用GaAs单片电路形成的高性能W波段集成振荡源组件

用ＧａＡｓ单片电路形成的高性能Ｗ波段集成振荡源组件ＨＢＴＭＭＩＣ介质谐振器振荡器（ＤＲＯ）由于稳定性和相噪性能良好而受到微波和毫米波稳定振荡源的青睐。然而，Ｋａ波段以上的ＨＢＴＤＲＯ却少有报道。据《ＩＥＥＥＭ．Ｇ．Ｗ．Ｌ．》１９９４年第７期报道，Ｔｈ...     

InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡－倍频链

本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针书信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为—１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。     

InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡—倍频链

本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针将信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为－１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。     

采用图像抑制有源HEMT混频器的60 GHz MMIC下变频器

采用图像抑制有源ＨＥＭＴ混频器的６０ＧＨｚＭＭＩＣ下变频器（ｌＥＥ１９９４ＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＭＭ．Ｗ。Ｍｏｎｏｌ．Ｃｌｒｃ．Ｓｙｍｐ．）报道，日本ＴａｍｉａＳａｉｔｏ等用ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ工艺技术设计、制作出一种Ｖ波段单片下变频器。...     

W波段多功能MMIC

Ｗ波段多功能ＭＭＩＣ据《ＩＥＥＥ１９９４ＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＭｉｌｌｉｍｅｔｅｒ－ｗａｖｅＭｏｎｏｌ．Ｃｉｒｃ．ＳｙｍＰ．）报道，美国通信卫星实验室的Ｈ．Ｃ．Ｈｕａｎｇ等在同一块芯片上用两种不同的材料研制成一种新的９４ＧＨＺ多功能ＭＭＩＣ。该电路...     

多芯片MMICC波段T／R组件

多芯片ＭＭＩＣＣ波段Ｔ／Ｒ组件钱万成（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｍｕｌｔｉ－ＭＭＩＣＣ－ＢａｎｄＴ／ＲＭｏｄｕｌｅｓ￥ＱｉａｎＷａｎｃｈｅｎｇ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，２１００１６）研制的Ｃ波段固态...     

高效94GHz0.15μm InGaAs／InAlAs／InP单片功率HEMT放大器

介绍了采用栅长为０．１５μｍ的钝化Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ／ＩｎＰＨＥＭＴ的高效Ｗ波段功率单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）。０．１５×３２０μｍ单级ＩｎＰ功率ＨＥＭＴＭＭＩＣ放大器在９４ＧＨｚ时的最大功率附加效率为２３％，输出功率为４０ｍＷ，功率增益为４．９ｄＢ。当电源偏置成更高的输出功率时，在９４ＧＨｚ处可得到功率附加效率为２０％的５４ｍＷ的输出功率。这些结果表明，在此频率下，这样的效率和输出功率是迄今为止所有报道中最佳的。     

用共面波导技术制成的V波段和W波段商用高性能MMIC

用共面波导技术制成的Ｖ波段和Ｗ波段商用高性能ＭＭＩＣ据（ｌＥＥ１９９４Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ＆Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ－ｗａｖｅＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＣｉｒｃｕｉｔＳｙｍｐ．）报道，欧洲邮政总代理处（ＣＥＰＴ）已将两个频段划归交通控制部门专用。６３～６４ＧＨＺ...     

X波段输出功率2W GaInP／GaAsHBT

Ｘ波段输出功率２Ｗ　ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ据（（Ｍｉｃｒｏｗａｖ＆ＲＦ））１９９４年第４期报道，ＡＩＧａＡｓ是ＧａＡｓ为基底的ＨＢＴ发射区选用的材料。而ＧａｌｎＰ发射区具有以下特性：最高振荡频率超过１００ＧＨｚ，大于１００的高电流增益。据报道，已...     

小型GPS译码器组件

小型ＧＰＳ译码器组件据《１９９５ＩＥＥＥＭＴＴ－ｓＤｉｇ．》报道，Ｊ．Ｓｍｕｋ等设计研制成一种由７块ＧａＡｓ单片构成的小型环球卫星定位系统（ＧＰＳ）译码器组件。该组件能够将Ｃ／Ａ编码的Ｌ１ＧＰＳ信号译成２２００～２２９０ＭＨｚ的遥测波段，主要用于跟踪...     

