石英衬底上溅射制备纳米SiCN薄膜

利用射频溅射方法在石英玻璃上沉积了纳米结构硅碳氮(SiCN)薄膜.SiCN薄膜表面由平均直径约50nm的SiCN纳米颗粒组成,这些纳米颗粒的紧密分布构造了薄膜的致密表面.纳米SiCN薄膜呈现出典型的半导体导电特征.通过调整N2流量参数可以获得不同带隙的SiCN薄膜材料,这种带隙可调的纳米结构SiCN薄膜在未来的半导体光电器件应用领域会有广阔的应用前景.     

石英衬底上溅射制备纳米SiCN薄膜

利用射频溅射方法在石英玻璃上沉积了纳米结构硅碳氮(SiCN)薄膜. SiCN薄膜表面由平均直径约50nm的SiCN纳米颗粒组成，这些纳米颗粒的紧密分布构造了薄膜的致密表面. 纳米SiCN薄膜呈现出典型的半导体导电特征. 通过调整N2流量参数可以获得不同带隙的SiCN薄膜材料，这种带隙可调的纳米结构SiCN薄膜在未来的半导体光电器件应用领域会有广阔的应用前景.     

基于纳米颗粒的铜锌锡硫硒薄膜制备

采用热注入法制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米颗粒,并形成高分散、稳定的"墨水",采用滴注方法形成CZTS前驱体薄膜。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见光谱(UV-VIS)对CZTS纳米颗粒的晶体结构、表面形貌和带隙进行了表征。Raman数据显示合成的纳米颗粒为纯的CZTS,不存在ZnS和Cu2SnS3等杂相。傅里叶红外光谱(FTIR)和UV-VIS表明合成的CZTS纳米颗粒表面被油胺(OLA)包覆,并且其带隙为1.52 eV。对CZTS前驱体薄膜在硫化氢气氛和固态硒气氛中退火处理,得到铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜。结果表明,经硫化氢处理后薄膜表面平整但CZTS晶粒并没长大,而经过固态硒处理后得到了结晶质量较好的CZTSSe薄膜。     

磁控溅射氧化钛薄膜在不同溅射温度下的光电性能研究

通过磁控反应溅射,在玻璃基底上制备了不同溅射温度下的氧化钛薄膜.通过对其光电性能的分析测试,探讨了溅射温度对氧化钛薄膜性能的影响.实验表明:低温溅射下,薄膜表面颗粒较小,结构较为疏松,高温溅射下,薄膜颗粒较大,薄膜表面颗粒出现团聚现象;随着溅射温度的升高,溅射速率减小;薄膜方阻减小,载流子浓度增大;溅射温度越高,薄膜在紫外可见光波段内透射越弱,光学带隙越小.     

厚度与带隙可调、原子层沉积的超薄五氧化二钒纳米晶薄膜

利用原子层沉积方法制备V_2O_5纳米片晶薄膜.薄膜厚度可以被精确控制,并对纳米晶V_2O_5薄膜的结构形貌、光学带隙和拉曼振动有显著影响.原子层沉积过程中V_2O_5薄膜生长的两个阶段导致薄膜具有两个光学带隙,这将有助于理解超薄薄膜生长与功能应用.     

厚度与带隙可调、原子层沉积的超薄五氧化二钒纳米晶薄膜（英文）

利用原子层沉积方法制备V_2O_5纳米片晶薄膜.薄膜厚度可以被精确控制,并对纳米晶V_2O_5薄膜的结构形貌、光学带隙和拉曼振动有显著影响.原子层沉积过程中V_2O_5薄膜生长的两个阶段导致薄膜具有两个光学带隙,这将有助于理解超薄薄膜生长与功能应用.     

膜厚对氧化钒薄膜结构和光学性质的影响

利用真空热蒸发在石英基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜, 研究厚度对薄膜的结构、形貌和光学特性的影响。薄膜的结构由X射线衍射(XRD)仪和拉曼(Raman)光谱仪测得, 表面形貌用原子力显微镜(AFM)观测。利用分光光度计测量薄膜的光学透射率, 并且采用Forouhi-Bloomer模型与修正的德鲁德(Drude)自由电子模型相结合的方法拟合透射率来确定薄膜的折射率、消光系数和带隙。结果表明, 热蒸发的氧化钒薄膜呈非晶态, 薄膜的主要成分为五氧化二钒, 且含有少量的二氧化钒。薄膜表面的颗粒粘结在一起, 随着薄膜厚度的增加, 薄膜表面粗糙度以及颗粒尺寸变小, 膜层表面平整度越来越好, 颗粒之间的空隙变小, 导致折射率随膜厚的增加而增大, 消光系数减小。另外, 随着薄膜厚度从200 nm增加到450 nm, 光学带隙从2.67 eV减小到2.45 eV。     

渐变带隙Cd1-xZnxTe太阳电池光电转换效率的数值模拟

Cd1-xZnxTe是直接带隙半导体材料,其禁带宽度随x值的变化在1.45eV～2.26eV间连续可调.将具有渐变带隙结构的材料作为太阳电池的光吸收层,可以在近背表面的薄层内产生一个准电场.该电场不仅能将俄歇复合发生的位置有效局域化,而且还可降低由表面复合引起的载流子损耗,增强光生载流子的收集效率,进而提高电池的光电转换效率.用渐变带隙Cd1-xZnxTe多晶薄膜替代了传统CdTe薄膜太阳电池中的均匀相CdTe光吸收层,并用AMPS软件模拟分析了渐变带隙Cd1-xZnxTe太阳电池的光电响应特性.经计算,该电池在理想情况下(无界面态、有背面场,正背面反射率分别为0和1)的光电转换效率高达41%.     

表面包覆的ZnFe204纳米粒子的光吸收边红移

采用表面包覆的方法对共沉淀法制备的ZnFe2O4纳米粒子进行表面改性,使其能分散在有机溶剂中形成ZnFe2O4纳米微粒有机溶胶,并以该有机溶胶为前驱体通过提拉成膜技术制备了ZnFe2O4纳米粒子薄膜.光吸收测量显示,表面包覆改性可导致ZnFe2O4纳米粒子的光吸收边出现较大幅度的红移,且红移的幅度随着ZnFe2O4纳米粒子的尺寸减小而增大;光吸收带边特性分析表明,ZnFe2O4纳米材料是间接带隙半导体.根据吸收带边与光吸收系数间的关系,计算了ZnFe2O4纳米粒子的间接和直接光学带隙能.     

Ge团簇组装纳米薄膜的制备及光学性质

用惰性气体凝聚淀积技术制备半导体Ge团簇及其构成纳米薄膜。利用透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)及光谱分析方法对所获得的样品进行分析研究。分别在室温和液N2冷却条件下获得了具有2种不同微结构和形貌特征的氧化层包裹的Ge团簇组装薄膜。紫外一可见光光谱分析表明,这类纳米结构薄膜具有1．0～2．9eV的光学带隙蓝移,并可用量子限制效应来解释其起源。