发光二极管

发光二极管的优点是:可靠、成本低、亮度高、可与低压集成电路直接配用。发光二极管实质上是一种电发光器件。固体中光的发射是由于所产生的浓度大于热平衡条件的电子和空穴的辐射性复合。电发光器件可分为两类,一类为同质结器件,另一类为异质结器件。同质结器件指单晶体p-n结,复合发生于结内。若半导体二极管用价电子带和导电带之间的禁带宽度适宜的材料制成,它发射可见光。异质结器件结的形式较为复杂,在异质结中结的各侧成分不同。有的是两种半导体材料之间的p-n结,有的则是金属/半导体或金属氧化物/半导体结结构。发光二极管实质上是一种由少数载流子注     

采用光生伏特效应的LED芯片在线检测方法研究

基于pn结的光生伏特效应,本文研究了一种非接触式LED芯片在线检测方法.通过测量pn结光生伏特效应在引线支架中产生的光生电流,检测LED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间的电气连接状态.通过分析pn结光生伏特效应的等效电路,详细论述了半导体材料的各种参数及等效电路中各电参数与支架上流过的光生电流的关系.实验对各种不同颜色的LED样品进行了测量.研究表明,该方法可以实现LED芯片的在线检测,有较大的应用价值.     

可在高温条件下工作的压力传感器

一、引言 扩散硅固态压力传感器,由于体积小、重量轻、精度高、动态响应快而广泛使用于宇航、化工、气象、水文、航海和工业系统中。但是由于这种传感器是采用扩散法,在半导体衬底上做电阻,采用p-n结隔离,故     

国外半导体光电传感元件概况

一、概述早在1931年,德国的贝尔格曼(Bergman)和巴特莱(Bartlett)利用金属和半导体的接触光电效应,制成了硒积层光电池,这是半导体元件用在光测量方面的第一个元件。它很快地就用到照相曝光测量方面,并用来制作反光式电气曝光表及其它的仪器仪表。同时,     

非晶硅光传感器及其应用

非晶硅光传感器所谓非晶硅,实质上硅原子在很小的范围内仍然是有规则的共价键结合着。它不象单晶硅那样,一块整体都是基本无大缺陷的整齐的晶体,所以非晶硅的制造方法比较简单,一般可以由硅烷气体通过辉光放电法直接制成,也可以象制造单晶硅的杂质半导体一样在原料中掺入三价或五价的元素来形成P型或N型半导体硅。非晶硅光传感器比历来常用的单晶硅或硫化镉等半导体传感器具有下述的优点:     

光电耦合传感器在多参量测试中的应用

本文根据硅光电池的机理,并根据实验现场的条件做成光电耦合式传感器。解决了用计算机在多通道同时测定动态信号时同步启动的问题。     

用形状记忆合金制造的微型转动执行元件

引言一个控制系统应包括电子电路,执行元件,传感器三大部分。由于半导体集成电路工艺的发展,首先完成了电子电路的小型化。80年代初,开始研究半导体传感器,十年的研究,基本上完成传感器的小型化。而执行元件的小型化是最后开始研究,起步较晚的,目前利用压电原理可以做成线性运动的执行元件,而且这个执行元件可以和传感器电子电路集成在一块基片上。本文介绍一种用形状记忆合金(Shape Memory Alloy简称SMA)制造的微型转     

石墨烯纳米结构中负微分电阻效应研究

由于石墨烯具有高电子迁移率的特性,可以用来制备高频电子器件。利用传输矩阵方法,对石墨烯p-n结及方形势垒纳米结构中的负微分电阻效应进行了研究。证实了石墨烯p-n结中负微分电阻现象比传统半导体中的幅度要小,石墨烯中Klein隧穿过程的存在使负能量范围内的空穴对电流产生影响。石墨烯纳米方形势垒中发生负微分电阻效应的位置在费米面附近,势垒宽度越大,对载流子的阻挡越大,负微分电阻效应越明显。     

微型执行元件

引言自动控制系统包括传感器,控制电路和执行元件三大部份。由于半导体集成电路和半导体传感器技术的逐渐成熟,使这两大部份可以做得很小,而且还可以集成在一块硅片上。于是提出了“如何突破传统的执行元件原理,研制出小型化的执行元件”。目前已提出三种小型化执行元件原理: (1)压电型执行元件:利用压电材料,加上交变电压后,产生线性运动。这已在小型化的往复式压力泵上作为活塞使用。 (2)利用形状记忆合金做成的微型马达:它可以产生旋转运动,已运用在人造手指的手关节中,使人造手指和人手指一样有三个活动腱。 (3)热气动执行器:利用电阻加热某腔体中气体,使腔中压力改变,从而偏转硅薄膜制成的腔体壁,产生线性运动。这运动着的薄膜可代替活塞。使用压电型执行元件,     

关于发展我国传感器技术的几点看法

一、我国传感器技术现状及存在的问题我国传感器的研制和生产,始于五十年代初期,当时主要以仿制苏联的机械式或机电式传感器为主。五十年代末出现了第一只半导体热敏电阻,随后又研制出硒光电池。六十年代先后试制了应变计、霍尔元件、离     

