一种制备8-羟基喹啉铝的新方法

用一种简单、高效的方法合成了8-羟基喹啉铝.通过核磁共振谱和紫外光谱,证明了铝参与了配位和8-羟基喹啉铝的存在.对得到的晶体进行X-射线晶体结构分析,其主要晶胞参数为单胞尺寸a=1.11882nm,b=1.32614nm,c=1.6701nm,β=94.011(10)°.V=2.4718nm3,Z=4,计算密度1.358mg/m3,吸收系数0.124 mm-1.在氯仿溶液中对Alq进行了单光子荧光测试,其发射峰在520nm处,对以Alq为电子传输层的器件进行性能测试,其EL最大发射峰在516nm,起始电压为3.0V,15V时的亮度为19458cd/m2.最大流明效率和最大电流效率分别为0.70lm/W和1.32cd/A.     

一种宽带隙吡啶酮衍生物的合成及荧光发光性能研究

设计、合成了宽带隙发深蓝光荧光的吡啶酮衍生物3,5-二甲基-6-腈基-2-(1H)-吡啶酮(DNPE),对其荧光特性进行了研究。通过红外光谱、核磁共振谱和元素分析确定了分子结构,并得到了其单晶结构:DNPE为三斜晶系,P-1空间群;a=0.39049nm,b=0.73288nm,c=1.2694nm;α=77.09°,β=89.16°,γ=89.40°;并进一步通过紫外-可见吸收光谱、循环伏安曲线、荧光发射光谱表征了材料的光学带隙和发光性能。结果表明,DNPE的光学带隙为3.52eV,在乙醇溶液中的紫外吸收峰主要为215,237,330nm;固体荧光最大发射峰为395nm,为宽带隙深蓝色荧光,而液体中最大发射峰为375nm,表明具有明显的溶剂化效应。分析显示3,5-二甲基-6-腈基-2-(1H)-吡啶酮的荧光量子产率为66.54%。此研究不仅拓宽了宽带隙蓝光荧光发射材料的种类,而且有望在要求更宽带隙的蓝光主体材料中发挥重要作用。     

2-(2-羟基苯基)苯并咪唑锌的合成及其光谱性能研究

合成了一种纯蓝的发光材料2-(2-羟基苯基)苯并咪唑锌(Zn(pbm)2),用元素分析、核磁共振、红外光谱、紫外-可见光吸收光谱、循环伏安曲线、原子力显微镜以及光致发光光谱、热重等表征了材料的结构、光学带隙、能带结构、成膜性能、发光性能以及热稳定性.实验结果表明,配合物具有较好的热稳定性;在DMSO溶液中Zn(pbm)2的紫外吸收峰波长为299、334、357nm;光学带隙为3.03eV.利用真空热蒸镀法可以得到均匀致密的Zn(pbm)2薄膜,其粗糙度为7.05nm.在365nm紫外光的激发下,产生发光峰在445nm附近,半高宽(FWHM)为81nm的纯蓝光发射.     

一种新型宽发射材料的合成及其光电性能研究

以2-噻吩甲醛、苯胺及方酸为原料合成了一种新型含噻吩基方酸菁衍生物的宽发射有机电致发光材料——1,3-二(苯基噻吩氨基)方酸(SQ),通过核磁共振、红外光谱和元素分析确定其分子结构。并研究了其光物理性能。研究发现,SQ薄膜的发射光谱位于517nm,半峰宽105nm。将其作为发射材料首次制备了结构为ITO/MoO3(3nm)/NPB(20nm)/SQ(15nm)/TPBi(27nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的发光器件,得到了峰位在520nm,半峰宽为132nm的宽发射光谱。利用其宽发射特性,进一步设计白光器件,其结构为ITO/MoO3(3nm)/CBP(23nm)/TPBi∶SQ(5%,15nm)/TPBi(27nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),此器件启亮电压为5V,最大亮度为124cd/m~2(at 13V),最大电流效率为0.12cd/A,CIE为(0.30,0.33)。结果表明,通过在TPBi主体材料中掺杂SQ,利用主客体材料之间发生能量不完全传递,可实现色饱和度好的白光发射。     

萘基/菲基双取代喹喔啉单体衍生二炔基-烷氧基苯共聚物的制备及光谱性质

以苯并噻二唑为初始原料,通过硝化、还原、缩合等反应合成了2种新型单体5,10-二溴-2,3,7,8-二萘基双喹喔啉(M1)和5,10-二溴-2,3,7,8-二菲基双喹喔啉(M2)。2种单体分别与1,4-二炔基-2,5-二氧十二烷基苯共聚,得到了2种新型共轭共聚物,聚(2,3,7,8-二萘基双喹喔啉-二炔基-2,5-二氧十二烷基苯)(P1)(产率86.1%)和聚(2,3,7,8-二菲基双喹喔啉-二炔基-2,5-二氧十二烷基苯)(P2)(产率41.6%)。所得单体通过红外光谱、核磁共振等进行了表征。单体和聚合物的紫外-可见吸收光谱中M1的最大吸收波长在339nm,354nm处出现。M2的最大吸收波长分别在304nm,317nm处出现双吸收峰外,在长波431nm,459nm处出现双吸收峰。P1的最大吸收波长在448nm处出现,在305nm和317nm处出现2个吸收峰。P2在短波处吸收峰分别在350nm,368nm处出现。单体荧光光谱图中分别在480nm和579nm出现最大发射峰。聚合物分别在487nm和478nm处出现最大发射峰。得到的共聚物通过X射线衍射发现结晶性较差。     

