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我们首次完全采用MBE技术成功地制作了内含吸收型光栅的GaAlAs/GaAs量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器,激光器在室温下的激射波长为860nm,单模单端输出光脉冲峰值功率超过20mW。器件在至少0-80℃的范围内始终保持单纵模激射,作为初步结果,条宽为5-6μm的氧化物条件形结构器件的脉冲工作阈值电流约为700mA。 相似文献
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采用湿法化学腐蚀在气洙MBEInGaAsP多量子阱材料上制作了微盘型激光器,直径8μm的微盘激光器表现出很好的单模激射特性,阈值泵浦功率为170μW,激射线宽为1.5nm.以微腔激光器的宽激射线宽作了初步分析。 相似文献
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《微纳电子技术》1994,(5)
在垂直旋转圆形OMVPE外延炉里压力减小到0.2atm下生长的GaAs和AlGaAs的特性非常均匀。衬底旋转500r/min,厚外延层均匀性是±1%。而3~10nm厚的量子阱,其厚度的均匀性是±2%。铝组分的变化系数是1.8×10-3或者更小。对于含有单量子阱有源层的宽面积GRIN-SCH二极管激光器,其阈值电流密度和微分量子效率非常均匀。激光器的激射波长可以通过调整有源层厚度和组分精确控制。175个器件分布在16cm2的片子上,片子包含一个10nm厚的Al0.07Ga0.93As有源层,激射波长,总的变化为3.0nm。从9个其它外延片上取出的所有供试验的管子,其波长范围是从803.5到807.4nm。 相似文献
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采用分子束外延(MBE)技术,研制生长了InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器材料,并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明,较高的InGaAs生长温度和尽可能短的生长停顿时间,将有利于降低激光器的阈值电流。所外延的激光器材料在250μm×500μm宽接触、脉冲工作方式下测量的阈电流密度的典型值为160mA/cm2。用湿法腐蚀制作的4μm条宽的脊型波导激光器,阈值电流为16nA,外微分量子效率为04mW/mA,激射波长为976±2nm,线性输出功率为100mW。 相似文献
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MBE生长高质量GaAs/AlGaAs量子阱激光器 总被引:6,自引:4,他引:2
我们利用分子束外延方法研制了GaAs/AlGaAs缓交折射率分别限制(GRIN-SCH)单量子阱和双量子阱激光器.对腔长为600μm的端面不镀膜的宽接触条型F-P腔激光器,阈值电流密度(平均值)分别为290A/cm2和240A/cm2.腔长在1200μm的双量子阱激光器的阈电流密度低达190A/cm2.对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型(80μm).激光器,线性输出功率高达1.82W;出光面的斜率效率达到1.04W/A;利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达8mA 相似文献
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采用分子束外延技术生长了GaAs/AlGaAs单量子阱得多量子阱材料。采用GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷,获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为778nm的激光器,最低阈值电流为30mA,室温下线性光功率大于20mW。 相似文献
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我们利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AIGaAs应变量子阱激光器外延材料,其最低的阈值电流密度可达到140A/cm2,激发波长在980urn左右.通过脊型波导结构的制备,获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的980urn量子阱激光器泵浦源,其典型的阈值电流和外微分量子效率分别为15mA和0.8mW/mA,基横模的输出功率大于80mW,器件在50℃,80mw的恒功率老化实验表明,器件具有较好的可靠性.通过与掺铒光纤的耦合,其组合件出纤功率可达60mW以上. 相似文献
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采用MOCVD 方法成功地研制了具有线性GRIN 结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为815~825 nm ,阈值电流为130 m A。工作电流在480 m A 时,单面连续输出光功率高达200 m W,且基本保持在单模工作状态。工作在970 m A 时,单面连续输出光功率为0.5 W。 相似文献
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采用VarianGenⅡMBE生长系统研究了InGaAs/GaAs应变层单量子阶(SSQW)激光器结构材料。通过MBE生长实验,探索了In_xGa_(1-x)tAs/GaAsSSQW激光器发射波长(λ)与In组分(x)和阱宽(L_z)的关系,并与理论计算作了比较,两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响,主要包括:Ⅴ/Ⅲ束流比,量子阱结构的生长温度T_g(QW),生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础,通过优化器件结构和MBE生长条件,获得了性能优异的In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层单量子阱激光器:其次长为963nm,阈值电流密度为135A/cm ̄2,微分量子效率为35.1%。 相似文献
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报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器,采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H^+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室温脉冲工作,最低阈值电流达20mA,激射波长为915nm,器件的串联电阻最低达120Ω。 相似文献