OEIC光接收机研究的湿法选择腐蚀

试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现ＩｎＡｌ（Ｇａ）Ａｓ：ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ：ＩｎＡｌＡｓ的选择腐蚀,达到了较好的效果,且工艺重复性好。同一单片上ＭＳＭ光探测器的光响应度可达到０．５Ａ／Ｗ,ＨＥＭＴ器件最大跨导为３０５ｍＳ／ｍｍ,最大饱和电流密度为３５０ｍＡ／ｍｍ。完成了实现ＯＥＩＣ光接收机的关键一步。     

120 GHz InGaAs／InAIAs／InP HEMT LNA

１２０ＧＨｚＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡＩＡｓ／ＩｎＰＨＥＭＴＬＮＡ在雷达、辐射计、遥感和成象等系统的应用方面，Ｄ波段（１１０～１７０ＧＨＺ）高性能接收机的发展有着重要意义。据《ＩＥＥＥＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＧ．Ｗ．Ｌ．）｝１９９４年第６期报道，Ｒ．Ｌａｉ...     

控制场效应晶体管（CFET）──一种新型的MMIC控制器件

控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）──一种新型的ＭＭＩＣ控制器件据《ＩＥＥＥ１９９５Ｍ．＆ＭＭ．Ｗ．Ｍｏｎｏｌ．Ｃｉｒｃ．Ｓｙｍｐ》报道，ＤａｖｉｄＪ．Ｓｅｙｍｏｕｒ等研制成一种微波单片控制电路用的新型ＧａＡｓ器件──控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）。为了降低...     

OEIC光接收机研究的湿法选择腐蚀

试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现ＩｎＡｌ（Ｇａ）Ａｓ∶ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ∶ＩｎＡｌＡｓ的选择腐蚀,达到了较好的效果,且工艺重复性好。同一单片上ＭＳＭ（金属－半导体－金属）光探测器的光响应度可达到０．５Ａ／Ｗ,ＨＥＭＴ器件最大跨导为３０５ｍＳ／ｍｍ,最大饱和电流密度为３５０ｍＡ／ｍｍ。完成了实现ＯＥＩＣ光接收机的关键一步。     

新结构高性能In_（0．3）Ga_（0．7）As／In_（0．29）Al_（0．

新结构高性能Ｉｎ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／Ｉｎ_（０．２９）Ａｌ_（０．７１）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ研究证明，ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ的结构优于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和习用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ。在ＧａＡｓ上制备的赝配结构ＨＥＭＴ（ＰＭ－ＨＥ...     

双频段应用的毫米波倍频一放大器组件

本文介绍用变阻模式肖特基二极管制作的宽频带倍频器和由Ｋａ波段ＧａＡｓＭＭＩＣ放大器芯片组成的倍频一放大器混合集成组件，输出功率可达２０ｄＢｍ。     

世界固体电子新闻

世界固体电子新闻用于便携式电话的放大ＩＣ据１９９４年第６０７期报道，日本三菱电机公司所制成的ＭＧＦ７１０９放大ＩＣ是用于便携式电话的发射功率放大级，其电源电压为＋３．４Ｖ，典型的饱和输出功率为３１ｄＢｍ（约１．２Ｗ）。该ＩＣ为两个ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ...     

Ku波段8W GaAs内匹配微波功率FET

Ｋｕ波段８ＷＧａＡｓ内匹配微波功率ＦＥＴ李祖华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｋｕ－Ｂａｎｄ８ＷＧａＡｓＩｎｔｅｒｎａｌｌｙＭａｔｃｈｅｄＭｉｃｒｏｗａｖｅＰｏｗｅｒＧａＡｓＦＥＴ￥ＬｉＺｕｈｕａ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓ...     

具有低温特性的宽频带P－HEMT MMIC LNA

具有低温特性的宽频带Ｐ－ＨＥＭＴ　ＭＭＩＣ　ＬＮＡ《ＩＥＥＥＴＭＴ＆Ｔ》１９９３年第６—７期报道了使用０．２μｍＴ型栅，ＩｎＧａＡｓＰ－ＨＥＭＴ工艺制作了两个８～１８ＧＨＺ宽带单级ＭＭＩＣ低噪声放大器。其中一个为平衡结构的Ｐ－ＨＥＭＴＭＭＩＣＬＮＡ，...     

大信号设计GaAs MESFET功率合成

利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率特性的线性化模型，求出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ近似最佳功率负载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供初值。然后，使用自行研制的谐波平衡分析软件包，进行ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为９．６ｍｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯，利用内匹配功率合成技术，在Ｃ波段（５．５～５．８ＧＨＺ）制成１ｄＢ压缩功率大于８Ｗ，典型功率增益９ｄＢ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内匹配功率管。