论功率MOSFET的发展前景

由于世界市场的激烈竞争,各功率半导体器件制造商正投入大量资金发展新的设计、改进新的工艺、开发新的产品。好些产品甚至每个季度都有新的发展,品种的更新换代几乎到了使人眼花缭乱的程度。因此详细介绍器件发展的新趋势,就显得更为必要了。     

功率MOSFET单粒子烧毁测试技术研究

总结了2种单粒子烧毁测试方法.在非破坏性测试原理基础上,研制成功针对星用功率MOSFET的单粒子烧毁动态测试系统.系统在锎源单粒子效应实验装置调试通过.利用该系统,在HI-13串列加速器上初步完成了星用MOSFET单粒子烧毁验证实验.     

E6 功率超声强化溶液物理化学过程的研究

Ｅ６功率超声强化溶液物理化学过程的研究丘泰球（华南理工大学广州·５１０６４１）物理化学过程是化学过程和物理过程综合而产生的特殊过程。现代工业生产中，许多物理化学过程是在溶液中进行，如何更有效地强化溶液的物理化学过程，提高工业生产效率，是人们非常关注的...     

功率MOSFET新型封装的研究

越来越多的电子产品正在朝着微型化的方向迅速发展,这对电子元器件的封装提出了更高的要求,不仅要求不断缩小元器件体积,还要实现原有或更好的性能,用表面贴装元器件取代原来的插件元器件,是实现电子产品微型化的关键。本文所介绍的用SOT89-3封装的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)替代现有的大体积插件封装大功率MOSFET产品,不仅可以保证产品的性能,还可以实现电子产品的高效率     

非平稳随机过程功率谱密度初探

提出了非平稳过程功率谱密度的概念。证明路面谱密度就是非平稳随机过程Wiener过程的功率谱密度。该结果对路面仿真以及为车辆振动提供输入激励的实时性和真实性具有很重要实际价值。     

发动机功率在线检测研究

发动机功率在线检测技术至今仍是该领域的一大技术问题。本文针对某一车型发动机功率的在线检测,描述了测功的原理,介绍有关组成及测试过程。通过对某些车实际检测获得的大量数据进行分析处理,综合分析了影响该车型动态测功精度的若干问题,提出了提高动态测功精度的具体方案。     

随机过程的白噪声功率谱及工况诊断

工程中常遇到各类噪声信号，噪声存在于电子设备和系统中，它经常妨害长距离通信和检测弱信号的能力。随机数发生器被用来仿真物理世界中常遇到各类噪声信号和其它随机现象，通过产生这样的噪声，可用MATLAB仿真通信系统来研究这种噪声对系统的影响，并评价噪声存在的情况下系统的性能。     

基于动态路由表的微功率无线路由重构研究

该文针对低压抄表系统中微功率无线通信的传统洪泛路由算法组网的抗压性较低的问题,提出了一种基于动态路由表的改进洪泛路由算法,通过在组网时在各节点建立可侦听频段范围内其他电表节点的临时路由表,进行路径优化选择。在链路失效时,已搜索到的节点能利用路由表快速选择最优路径组网重构。仿真试验验证了该文提出的算法比传统洪泛方法在抗压性方面有优势。     

非平稳随机过程功率谱密度估计的小波方法

讨论了已有文献中基于一般非正交小波以及广义谐和小波的非平稳随机过程演变功率谱密度（Evolutionary Power Spectral Density, EPSD）估计的问题。在一种新的非平稳随机过程模型（局部平稳小波过程,Locally Stationary Wavelet process, LSW）的基础上,提出了一种新的估计非平稳随机过程时变功率谱密度的方法。所建议的新方法能与估计非平稳随机过程EPSD的经典方法统一起来,当以上两种方法均使用广义谐和小波时,二者退化为同一形式。为了验证所建议方法的有效性,给出了基于广义谐和小波的多变量均匀调制下非平稳随机地震动互/自功率谱估计的算例。并以汶川8.0级地震中某近场地及远场地上的地震加速度为例,计算得到了其能量在时－频域上的不同分布。     

基于经典功率谱估计法的医用红外热图的研究

本文在医用红外热图的分析与处理中引入动态热图的概念.并用经典功率谱理论中的周期图法对医用红外热图的数据进行功率谱估计.在计算的过程中用Welch法改进了模型的方差性能,从而可以得到病变区的有效特征参数.并可初步确定所患疾病的类型及恶性程度,有助于减少热图诊断中人为主观因素的影响,较之单幅的静态热图,动态热图分析更能深层次地揭示病变区的固有特征.采用本文研制的算法对几种典型病例的多组红外热图进行了分析处理,给出了代表这些病例的功率谱特征.     