用半导体颜色传感器检测空气中缺氧情况

一、前言在频谱和颜色测量中,往往需要大型和复杂的仪器。然而人们对传感器的要求是必须体积小,可靠性高而且价格便宜。一种半导体颜色传感器已由sharp提出。这种传感器体积小,原理简单,而且很容易分辨颜色。在日本,冬天屋内通常用煤气加热器,煤炉加热器和石油炉。当煤气炉或石油炉在通风不良的房间中使用较长时间时,房间     

GaP LPE半导体材料的扫描电子显微镜研究

本文论述了用扫描电子显微镜研究GaP LPE半导体材料,二次电子像用于分析样品的表面形貌,电子束感生电流像(EBIC)用于显示p-n结的位置,定量EBIC用以确定少子扩散长度和表面复合速度等重要参量。     

超导光传感器

美国斯坦福大学开发了一种光学望远镜用的光传感器。它利用超导状态的钨制成。是利用光接触到钨的温度就稍微升高、电阻增大的性能来探测光子。可以用来计算以前 CCD传感器和感光薄膜等观测方法计算不出的光子能量。因为也能探测光向红外侧的偏移 ,所以也能晓得所观测到的天体的距离。是获取不断膨胀的宇宙大小的有效方法。这种传感器可用于 X射线照相的高灵敏度化和特定半导体电路的表面污染位置 ,还可用于医疗和半导体产业领域。超导光传感器     

能缩短探测周期的CO气体探测仪

用锡氧化物半导体可做成CO气体传感器。对它的敏感元件周期性地加热,就能够使它保持对CO气体的高灵敏度。如果在这种敏感元件的上面加上一种活性炭过滤器,那么CO气体将优先被探测出来。本文介绍了采用Z—80单板机的探测仪。     

差压式蒸汽流量计

差压式蒸汽流量计与过去的透平式或涡式流量计相比,它是在流程途中安装节流孔板检测其两端差压进行计量的仪表。对于它来说,需要高精度测量微小压力,有长期稳定性,而且要有价格低廉的差压传感器。最能满足这一条件的首先就是用半导体压力传感器做成的蒸汽流量计DAIWA。特点:     

二维半导体异质结光催化分解水制氢研究

日益严重的环境污染和能源紧缺问题使人们开始研究可有效水解析氢的光催化剂。其中二维(2D)半导体光催化剂因其出众的比表面积而极具应用前景。为了克服光生电荷寿命短的关键问题,2D范德华(vd W)半导体异质结因其作为光催化剂时所展现的分离光生电子和空穴的强大能力而被广泛研究。总结了以vd W异质结为代表的2D水分解制氢光催化剂的最新研究。在论证了光催化水分解的氧化还原反应的基本原理之后,讨论了许多具有代表性的2D vd W异质结,并从理论与实验角度突出了基于过渡金属二卤化物(TMDs)和磷烯异质结作为光催化剂的研究及该研究领域中的机遇与挑战。介绍了2D vd W异质结在光催化剂中的应用,为提高水分解产生氢的效率提供了新的思路。     

日本光纤、家用温度传感器的动向及气敏传感器的应用

一、光纤传感器随着技术革命的兴起,传感器已成为与微型计算机具有相同地位的重要技术工具。国际上许多科学家与实业家把八十年代称为“传感器时代”。当前,传感器的研制工作十分活跃。为了促进我国传感器技术的发展,本文着重介绍日本光纤与家用温度传感器的动向及气敏传感器的应用。应用光的干涉、衍射、偏光、反射、吸收及发光等特性的光测技术,作为非接触、高速、高精度的检测手段,自1960年发现激光以来取得了飞速进展。最近,为了将低损耗的光纤及半导体发光元件引入各种光学测量,已做了大量研究工作。光纤测试技术民的最大优点是:探头可以逼近但又不触及被测对象,可在高压、强磁场、爆炸性气氛等恶劣     

集成霍尔传感器

集成霍尔传感器一般做成硅集成电路型式,用作自动化技术中的测量元件。但是,用硅单晶制做的霍尔传感器在许多性能方面比不上A~ⅡB~Ⅴ族化合物的模拟器件,如灵敏度、快速性、线性度、温度稳定性、噪声级、工作温度区宽度等特性均较差。A~ⅡB~Ⅴ族薄膜型半导体霍尔元件是最有发展前途的,可是用A~ⅡB~Ⅴ族半导体只能做成简单的分立器件,不能制得相应的集成电路。为此,希望得到这样一类集成磁敏器件,它们兼有A~ⅡB~Ⅴ族半导体霍尔传感器和硅集成电路二次转换器的综合功能。这类     

光阀式位置传感器及其性能分析

本文依据硅光电池的外部特性，提出了一种新型光电式位置传感器－－光阀式位置传感器。对这种传感器的性能及其影响因素进行了分析，分析结果表明这种传感器具有较高的分辨率，优良的线性，非常宽的频带，极小的时漂和温漂，以及输出没有载波干扰，是一种综合性能优良的位置传感器，最后，给出了有关的实验结果。     

碳化硅PN结温度传感器

近年来,PN结测温技术发展很快,硅PN结测温传感器在国际市场上已商品化。但硅PN结测温上限只能达到200℃。为了提高测量上限,机械工业自动化所研制成功一种碳化硅(SiC)PN结温度传感器,并由东风电热元件厂投入生产。碳化硅是一种耐高温的半导体材料,化学性质非常稳定,在空气中800℃以下不氧化、2000℃以下不发生明显的分解。用这种材料制作的温度传感器,测温范围可达到0～500℃。与热电偶、金属电阻及热电阻比