LL8.209.1003刀具表面Al2O3陶瓷爆炸喷涂工艺及其界面初析

本文分析了测试爆炸喷涂获得Ａｌ２Ｏ３／Ｃｒ１２ＭｏＶ界面层的微 性能。试验结果表明Ａｌ２Ｏ３／Ｃｒ１２ＭｏＶ界面层中Ｆｅ,Ｃｒ,Ａｌ等元素呈梯度分布,界面层内存在着海绵状结构。同时,Ａｌ２Ｏ３／Ｃｒ１２ＭｏＶ存在界面反应。     

自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术

ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺     

TFT阵列金属电极的制备与性能

采用磁控溅射的方法制备Ｃｒ、Ｔａ、ＡＩ、Ｍｏ、ＭｏＷ等金属薄膜,采用ＸＲＤ、ＳＥＭ四探针法等分析手段分析了薄膜性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对薄膜质量的影响,得到了制作ＴＦＴ器件中优质金属电极的工艺参数。     

铝合金表面激光熔覆SiC/金属基复合涂层的组织与性能研究

采用 ２ｋｗ的 Ｎｄ： ＹＡＧ激光器,在铝合金基体表面用预置法分别激光熔覆 ＮｉＣｒＡｌ／ＳｉＣｐ（颗粒）、ＮｉＣｏＣｒＡｌＹ／ＳｉＣｐ、ＮｉＣｏＣｒＡｌＹ／ＳｉＣｗ（晶须）复合粉末,获得了厚度约为 １ｍｍ的耐磨涂层。借助Ｘ射线衍射及电子探针,对不同涂层的显微组织作了对比分析,并测试了其显微硬度及耐磨性。结果表明由于细晶强化、固溶强化及未熔ＳｉＣ的弥散强化作用,与基体相比涂层硬度提高了４～５倍,耐磨性能提高了２～５倍。     

38CrMoAlA氮化钢金相组织缺陷分析

本文根据近几年来我厂军品（３７４、红二乙Ａ、多基地、装甲车等）生产中，齿轮和轴的绝大多数都用３８ＣｒＭｏＡｌＡ钢的实际情况，就３８ＣｒＭｏＡｌＡ钢材在热处理以后出现的金相组织方面的缺陷进行分析，并提出一些改进措施和建议。     

Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究

报道了优化的ｐ－ｎ型Ａｌ０．８５Ｇａ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Ｃｒ／Ａｕ和ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ制作下面栅线和背面电极,并分别在４５０℃和３５０℃下快速合金化形成欧姆接触。采用ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ３ＰＯ４：Ｈ２Ｏ体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的ＧａＡｓ接触层。采用真空蒸发技术制备ＺｎＳ／ＭｇＦ２双层复合减反射层。测试结果表明,采用优化工艺制备的器件的光电转换效率得到了     

以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件

首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ∶Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ∶Ｅｒ）／透明电极（ＺｎＯ∶Ａｌ）。发光层是用电子束蒸发制备的,透明电极是采用溅射法制备的。器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,研究了器件的亮度－电压和效率－电压等特性。     

聚合物PtBuA薄膜不同温度下的AFM图像及其多重分形谱

由于原子力显微镜能够真实反映针尖原子和材料表面原子间的互作用力 ,而成为表面科学研究中的重要工具。本文对聚合物ＰｔＢｕＡ薄膜进行了不同温度下原子力显微镜 (ＡＦＭ)表面形貌的实验研究 ,并用多重分形谱定量表征和比较了温度对聚合物薄膜表面形貌的影响。实验方法ＰｔＢｕＡ薄膜是用甩胶法制备的。聚合物的溶剂为甲苯 ,溶液浓度为 2 % ,旋转速率 6 0 0 0ｒ ｍｉｎ。刚制备的薄膜放在 1 2 0℃的真空炉中退火了一夜。薄膜厚度为 1 33ｎｍ。用ＳｅｔａｒａｍＤＳＣ 92系统在干燥的Ｎ2 气氛中以 1 0℃ ｍｉｎ的加热速度测得大块聚合物的…     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应改善超薄CoSi_2高温稳定性