一类新型的D-π-A型偶极分子的合成及光学性能研究

以对甲基苯甲酸(p-methylbenzoic acid,简写为PMBA)为骨架,通过霍纳尔-沃兹沃思-埃蒙斯(HWE)反应合成了7个电子给体-π-电子受体(D-π-A)型有机双光子吸收(TPA)材料分子,化合物结构用核磁共振氢谱(1 H NMR)和质谱(MS-EI)进行了表征和分析;光学性质用紫外-可见(UV-Vis)光谱、荧光(PL)光谱进行了研究,结果发现,在5.0×10-6 mmol/L二氯甲烷溶剂中,各化合物的紫外最大吸收波长在368～396nm之间,而最大发射峰荧光发射波长位于489～525nm之间,发出较强的蓝光。是一类具有潜在应用的新型有机发光材料分子。     

空穴注入层MoO_3厚度对蓝绿色磷光OLED发光特性的影响

以mCP为磷光主体材料,BGIr1为蓝绿色磷光掺杂材料,MoO3为空穴注入材料,制备5种不同厚度的MoO3蓝绿色磷光有机电致发光器件(OLED),并研究不同厚度MoO3空穴注入层对蓝绿色磷光OLED发光特性的影响。所制器件结构为ITO/MoO3(x nm)/NPB(40nm)/mCP∶BGIr1(30nm,18%)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),其中18%为发光层中BGIr1的掺杂量(质量分数),x为空穴注入层MoO3的厚度。研究结果表明,本实验制备器件空穴注入层MoO3的最佳厚度为20nm。当电压为13V时,MoO3厚度为20nm器件获得最大亮度为8 617cd/cm2,当电流密度为20mA/cm2时,器件获得最大发光效率为5.7cd/A。器件在488和512nm处获得两个主发射峰,发光颜色稳定,CIE坐标为(0.19,0.21)。     

近紫外光激发的新型蓝色荧光粉SrZnO2：Bi^3＋的合成与发光性能

采用柠檬酸溶胶．凝胶法合成了SrZnO2：Bi^3＋和SrZnO2：Bi^3＋，M^＋（M=Li，Na，K）新型蓝色荧光粉。通过X射线粉末衍射、紫外-可见吸收光谱以及荧光光谱对样品进行了表征。结果表明，其激发谱是由位于250、365nm处的两个宽峰组成，该样品能有效吸收近紫外光。在不同波长的紫外光激发下，样品都发出较强的蓝色荧光，发射谱的峰形和峰位基本相同，最大峰位在455nm附近。SrZnO2基质中Bi^3＋的最佳掺杂浓度较低，仅为1．40％。共掺杂碱金属离子既能增强SrZnO2：Bi^3＋荧光体的激发和发射强度，也可以导致激发峰的劈裂。其中以共掺Li^＋离子的效果最好,SrZnO2：Bi^3＋，Li^＋能有效地吸收365-400nm的近紫外光，发射出较强的蓝光，是一种新型白光发光二极管用蓝色荧光粉。     

一种新型磷光铜(I)配合物及其高效绿光有机电致发光器件

研制出了一种新型的Cu(Ⅰ)配合物[Cu(DPEphos)(PyPPN)]BF4 (CuL1L2),其中二DPEphos和PyPPN分别表示(2-二苯基膦基)苯基醚和吡啶并[1′,2′∶2,3] 吡嗪[5,6-f] 1,10-菲罗啉,并制备了结构为ITO(20)/2-TNATA (20nm)/NPB(40nm)/CBP∶8% CuL1L2(30nm)/BCP(20nm)/Alq3(20nm)/ LiF(1nm)/ Al(100nm)的掺杂式有机发光二极管(OLED).掺杂式器件在530nm处有较强的金属配合物三重态的绿光电致磷光 (ELECTROPHOSPHORESCENCE,EPL)发射,最大亮度为2388cd/m2,在电流为0.1mA时,器件的最大电流效率达到11.4cd/A,据我们所知,该OLED器件的EL性能是目前报道Cu(Ⅰ)磷光配合物的EPL器件中最高的.     

含2-异丙基氨基-4,6-二(3,4-乙撑二氧噻基)-1,3,5-三嗪π-共轭聚合物的合成及性能

以二价钯配合物作为催化剂,将2-异丙基氨基-4,6-二(2′-溴-3,4-乙撑二氧噻基)-1,3,5-三嗪分别与1,4-二乙炔基-2,5-二辛氧基苯、1,4-二乙炔基-2,5-二(十二烷氧基)苯、2,7-二(4,4,5,5-四甲基硼烷基)-9,9-二辛基芴交替共聚合成了3种π-共轭聚合物P1,P2和P3。经傅里叶变换红外光谱、氢核磁共振谱、紫外-可见光谱、荧光光谱、循环伏安法、X射线粉末衍射和凝胶渗透色谱等测试手段对其进行了表征,并对聚合物在CHCl3溶液的酸致变色行为进行了研究。结果表明,得到的聚合物在CHCl3中的紫外-可见最大吸收波长分别在443nm和431nm处出现。在CHCl3溶液中聚合物P1,P2和P3最大发射峰分别位于507nm,511nm和543nm,其聚合物薄膜的最大发射波长分别为573nm,557nm和559nm。与P1和P2相比,P3的酸致变色敏感性高于2个数量级。聚合物P1和P2均在-2.0~0V出现n-掺杂峰。聚合物X射线衍射谱图显示聚合物均有一定的结晶性。