飞机气压关断活门计算机辅助测试系统的设计

针对军用飞机修理厂对飞机高温高压大流量气压调节关断活门修理后的测试难的问题,设计制造了以计算机为核心的“飞机气压关断活门计算机复制测试系统”。本文介绍了该系统的基本组成、工作和技术特点。     

基于ISTA功率谱密度的MATLAB随机过程时域样本再现

面向工程中典型性随机过程,基于频域功率谱密度(PSD)函数,分析和综合了平稳Gaussian过程的时域数值模拟方法,给出了Fourier变换法模拟、线性滤波法模拟、谐波叠加法模拟3种主要模型的数学原理、实现过程和应用特点,并结合ISTA功率普密度图进一步给出了从频域回复到时间域的方法,实现了频率域图谱在时间域上的仿真模拟.     

高精度激光束功率稳定器的研究

本分析了影响激光功率稳定性的因素，研究了利用电光调制器和光反馈方法稳定激光束功率的原理。提出了一种新型的非线性反馈控制方法。该方法具有稳定速度快、稳定性高、激光功率损失小等优点，实验测得１小时激光功率的稳定性达到６＊１０＾－５。经这种方法稳定后的激光束可作为与低温绝对辐射计联用的高精度光源。     

外科冷冻过程的动态模型研究

本文对外科冷冻过程进行初步探讨,提出了其动态模型,以供参考.     

基于BSIM3V3的部分耗尽SOI MOSFET解析模型

提出了部分耗尽SOI MOSFET物理模型,SOI MOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数.用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的一致性.     

硅锗应变沟道MOSFET器件中阈值电压的解析模型

在分析应变Si/应变Sil-YGeY/驰豫Sil-XGeX pMOSFET的在栅极电压作用下电荷在栅氧化层下面的分布情况的基础上,通过求解泊松方程,得到此器件的隐埋SiGe沟道阈值电压解析模型和表面沟道的阈值电压解析模型,并用典型参数对模型进行了模拟,得到的模拟结果与实验结果能够很好的吻合.     

4H-SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性研究

在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究.首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在N D/N-A≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈区峰值电势随栅压线性变化,推出了一个简化的亚阈电流表达式,并在计算中计入了界面态的影响.该表达式可用来对沟道载流子浓度进行提取.     

50MHz,1mW功率标准的研究

目前，国内外许多高性能电子仪器和测量系统都将５０ＭＨｚ，１ｍＷ功率作为基准电平，它是评价仪器准确度的一项重要指标。本文介绍５０ＭＨｚ，１ｍＷ功率标准的工作原理。     

同轴功率基准计量质量保证的研究

由中国计量科学研究院建立的同轴功率基准承担了统一全国功率量值的任务。同轴功率基准量值的准确与否直接影响到国内功率量值的统一，因此，对基准装置量值准确度的考核是至关重要的，有必要研究一种切实可行的考核方法，对同轴功率基准装置进行考核。鉴于过去几年来对微波功率量值传递改革方案的研究，并已制定了同轴功率计量保证方案技术规范，在此基础上，我院开展了对同轴功率基准计量质量保证方案的研究工作。经过历时两年的研究和实践，制订出一套适合我国国情的实施细则，作为对该基准装置考核的依据     

空调水蓄冷过程试验研究

本文阐述了自行研制的空调水蓄冷试验装置的特点,并在该试验装置上进行了水蓄冷过程试验,得到了水蓄冷过程中蓄冷桶进出口温度、蓄冷桶蓄冷量、主机制冷量、蒸发温度、排气温度及冷凝温度随时间的变化规律,这些规律对了解水蓄冷过程的动态特性非常有用,从而为分析水蓄冷过程提供了实际依据。