Co－Si界面低温（≤450℃）相变的电子显微术研究

本文用透射电镜的衍射方法，研究Ｃｏ薄膜和衬底之间的界面的低温相变．用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变．在２５０℃，Ｃｏ２Ｓｉ为最先形成的硅化物；２５０℃３０分钟处理后，产生大量的ＣｏＳｉ相．４５０℃１小时处理形成单相的ＣｏＳｉ．从本实验结果与前人研究结果对比发现：观察手段、样品制备方法、镀膜方法等因素会影响低温相变结果．     

Al66Fe9Ti25合金室温解理面的EBSD分析

许多Ll2结构三铝化物的室温断裂研究来看，绝大部分是穿晶解理，这种穿晶解理断口是由取向各异的解理刻面所组成。研究这类合金在室温下穿晶解理断口的解理刻面晶体学取向对研究合金的脆性本质具有重要意义，它不仅可将合金的断裂与解理能联系起来，而且有助于分析合金解理裂纹的萌     

高温超导体Bi2Sr2CaCuO8＋δ单晶解理面的AFM研究

用ＡＦＭ在室温和大气下对高温超导体Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（Ｂｉ２２１２）单昌是面的形貌和结构进行了系统的研究，观测到解理面绝大部分是原子级平滑的晶面。在晶面的边缘观测到高度为结构单元整倍数的台阶，这与该晶体是以层状模式生长的机制相一致的。进而证明了解理位置和解理分布。在解理面的局部区域，以高度为１．２５ｎｍ，面积的为０．０５μｍ的平台。Ｘ－射线微区分析证明这些小平台正是在Ｂｉ２２１２单晶生     

高温超导体Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶解理面的AFM研究

用ＡＦＭ在室温和大气下对高温超导体Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（Ｂｉ２２１２）单晶解理面的形貌和结构进行了系统的研究。观测到解理面绝大部分是原子级平滑的晶面。在晶面的边缘观测到高度为结构单元（ｃ／２）整倍数的台阶，这与该晶体是以层状模式生长的机制相一致的。进而证明了解理位置和解理分布。在解理面的局部区域，观测到高度为１．２５ｎｍ，面积约为０．０５μｍ２的平台。Ｘ－射线微区分析证明这些小平台正是在Ｂｉ２２１２单晶生长中常存在的少量Ｂｉ２２０１相。我们的研究表明ＡＦＭ不但在研究高温超导体单晶的形貌特征方面有重要用途，而且在对晶体的质量进行分析和结构特征研究中也有重要应用。     

载货汽车轮毂爆裂原因的微量物证分析鉴定

随着中国经济的蓬勃发展，载货汽车已成为运输的主要工具，在利益的驱使下超载事故屡见小鲜。该文针对某载货汽车在行驶过程中，由于超载导致其右后车轮毂爆裂进行分析。通过外观检查、断口宏微观观察等技术手段，发现轮毂断口处存在大量河流状解理断裂，轮辐处同样存在大量河流状解理断裂。说明该载货汽车轮毂爆裂是由于严重超载及拆卸轮胎前已存在的轮辋断裂等原因造成的。其失效性质为脆性断裂、塑性断裂。     

国产操作系统COSIX和国产系统软件平台COSA

介绍了国产操作系统ＣＯＳＩＸＶ１．２和ＣＯＳＩＸＶ．２０国产系统软件平台ＣＯＳＡＶ１．０。ＣＯＳＡＶ１．０由国产操作系统ＣＯＳＩＸＶ１．２，国产网络系统ＣＯＮＥＴＶ１．０，国产数据库管理系统ＣＯＢＡＳＥＶ１．０以及国产编程软件Ｃ、Ｃ＋＋、ＦＧｏｒｔｒａｎ９０等构成。ＣＯＳＩＸＶ１．２遵循国际法标准ＰＯＳＩＸ．１、工业标准ＸＰＧ３，与主流ＵＮＩＸ系统ＳＶＲ４二进制兼容。ＣＯＳＩＸＶ２．０是基于微内核     

