溶胶-凝胶法制备WO3薄膜

以金属W粉为无机原料,采用多步溶胶一凝胶技术结合浸渍镀膜方法制备出WO3薄膜,借助化学刻蚀、可见光分光光度计、椭偏仪等仪器测量了薄膜的特性。实验表明：采用本方法,可使薄膜的折射率增大(从1．76增加至1．89),同时保持了薄膜良好的电致变色性能,增强了薄膜的稳定性。     

烧结温度对BaxSr1-xTiO3薄膜性能的影响

Ba、Sr0.3TiO3具有优良的介电和热释电性质，特别是可以通过改变组分来调节居里点，使其在动态随机存储器（DRAM）和红外探测器方面有着广泛的应用前景。制备薄膜的方法很多，如射频磁控贱射法、激光沉积法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶（Sol-Gel）法等。本文用溶胶-凝胶法以乙二醇甲醚为溶剂制备出BST薄膜，并用SPM对BST薄膜进行表征，得出对薄膜进行热处理的最佳条件及掺杂对薄膜表面形象的影响。     

聚苯胺/三氧化钨复合薄膜的制备与性质

采用溶胶-凝胶法在氧化铟锡(ITO)玻璃上制备三氧化钨(WO3)薄膜,将其在300℃下焙烧2h,再通过电沉积法在表面生长聚苯胺(PANI)薄膜.采用电化学方法、光谱分析法及扫描电镜等测试手段对WO3薄膜、PANI薄膜及PANI/WO3复合膜进行表征,发现复合膜着色态与褪色态透过率差异显著,变色效率(CE)达到57.94 cm2/C,比PANI和WO3薄膜的CE值28.94和10.55 cm2/C分别提高了50％和82％.扫描电镜结果表明,PANI薄膜表面结构疏松,有无序的微孔;而复合膜的结构规整、微孔排列相对有序且表面形貌均匀.     

气相法掺铅钛酸钡薄膜的微观形态变化

Ba（1-x）PbxTiO3是重要的电子陶瓷材料，具有优良的电学性能。而Ba（1-x）PbxTiO3薄膜更是重要的电子元件材料。薄膜材料一般是通过离子溅射、等离子体法、溶胶、凝胶法、气相淀积等工艺制备的，这些工艺各有优缺点，主要是可操作性和薄膜的质量问题。我们采用一种新型的气相掺杂工艺，即先利用溶胶-凝胶法或水絷沉积法得到纳米钛酸钡薄膜，然后用气相法进行掺杂处理，得到不同掺铅量的薄膜。     

CdS微晶掺杂TiO2—SiO2复合薄膜的非线性光学特性

采用溶胶－凝胶方法在普通的载玻片上制备了ＣｄＳ微晶掺杂的ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜。用正硅酸乙酯、钛酸丁酯、醋酸镉作原料，比较了硫脲和硫化乙氨的硫化作用。不同热处理温度、时间的吸收光谱表明，薄膜中存在着量子尺寸效应。采用Ｚ－Ｓｃａｎ技术测量了薄膜的非线性吸收及非线性折射率。     

溶胶-凝胶法CeO2薄膜的制备及AFM研究

溶胶-凝胶法(sol-gel)是将金属有机物或无机化合物经过溶液、溶胶、凝胶而固化，再经过热处理形成氧化物或化合物固体的方法。溶胶-凝胶法具有工艺设备简单、易操作、成本低廉、化学成分可控及可在400℃～600℃的相对低温下制备高纯、小孔径(约为几个nm)无机陶瓷膜等优点，近20年来已发展成为制备陶瓷薄膜材料最有效的方法之一。     

掺铂WO3-SiO2复合薄膜结构表征和气致变色性能研究

采用溶胶－凝胶法制备WO3－SiO2复合薄膜,对不同温度热处理的复合薄膜及单一组分薄膜的结构和气致变色性能进行了对比分析。XRD分析结果表明,复合薄膜的晶化温度提高、晶化程度降低,存在一定的晶格畸变;IR分析结果表明,在热处理过程中复合薄膜氧化钨分子间不易缩合,分子结构对称性低、变形多。性能测试结果表明,在复合薄膜中,WO3与SiO2之间的相界等结构缺陷为氢气提供扩散通道,使复合薄膜在热处理后气致变色性能优于单一组分薄膜。     

