大尺寸6H-SiC半导体单晶材料的生长

报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出φ45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为10³cm^-2,位错密度约为10⁴～10⁵cm^-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω·cm,迁移率90cm2V^-1S^-1,载流子浓度在10¹⁴cm^-3量级.     

Sr2+:α-BBO单晶的性能和缺陷研究

采用提拉法生长了质量优异的掺Sr^2 的α-BBO晶体，XRD结果证实所制备的晶体为高温相，透过率及双折射率分析显示掺Sr^2 不影响α-BBO晶体的光学性能，DSC-TG分析及热膨胀系数的测量表明Sr^2 的掺入对其热学性能的影响不大，同时还对晶体的缺陷进行了初步的研究，研究显示籽品的完整性是影响晶体质量的重要因素。     

汽车用金属基复合材料

高的强度／重量比、改善的机械性能和热学性能以及强适应能力使金属基复合材料（MMCs）对汽车工业颇具吸引力，微粒强化MMCs，如铝合金掺入SiC微粒尤其吸引人，其原因在于其低成本、相对均质性以及与纤维强化材料相比更易于加工。     

用两种四探针方法测量硅单晶片边缘电阻率及其结果的比较

本文简述了两种四探针方法测量硅单晶样片边缘电阻率的优缺点，及测量结果的比较，突出了双电测四探针方法的测量优点。     

科学家发明无干扰测量纳米材料张力新方法

德国和西班牙两国科研小组合作,利用红外线纳米近场显微镜发明了一种无干扰检测纳米半导体材料张力的新方法,这一新方法为科学家研究半导体材料的物理性能,以及测量纳米级半导体元器件的性能提供了新的可能。     

中国半导体硅（多晶、单晶）材料发展60年

能源、信息、材料是人类社会的三大支柱。半导体硅（多晶、单晶）材料则是电子信息产业（尤其是集成电路产业）和新能源、绿色能源硅光伏产业的主体功能材料,硅材料的使用量至今仍然占全球半导体材料的95％以上,是第一大电子功能材料,且早已是一种战略性的物资和产业。半个世纪以来,美、日、德等国的10大公司一直垄断着半导体硅材料的技术、市场及售价,对我国进行封锁,严重地制约着我国现代化的进程。     

在泡沫碳化硅衬底上生长的硅镜

美国Schafer公司开发出一个化学气相沉积工艺，利用该工艺可在泡沫碳化硅衬底上生长硅镜。这项课题是由美国导弹防御局资助的。其核心以连续的、强化的硅外壳包裹，从而提高了结构强度和热学性能，与此同时成本得以降低还减轻了重量。老工艺为了减轻重量，采用将支撑结构材料除去的办法。     

电子材料

我国研制成功3英寸碳化硅单晶；全球第二大LED厂商落户厦门；住友电木CEM-3从静冈移至澳门生产；松下广州工厂扩产；旭硝子量产具有低介电率特性的氟绝缘材料。     

纳米线可用来制造发光材料

目前，用半导体材料制成的纳米线被用来制造激光器和发光二极管原型机，它们的发光孔直径只有100nm，比传统设备小50倍。纳米光源在很多领域都有应用，包括检验化学和生物试剂的生物芯片、用于成像的扫描探测显微镜、激光外科手术和电子制造业中的超精密工具。     

ZnO氧化物的电子结构与热学性能的研究

采用密度泛函理论基础上的平面波超软赝势第一性原理计算的方法研究了纤锌矿结构热电氧化物ZnO的电子结构和热学性能。电子结构计算结果表明,纤锌矿结构的ZnO存在着约1.0eV的直接带隙,价带中的载流子有效质量较大,导带中的载流子有效质量较小;靠近价带顶的能带中的电子主要为p态电子,靠近导带底的能带中的电子主要为p,d态电子。体系分态密度计算结果表明,费米能级附近的能带主要由Znp,Znd和Op态电子构成,且Znp和Op态电子之间存在着很强的杂化作用。声子态密度及分布计算结果表明,体系晶格振动频率主要集中在3～10THz和10～12THz范围之内,其中振动频率约为11THz的振动模式在体系中数量较多,主要为光学波声子。热电性能理论分析结果表明,ZnO基热电氧化物应该具有较高的Seebeck系数和热电性能。     

晶须补强增韧熔石英材料的热学性能

用热压烧结方法制得致密的SiCw/SiO,Si3N4w/SiO2复合材料,研究了材料的热膨胀,抗热震,抗烧蚀等性能,探讨了晶须补强增韧熔石英材料用于航天防热材料的可行性。     

合成复合氧化物单晶纳米材料的新方法

山尔大学的刘宏教授、重庆大学的胡陈果教授和中同同家纳米科学中心海外主任、北京大学工学院先进材料和纳米技术系主任王中林教授近日在合作研究中共同发明了一种合成复合氧化物单晶纳米材料的新方法：复合氢氧化物溶剂法。该研究是他们共同合作在美国佐治亚理工学院王中林教授的实验室完成的。他们的方法以熔融的混合碱作为合成介质，以价格低廉的无机盐和氧化物为合成原料，在低于200℃的温度下和常压下进行溶液反应，合成了多种应用于铁电、铁磁、巨磁阻、压电、燃料电池及半导体的复合氧化物一维和零维单晶纳米材料，为研究功能性氧化物的纳米级科学和技术开辟了一条具有重大商业应用前景的新方向。     

含镍碳化硅纤维的制备及其电磁性能Ⅱ.含镍碳化硅纤维的电磁性能

研究了含镍碳化硅纤维的电阻率和复电磁参烽。随着烧成温度和纤维内镍含量的提高,陶瓷纤维的电阻率下降,复电磁参数均增加。陶瓷纤维内的游离碳是影响纤维电阻率的主要因素。这种纤维与环氧树脂复合制成的结构吸波材料对雷达波具有良好的吸收。     

半导体信息功能材料与器件的研究新进展

首先简要地介绍了作为现代信息社会基础的半导体材料和器件极其重要的地位,进而同顾了近年来半导体光电信息功能材料,包括半导体微电子、光电子材料,宽带隙半导体材料,自旋电子材料和有机光电子材料等的研究进展,最后对半导体信息功能材料的发展趋势做了评述.