共查询到20条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
中国对欧洲光通信会议的影响力逐年提高,对其贡献逐年增加。鉴于这个原因,会议从2016年起,决定邀请一位中国同仁参加“国际咨询委员会”,参与“欧洲管理委员会”的工作,进一步加强会议与中国业界的联系。阐述了第42届欧洲光通信会议的概要,详细介绍了主题报告、专题研讨、综述指导报告和特邀报告的情况,会议按照光纤、光纤器件和光纤放大器,波导与光电子器件,数字信号处理和多级调制格式,光网络与数据通信的子系统,点对点传输系统,核心城域网和数据中心网,接入网、本地网和家庭网7个方向进行探讨。 相似文献
2.
1.光电器件的发展 光电子器件技术是推动光纤通信技术发展的核心技术。它经历了分立元件—组件—模块—光集成和光电集成的发展过程。在第一代点对点光通信系统中采用的主要光器件有半导体激光器、光纤、,连接器和光检测器。随着光电器件性能的提高及新功能光电器件的商用化,第二代大容量光通信系统也已得到广泛应用。在第二代光通信系统中除了第一代系统的光电器件外,还加进了合/分波器、光放大器、低速光开关和外调制器等。 相似文献
3.
近几年来,掺铒光纤放大器作为1.5μm通信窗口的光通信新器件,得到了广泛重视。掺铒光纤放大器作为功率放大器、在线中继器或前置放大器,已进入Gbit/s长中距离光通信传输实验阶段。本文介绍了掺铒光纤放大器的基本原理,综述了掺铒光纤放大器的研究进展及最新成果。 相似文献
4.
5.
6.
7.
8.
9.
全光网——光通信的发展方向 总被引:1,自引:0,他引:1
全光网(AON,all-opticalnetwork)以波长路由光交换技术和波分复用传输技术(WDM)为基础,它的网络节点由光分插复用器和光交叉连接器构成,能在光域上实现高速信息流的传输、交换、路由和故障恢复等功能。光交叉连接器(OXC)与光分插复用器(OADM)是全光网中最重要的网络器件,是真正实现全光网关键性功能的必要前提,也是目前国内外光通信器件厂商研究和开发的热点。本文结合全光网的发展,介绍了光交叉连接器(OXC)、光分插复用器(OADM)与掺饵光纤放大器(EDFA)的基本原理以及全光网的交换技术,对光通信网和传统通信网进行了比较与讨论,并介绍了我国和国外在全光通信网上的发展状况。 相似文献
10.
短距离高速率传送用的塑料光纤 总被引:2,自引:0,他引:2
文章综述了一些发达国家塑料光纤、塑料光缆、光电器件、接续方法和传输试验系统的最新研究情况.由于氟化聚合物梯度折射率分布塑料光纤具有衰减低、带宽宽和价格便宜等特点,故其在短距离、高速率传送中逐渐得到应用.文章阐述了降低塑料光纤衰减和提高塑料光纤带宽的具体措施.同时,也描述了构建塑料光纤传输系统所用的光缆结构、接续方法和光收发模块.传输试验证明,塑料光纤是短距离、高速率传送的最佳传输媒质. 相似文献
11.
光纤光栅在全光通信网中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
随着社会对通信业务需求的不断增加,基于DWDM的全光网络已成为未来光通信的发展趋势,光纤光栅具有附加损耗小,体积小,能与光纤很好地耦合,可与其他光纤器件融成一体等特性,这将使光纤光栅成为未来全光网中的基石,从目前的研究来看,光纤光栅已经能够为全光通信系统不光源,光放大,色散补偿,OTM(光终端复接器),OTDM(光时分复用),OXC(光交叉连接)等等关键部件提供优秀的解决方案。 相似文献
12.
概述了在2001年OFC会议上出现的新型光无源器件,介绍了光无源器件的最新进展,着重分析了几种用于DWDM光网络中的最新型光无源器件的工作原理和结构。 相似文献
13.
从OFC2004看全光网中关键光器件的新发展 总被引:10,自引:10,他引:0
概述了在OFC2004会议上报道的几种支撑光网络发展的关键器件的最新进展,包括滤波器、光开关、可变光衰减器(VOA)、全光波长转换器(AOWC)及波长选择开关(WSS)等。介绍了这些新型器件的工作原理和结构。 相似文献
14.
中国光纤通信技术的研究、应用和发展 总被引:1,自引:0,他引:1
主要从光纤光缆、光器件与组件、光传输设备与系统、光网络建设等方面论述光纤通信技术在我国的研究、应用发展历程,并对我国光纤通信技术的未来发展进行展望。 相似文献
15.
本文对光纤网中光交换技术的发展、现状进行了概括回顾与展望。从有利于集成化的角度,重点讨论了光选通元件、光双稳器件、网络结构,以及空分交换、波分交换在光纤网中的应用。 相似文献
16.
Strained layer quantum-well heterostructure semiconductor lasers and other optoelectronic devices are having an impact on nearly all applications of optoelectronics and especially fiber optic telecommunications. In this special issue on strained-layer optoelectronic materials and devices, the most recent advances in this fast-moving area of research are represented by 11 invited papers and 18 contributed papers. The research reported here covers an impressive range from detailed calculations and experimental data on the valence band structure and optical gain of strained layer heterostructures to the laser operating characteristics of devices made from these structures 相似文献
17.
基于阵列波导光栅的波分复用器件 总被引:2,自引:0,他引:2
阵列波导光栅波分复用 /解复用器有 N个输入端口和 N个输出端口 ,能同时传输 N2 路不同的光信号 ,除具有波分复用和解复用功能外 ,能灵活地与其它光器件组成多波长激光器、光路分插复用器、光路交叉连接器、波长路由器等波分复用器件 ,在光通信网络中有着广泛的应用前景。 相似文献
18.
《Communications Magazine, IEEE》2005,43(2):S22-S28
As the number of networked computer devices connected within local area networks increases, the aggregation requirements of the optical fiber backbone within these networks are also increased. This article highlights the challenges - and a possible solution - to migrating data communications networks to higher data rate capability, while in parallel cost effectively supporting the existing fiber infrastructure 相似文献
19.
Arrays of coupled waveguides such as the ubiquitous directional coupler are used extensively in optoelectronic devices, with demonstrated applications to optical communications networks, fiber interferometers, and optical homodyne receivers. In order to analyze the transmission characteristics of circular arrays of coupled optical fibers, we have developed a matrix representation of the coupled-mode formalism, allowing for varying fiber diameters and differing coupling strengths between the fibers in the array. The model is used to identify design criteria for application of such arrays as passive optical switches and power dividers 相似文献
20.
《Electron Devices, IEEE Transactions on》1988,35(12)
The following topics are dealt with: MOSFETs; random-access memories; avalanche photodiodes; optical fiber receivers; CMOS integrated circuits; high-electron mobility transistors; heterojunction bipolar transistors; MODFETs; light-emitting diodes; distributed-feedback lasers; quantum-well devices; tunneling devices; silicon-on-insulator devices; negative-resistance devices; semiconductor lasers; and power FETs. Abstracts of individual papers can be found under the relevant classification codes in this or other issues 相似文献