溶胶-凝胶法制备氧化钨薄膜的研究

本文以钨酸盐为原料利用溶胶凝胶法,在陶瓷衬底制备WO3敏感薄膜,于500℃退火。接着对制备好的薄膜进行X射线衍射与电子显微测试,观察到薄膜表面呈较规则的纳米多孔结构。接着对NO2、H2、乙醇等气体进行敏感测试,测试证明薄膜对H2、乙醇敏感性较差,对NO2敏感性良好。     

溶胶-凝胶法制备ITO薄膜的光电性能研究

采用溶胶-凝胶旋转涂膜工艺,在普通玻璃基片上制备了掺锡氧化铟(ITO)纳米透明导电薄膜。采用紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了不同Sn掺杂量、不同热处理温度和热处理时间以及不同涂层对薄膜光学和电学性能的影响。结果表明薄膜的方块电阻随Sn掺杂量的增大和热处理温度的升高先降低后增加,在适宜的温度范围内薄膜在可见光区平均透过率随热处理温度升高而增加。在一定的温度下,随着热处理时间的延长,ITO薄膜的方块电阻先降低后增加,透射率先增加后降低。在最佳工艺条件下,采用溶胶-凝胶法制备的ITO薄膜平均可见光透过率达86%,薄膜方阻为322Ω/□。     

与Si集成的溶胶—凝胶法制备的TiO2—SiO2复合薄膜的应力分析

采用激光束反射偏转法测量了用溶胶－凝胶法在Ｓｉ（１１）基片上制备的ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜的曲率半径。由此计算出薄膜的热应力，应力和本征应力。研究了工艺过程与薄膜应力的关系，其应力随热处理温度的增加而由张应力转变为压应力；当热处理温度较低时，随膜厚的增加，其应力增大，而最终导致膜的开裂，薄膜的最大不开裂厚度随热处理温度和ＴｉＯ２含量的增加而增加。     

塑料衬底上制备WO3电致变色薄膜及其特性研究

采用真空电子束蒸发低压反应离子镀技术制备WO3电致变色薄膜,对比研究在玻璃衬底和塑料衬底上制备的WO3薄膜的物理特性、电化学特性和电致变色特性。采用扫描电子显微镜、X射线衍射、和电子探针显微分析技术测试了WO3薄膜的表面形貌、晶体结构和成分比例等。采用分光光度计测试了WO3薄膜在原始态、着色态和退色态的透射光谱、透射率变化的时间响应。     

射频磁控溅射制备非晶WO3薄膜的结构及其光电性质研究

采用射频磁控溅射技术,以WO3陶瓷靶为原料,在透明导电氧化铟锡（ITO）玻璃上沉积了非晶相WO3薄膜,研究了溅射功率对薄膜结构及光学性质的影响,并研究了WO3薄膜的电致变色特性。利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射技术（XRD）表征了薄膜的表面形貌和内部结构;利用UV-Vis分光光度计表征了薄膜在变色前后的光学透过性质,利用电化学测试工作站研究了WO3薄膜的电致变色性质,并从原理上分析了WO3薄膜的变色机理。研究结果表明,不同功率下获得的WO3薄膜均为非晶结构,在可见光范围内有较高的透过率。透明的WO3薄膜在负向电压下逐渐转变成深蓝色,且在撤去电压后其颜色不变,当施加正向电压时,薄膜又转换为透明态,表现出良好的电致变色特性。所制备WO3薄膜在550nm处褪色态的透过率为83%,着色态的透过率为29%,使得该薄膜在智能窗方面具有广阔的应用前景。     