本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄ＣｏＳｉ２膜的高温稳定性．采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Ｃｏ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｓｉ、Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ不同结构，在高纯氮气下进行快速热退火（ＲＴＡ），形成ＣｏＳｉ２薄膜．应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）进行测试．实验结果表明：ＴｉＮ覆盖层和Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的ＣｏＳｉ２薄膜的有效方法，有望应用于深亚微米接触和互连技术中．     

体硅、SOI和SiCMOS器件高温特性的研究

首先介绍了体硅 MOS器件在 2 5～ 30 0℃范围高温特性的实测结果和分析 ,进而给出了薄膜 SOI MOS器件在上述温度范围的高温特性模拟结果和分析 ,最后介绍了国际有关报道的Si C MOS器件在 2 2～ 4 50℃范围的高温特性。在上述研究的基础上 ,提出了体硅、SOI和 Si C MOS器件各自所适用的温度范围和应用前景     

GAT栅屏蔽效应二维解析模型

建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考。     

压电捷联惯导系统研究

探讨了用压电惯性器件构筑捷联惯导系统的技术途径。叙述了压电捷联惯导系统的结构及特点,分析并指出了惯性器件及系统的主要误差源,为压电陀螺和压电加速度计提出了一种系统级综合校正模型．给出了基于四元数的姿态及导航实时算法,对校正后的系统性能进行了仿真计算。结果表明,压电捷联惯导系统精度可以满足一些领域的导航与制导要求。对原理样机所做初步试验得到的结果优于仿真精度。     

声表面波器件温度敏感性研究

与内外应力一样,温度亦是影响声表面波器件工作性能的主要参数之一。文章分析了上前声表面波器件温度补偿的状况。利用波扰动方程分析研究了声表面波器件频率－温度敏感性与石英晶体各向异性参数之间的关系。从中得出石英晶体的高温度敏感和低温度第三物切型。实验验证取得了较好的效果。     

液晶物理

前言 为了满足广大读者的要求,帮助从事液晶学科研究、开发工作的科技人员学习液晶物理,提高专业知识水平,特将李伯符教授近期给中国科学院长春光学精密机械与物理研究所的硕士、博士生讲授的"液晶物理"在本刊连续发表.     

液晶显示技术的最新进展

液晶显示以其突出的优势成为平板显示领域的主导技术,在20世纪末的几年间迅速发展,以朝阳产业的势态跨入21世纪。为使LCD产品具有更优异的性能,进入更多的应用领域,近十年来,相关技术的研究开发工作一直十分活跃,本文概要介绍了近两年围绕产品性能的提高和部分新技术的应用所进行的研究和开发工作取得的进展。     

薄盒中液晶分子预倾角的测试方法

晶体旋转法是测试液晶分子预倾角的常用方法,但由于需要制备较厚的样品,使用上有很多不便。本文通过叠加一适当位相差,改进了晶体旋转测试液晶分子预倾角的方法,使用于测试较厚液晶盒中预倾角的系统在测试相当于产品厚度的样品时,保持了较高的测试精度。     

铁电半导体SnTe的晶格动力学

用刚性离子模型研究了铁电半导体ＳｎＴｅ的晶格动力学,计及电子屏蔽作用对长程库仑作用的修正,得到了光学模反常的色散关系。     

基于级联神经网络的人脸检测方法的研究

提出一处基于颜色信息与多级神经网络的人脸检测方法,通过把基于不同颜色分量的多级神经网络级联起来,采用彩色图像的亮度分量和色度分量作为级联神经网络的分类特征,从而有效提高了人脸检测的正确率,同时也加快了人脸检测速度。     

基于小波变换的彩色自然图像数据库自动检索

针对彩色自然图像数据库,提出了一种新的基于以帧包变的自动检索方法。该方法有效结合了纹理信息和颜色信息,克服了以往方法将低层特征孤立起来的缺陷,同时,图像检索过程以渐进的方式进行。本文方法无论在检索效率及检索准确率上都能获得好的效果。