小鼠精母细胞粗线期染色体SC长度和组型研究

用整装微铺开和银染技术，在电镜下分析测量了３２个小鼠精母细胞粗线期染色体的联会复合体（ＳＣ）长度。１９个常染色体ＳＣ的总长度平均为１４７．８μｍ，ｘ、ｙ染色体轴平均长度分别为１２．５和５．４μｍ。处于粗线期不同阶段的ＳＣ长度变化较大，中粗线期与早晚粗线期ＳＣ长度的差异最大可达２倍以上，但它们的相对长度则比较稳定。粗线期ＳＣ长度约是有丝分裂中期染色体的３倍，两者具有很好的相关性（ｒ＝０．９９６）。ｘ     

离子／电子混合导体CuxMo6S8—y的性能研究

本文通过对工艺条件的控制，获得了铜系混合导体材料Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ７．７，Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ８．０及Ｃｕ４Ｍｏ６Ｓ８．０Ｘ射线衍射线相分析表明为Ｍｏ６Ｓ８结构的单相，并采用分析化学方法对其化学计量进行了分析。     

a－S1∶H CCD的转移特性分析

本文从ａ—Ｓｉ∶Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ—Ｓｉ∶Ｈ带隙态分布模型计算了ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ—Ｓｉ∶Ｈ材料参数对ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的动态特性影响的数值分析结果．理论结果表明，ａ—Ｓｉ∶Ｈ材料带隙中的局域态分布对ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的转移特性有非常大的影响．而且在高频下，ａ－Ｓｉ∶Ｈ中的带尾态对ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ转移特性的影响比深局域态要大．     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极的速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主。因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ技术显得愈发相似。本文例举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点，ＢｉＣＭＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍有增加，但其性能提高一倍。     

Co／Ti／Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜

研究采用Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应的方法生长外延ＣｏＳｉ２薄膜．通过选择适当的热处理条件，采用多步退火，在Ｓｉ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上均成功获得外延ＣｏＳｉ２薄膜．实验用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ等测试技术分析ＣｏＳｉ２薄膜外延特性，得到的ＣｏＳｉ２薄膜的ＲＢＳ／ｃｈｎｎｅｌｉｎｇ最低产额Ｘｍｉｎ达到１０－１４％．实验对ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１１１）样品，分别沿Ｓｉ衬底的＜１１０＞和＜１１４＞晶向进行背散射沟道测量．结果发现，沿Ｓｉ＜１１０＞晶向得到的ＣｏＳｉ２背散射沟道产额显著高     

基于MOCCs的电流模式滤波器

本文提出了一种多输出电流传送器（ＭＯＣＣＳ）的改进ＣＭＯＳ实现，并以此对无源ＲＬＣ梯形网络进行模拟，获得一种新的电流模式滤波器结构，它们比用ＣＣⅡＳ实现的同类型滤波器节省一半有源器件。此外，还分析了ＭＯＣＣＳ的高频非理想特性及补偿方法，最后给出了截频为１ＭＨｚ、０．５ｄＢ波纹的五阶全极点低通滤波器和截频为２．４ＭＨｚ、０．１７３ｄＢ波纹的三阶椭圆滤波器实例，并经１．２μｍＣＭＯＳ工艺参数仿真证实     

UCDOS5．0简介

ＵＣＤＯＳ５．０简介鲍岳桥ＵＣＤＯＳ５．０是希望公司推出的又一个ＤＯＳ中文平台，它在原来ＵＣＤＯＳ３．１的基础上做了进一步的改进和完善，并增加了一些实用的工具。下面对ＵＣＤＯＳ５．０的性能和特点做一简单介绍。一、增强了易用性１．更易于安装──ＩＮＳＴ...     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主，因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ的技术显得愈发相似。本文列举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点。ＢｉＣＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍高但其性能提高一倍。     