退火温度对WO_3薄膜结构及气敏性能的影响

采用直流磁控溅射法制备了WO3薄膜,并在350~550℃时对薄膜进行退火处理,研究了退火温度对薄膜结构及气敏性能的影响。结果表明:退火前及350℃退火后的薄膜为非晶态,450℃和550℃退火后的薄膜为WO3–x型晶态;随退火温度的提高,薄膜厚度增加,晶粒度增大。550℃退火后薄膜的厚度,较450℃退火后薄膜厚30nm,晶粒度相差8nm;450℃和550℃退火后的薄膜,在150℃时对体积分数为0.05%的NO2的灵敏度接近于22。     

sol-gel法制备WO_3电致变色薄膜的工艺研究

采用sol-gel法制备了WO3电致变色薄膜,通过工艺参数的优化,对WO3薄膜的电致变色性能、表面结构和物相进行比较研究。结果表明:陈化3d的前驱体溶液,以5cm/min的提拉速度在ITO导电玻璃基体上镀膜,经250℃保温60min热处理的薄膜在着色态、褪色态下的透射率之差达到50%以上,电致变色可逆性能较好。     

电子束蒸发WO3气敏薄膜

介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜、溅射掺Ａｕ、膜的后退火等工艺，着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程。     

磁控溅射法制备WO_3薄膜及其氢敏特性研究

采用直流反应磁控溅射法,在未抛光的Al2O3基片上制备WO3薄膜,在干燥空气中经过热处理;利用SEM观察薄膜表面形貌;通过XRD测量,对薄膜的晶体结构进行分析;薄膜氢敏特性测试采用静态配气法。经过400℃热处理,当工作温度在270℃时,对体积分数为3×10-4%H2的灵敏度达到了77,稳定性较高、选择性好、响应时间在15s以内。WO3薄膜是一种较理想的氢敏材料,在氢敏传感器的设计中必定会得到足够的重视和广泛应用。     

脉冲电泳沉积制备电致变色WO3薄膜

采用正交设计法优化了脉冲电泳沉积制备WO3薄膜的工艺参数,并通过分析薄膜的微观结构、透射光谱和循环伏安曲线等研究了最佳工艺条件下制备的WO3薄膜的电致变色性能.结果表明,脉冲电泳沉积制备WO3薄膜的最佳工艺参数为平均电流密度0.2×10-3A/cm2,沉积时间6 min,占空比75%,脉冲周期10 ms.最佳工艺条件下...     

Highly enhanced photoelectric catalysis of WO3 nanoblocks loaded with Ag nanoparticles

WO3/Ag composite film photoanodes were synthesized by hydrothermal combined electrodeposition method. Characterization of samples was conducted by scanning electron microscope (SEM) and X-ray diffraction (XRD), which showed that WO3/Ag composite films had been synthesized. Diffuse reflectance spectra show WO3/Ag composite film has more strong absorption than WO3 film under simulated visible light irradiation. Electrochemical impedance spectroscopy shows WO3/Ag composite film photoanode enhances charge transfer efficiency compared with WO3 film. WO3/Ag composite film photoanodes show higher photocurrent and photoelectric catalytic activity than WO3 film, and the WO3/Ag composite film obtained by depositing Ag nanoparticles at 50 s (WO3/Ag-50) shows the highest photocurrent and photoelectric photoelectric catalytic activity. Meanwhile, the photoelectric catalytic activity of the composite film is higher than their direct photocatalytic and electric catalytic activity. The higher photocurrent and photoelectric catalytic activity of the WO3/Ag composite film photoanodes are attributed to the surface plasmon resonance effect of Ag nanoparticles and Schottky junction effect at the WO3/Ag interface.     

退火处理对离子束溅射WO3-x薄膜结构和特性的影响

利用离子束溅射结合后退火处理的方法制备了WO_3-x(0≤x≤1)薄膜,系统研究了不同退火气氛、退火温度和退火时间等条件对WO_3-x薄膜的晶体结构以及电学、光学和电致变色特性的影响。研究发现,当退火温度超过WO3结晶温度后,特别是在湿氧气氛下,退火温度越高、退火时间越长,WO_3-x薄膜的结晶度越好,除WO3主晶相显著增强以外,还会陆续出现O29W10、O49W18和WO₂等缺氧相;在干氧条件下,更高的退火温度和更长的退火时间都有助于降低WO_3-x薄膜的电阻值,也都有助于WO_3-x薄膜可见光透过率的提升;WO_3-x薄膜电致变色器件在632.8 nm波长处的光学调制值达到了70%左右,表现出良好的电致变色特性。