶圆级芯片尺寸封装芯片的凸块与芯片表面连接的可靠性问题是此类封装技术研究的重点.为此,参考JEDEC关于电子封装相关标准,建立了检验由焊球植球工艺生产的晶圆级芯片尺寸封装芯片凸块与芯片连接及凸块本身是否可靠的可靠性测试方法与判断标准.由焊球植球工艺生产的晶圆级芯片尺寸封装芯片,分别采用高温存储、热循环和多次回流进行试验,然后利用扫描电子显微镜检查芯片上凸块剖面的凸块下金属层分布和测试凸块推力大小来验证凸块的可靠性.试验数据表明焊球植球工艺生产的晶圆级芯片尺寸封装芯片具有高的封装连接可靠性.     

什么是"邦定"

邦定是英文“bonding”的译音，是芯片生产工艺中一种打线的方式，一般用于封装前将芯片内部电路用金线与封装管脚连接。一般bonding后(即电路与管脚连接后)用黑色胶体将芯片封装，同时采用先进的外封装技术COB(Chip On Board)。这种工艺的流程是将已经测试好的晶圆植入到特制的电路板上，然后用金线将晶圆电路连接到电路板上，再将融化后具有特殊保护功能的有机材料覆盖到晶圆上来完成芯片的后期封装。     

2004年IC封装业的技术发展趋向

总部设在新加坡的品圆封装代工公司IPAC表示，在2004年要加强集成电路的晶圆级封装(WLP)的业务，引进先进技术和提供包括晶圆凸点、整合、测试等服务。IPAC将使用先进互连解决方案(AIS)公司拥有的专利技术TCSP制程。TCSP是纯芯片级封装制程的简称，它的封装尺寸等于芯片级尺寸，而且大部分封装制程在晶圆加工阶段完成，使每块芯片的封装成本显著降低。     

晶圆级多层堆叠技术

随着5G和人工智能等新型基础设施建设的不断推进,单纯通过缩小工艺尺寸、增加单芯片面积等方式带来的系统功能和性能提升已难以适应未来发展的需求。晶圆级多层堆叠技术作为能够突破单层芯片限制的先进集成技术成为实现系统性能、带宽和功耗等方面指标提升的重要备选方案之一。对目前已有的晶圆级多层堆叠技术及其封装过程进行了详细介绍;并对封装过程中的两项关键工艺,硅通孔工艺和晶圆键合与解键合工艺进行了分析;结合实际封装工艺对晶圆级多层堆叠过程中的可靠性管理进行了论述。在集成电路由二维展开至三维的发展过程中,晶圆级多层堆叠技术将起到至关重要的作用。     

新闻

Nemotek技术公司向SUSS订购多项光刻设备.用于图像传感器晶圆级封装 2009年4月22日,德国便携式晶圆片级照相机零部件生产商Nemotek技术公司购买了SLISS的多项光刻设备.sLISS是三维集成、先进封装、MEMS、纳米技术等创新方案的设备供应商.此次订购包括200 mm生产性光刻机、涂胶台、烘烤、显影设备.这些设备将用于图像传感器晶圆片级封装(WLP)和晶圆片级光学系统(WLO),现已成功安装于Nemotek在摩纳哥拉巴特科技园的工厂.     

Applied NokotaTM电化学沉积系统助力先进芯片封装

应用材料公司日前宣布,面向晶圆级封装(WLP)产业推出Applied Nokota?电化学沉积(Electrochemical Deposition, ECD)系统,凭借优秀的电化学沉积性能、可靠性、晶圆保护能力、可扩展性,以及生产力,提供先进封装技术.在该系统的助力下,芯片制造商、外包装配和测试(OSAT)企业将可通过低成本、高效率的方式使用不同的晶圆级封装工艺,包括凸块/柱状、扇出、硅通孔(TSV)等等,满足日益增多的移动和高性能计算应用需求.     

松下电工开发通过晶圆级接合4层封装LED

松下电工成功开发出通过晶圆级接合,将封装有LED的晶圆和配备有光传感器的晶圆,合计4枚晶圆进行集成封装。该公司为了显示其晶圆级封装（WLP）的技术实力,在“第20届微机械／MEMS展”     

临时键合技术在晶圆级封装领域的研究进展

随着5G、人工智能和物联网等新基建的逐步完善,单纯依靠缩小工艺尺寸来提升芯片功能和性能的方法已经难以适应未来集成电路产业发展的需求。为满足集成电路的多功能化及产品的多元化,通过晶圆级封装技术克服摩尔定律物理扩展的局限性日趋重要。目前,在晶圆级封装正朝着大尺寸、三维堆叠和轻薄化方向发展的背景下,临时键合与解键合（TBDB）工艺应运而生。针对晶圆级封装领域可商用的TBDB技术,论述了不同TBDB工艺在晶圆级封装领域的研究进展及应用现状,明晰了不同TBDB技术所面临的挑战和机遇,提出了相应的解决方案,并展望了未来的研究方向。     

基于普通F-Theta透镜与远心F-Theta透镜的晶圆标识工艺的研究

为研究聚焦系统对晶圆标识工艺的影响，搭建以1 066 nm的声光调Q脉冲光纤激光器为光源，分别使用普通F-Theta透镜和远心F-Theta透镜的晶圆激光打标系统，使用相同的工艺参数分别在晶圆表面进行点阵标识，研究两种聚焦系统下晶圆的烧蚀阈值、离焦效果和点的形貌。采用白光干涉仪对晶圆标识区域的三维形貌进行评估，研究发现普通F-Theta透镜与远心F-Theta透镜对晶圆的烧蚀阈值的影响区别不大。在离焦效果方面，普通F-Theta透镜随着离焦量增加，标识点直径逐渐变小；而远心F-Theta透镜随着离焦量增加，标识点直径先增大后减小。在打标范围内的标识质量方面，两者在打标范围中心的标识质量基本相当，离中心越远，远心透镜也未能表现出更好的标识形貌。     

为高品质的IC制造——保驾护航——访FSI公司董事长兼首席执行官Donald Mitchell先生

SEMICON China 2004期间,国际知名晶圆清洗设备制造厂商FSI公司适时地连续在上海和台湾召开了“FSI表面处理技术研讨会” 与“针对65纳米制程的尖端清洗技术”研讨会,与客户共同分享FSI的成果及听取客户的意见,以达到共赢之目的。借此机会,我们采访了来自美国的FSI公司董事长兼首席执行官Donald Mitchell先生,请他介绍FSI公司及所取得的成果。     

满足互连要求的无铅化工艺和材料

在走向无铅化的道路上，为了能够满足倒装芯片和晶圆级封装、SMT以及波峰焊接的需要，要求对各种各样的材料和工艺方案进行研究。为了能够满足电路板上的倒装芯片和芯片规模封装技术，需要采用合适的工艺技术和材料。采用模板印刷和电镀晶圆凸点工艺，可以实现这一目标。