CMOS SRAM存储单元研究

阐述了采用１．０μｍ ＣＭＯＳ技术制作的２５６ｋ ＳＲＡＭ的存储单元。论述了存储单元的性能在ＣＭＯＳ ＳＲＡＭ中的重要性，分析了存储单元的工作原理，结构和主要参数性能。文章对几种类别的ＣＯＭＳ ＳＲＡＭ存储单元进行了分析比较，推测了技术发展趋势。     

1．8GHz下功率密度为2．8W／mm的4H－SiC MES FET

１．８ＧＨｚ下功率密度为２．８Ｗ／ｍｍ的４Ｈ－ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ据《ＩＥＥＥＥ．Ｄ．Ｌ．》第１５卷第１０期报道，ＣｈａｒｌｅｓＥ．Ｗｅｉｔｚｅｌ等已研制成一种４Ｈ－ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ。采用４Ｈ－ＳｉＣ是由于它比６Ｈ－ＳｉＣ高出两倍的电子迁移率。器件的...     

Co、Ti／Si_（1－x）Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究

本文首次研究金属Ｃｏ与分子束外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ单晶薄膜快速热退火（ＲＴＡ）固相反应，并对比了ＣＯ、Ｔｉ与ＳｉＧｅ固相反应时不同的反应规律实验采用ＲＢＳ、ＡＥＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测．实验发现，Ｃｏ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０，２在６５０℃热退火后形成组分为Ｃｏ（Ｓｉ０，９Ｇｅ０．１）的立方晶系结构，薄膜具有强烈择优取向；９００℃处理温度，有ＣｏＳｉ２形成，同时Ｇｅ明显地向表面分凝．ＴｉＮ／Ｔｉ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２固相反应时，８５０℃处理可以形成Ｔｉ（Ｓｉ１－ｙＧｅｙ     

采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路

本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路．理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近的条件下，具有更大的驱动能力，尤其在较低的工作电压下，其特点更加突出．我们用统一的标准和相同芯片面积设计了３９级带负载的ＢｉＣＭＯＳ和ＣＭＯＳ环形振荡器．实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试，表明在相同工作电压下ＢｉＣＭＯＳ优于ＣＭＯＳ．若两种电路都采用ＳＯＩ结构，预计ＢｉＣＭＯＳ可以获得更好的结果     

HCMOS触发器的应用

ＨＣＭＯＳ触发器的应用曾庆贵触发器是ＨＣＭＯＳ７４系列中很重要的一类，具有较多的品种．ＨＣＭＯＳ触发器包括Ｄ触发器和ＪＫ触发器，如表１和表２所示．亦Ｉｎ凶会回ＨＣＭＯＳ７４系列的触发器电路也是主、从触发器结构，其电路图和工作原理与ＣＭＯＳ４０００系列...     

电力器件用的6H－SiC、3C－SiC和Si的比较

为了实现５０～５００Ｖ的击穿电压范围，本文详细讨论了６Ｈ－ＳｉＣ和３Ｃ－ＳｉＣ肖特基整流器和功率ＭＯＳＦＥＴ的漂移区性质。利用这些数值计算了器件的输出特性，并与Ｓｉ器件做了比较，结果表明，由于其漂移区电阻非常低，故５０００ＶＳｉＣ肖特基整流器和功率ＭＯＳＦＥＴ在室温下能够处理１００Ａｌｃｍ￣２的导通电流密度，正向压降仅分别为３．８５和２．９５Ｖ。这些数值甚至优于Ｓｉｐｉｎ整流器和门可关断晶闸管。这种ＳｉＣ器件由于没有少于结，故可期望有优良的开关特性和坚固耐用性。此外，还基于峰值结温极限是由封装考虑来确定的观点，报道了热学分析结果。应用这种分析发现，５０００Ｖ的６Ｈ－ＳｉＣ和３Ｃ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ和肖特基整流器将比相应的Ｓｉ器件大约小２０和１８倍。对ＳｉＣ的热学分析表明，这些器件能在比常规Ｓｉ器件高的温度和击穿电压下工作。还有，在管芯尺寸上也期望有明显的减少，这将会补偿其材料成本较高的不足。本文报告的分析结果对ＳｉＣ功率器件的制造将会起到强大的推动作用。