第六代1200V槽栅FS-IGBT模块

本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是低噪声辐射、高性能和紧凑性。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装的PIM(功率集成模块)功率额定值已被提高到1200V-150A,对于17mm厚的新型二合一模块,功率额定值则达到1200V-600A。     

第六代1200V槽栅FS-IGBT模块

本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是“低噪声辐射”、“高性能”和“紧凑性”。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V—IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装豹PIM（功率集成模块）功率额定值已被提高到12（X）V-150A，对于17mm厚的新型二合一模块，功率额定值则达到1200V-600A。     

两款新型1200V IGBT模块

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种新型1200V IGBT模块FMG2G50US120和FMG2G75USl20，电流额定值分别为50A和75A，具有优化的导通损耗(VCE(sat))与关断损耗(Eoff），提供非常低的总体功率损耗，适用范围涵盖焊接设备、不间断电源(UPS)，以及工作频率在10kHz-30kHz的普通逆变器。飞兆半导体的新型1200VIGBT功率模块还具有极低的VCE(sat）温度变化偏差。额定值为75A的     

飞兆半导体全新低功耗USB2．0高速双模拟开关

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出专为驱动真空吸尘器的单相开关磁阻电动机(SRM)而设计的“智能功率模块”。该额定电流为50A的新型智能功率模块FCAS50SN60将高压IC(HVIC)和低压IC(LVIC)、IGBT、快速恢复二极管和电热调节器集成在超紧凑(44mmX26．8mm)的Mini—DIP封装中。该封装采用“铜直接粘合”(DBC)技术，能显著提高热性能。与一般分立解决方案相比，     

飞兆半导体推出3A至30A微型DIP封装智能功率模块(SPMTM)为消费电子产品提供业界最佳的热性能

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出一系列智能功率模块(SPMTM)产品,专为有能耗指标限制的白色家电如洗衣机和空调等产品的高效电机控制器设计。飞兆半导体的微型SPM能让逆变器系统设计人员以具有成本优势的设计方案,达致能效要求并保证其可靠性,同时可减少设计元件数量。全新的微型SPM系列共有7个型,并采用业界最紧凑的微型DIP封装。提供业界最佳的热性能。每个模块集成了3个高压驱动芯片(HVIC)、1个低压驱动驱动(LVIC)、6个IGBT及6个快速恢复二极管,3A￣30A电流范围的产品采用相同封装,在0.3kW￣3.0kW的功率范围有…     

国内新闻

正赛米控为90kW工业电机驱动器、太阳能逆变器和电源应用推出MiniSKiiPDual模块用户友好的弹簧技术用于电源和控制端子以及简单、具有成本效益且无焊接单螺丝安装的电路板、散热器及模块-这些都是电力电子制造商赛米控所生产的MiniSKiiP系列产品的主要优势。MiniSKiiP主要用于工业电机驱动器、太阳能逆变器和电源。除了原先最高40kW的功率,现在有了功率高达90kW的MiniSKiiP。新的MiniSKiiPDual组合包括150A-600A/650V、150A-300A/1200V和100A-300A/1700V。这是首次     

高性能马达控制用的新型智能功率模块

本文介绍三菱公司为中低功率变速控制应用而研制的新型智能功率模块(IPM)系列：双列直插封装IPM(DIP—IPM)和单列直插封装IPM(SIP—IPM)。与以前型式的DIP—IPM相比，这种采用第五代IGBT(绝缘栅双极晶体管)的新型DIP—IPM不仅在静态性能和动态性能两方面都得到相当大的改善，而且功率能力扩展到了3．7kW。这一成果得益于亚微米功率芯片设计、最佳模块设计和封装工艺中的最新技术。这种新器件为用户的逆变器系统提供了一种低成本高性能的解决方案。     

IR扩充iMOTION集成功率模块产品线积极推动节能家电应用

全球电源管理技术领袖国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)最新推出一系列600V、16A和20A的集成功率模块(IPM),进一步扩大了模拟功率平台方案的阵营,使之成为IR iMOTION集成设计平台的一部分。新的IPM有助于简化紧凑型、高性能变速运动控制功率平台的设计,应用领域包括空调和商用冷却系统等。这些新型的IPM是专为节能家电中的85V～253V交流变速电机驱动器而设计的,将IR专有的高压集成电路(HVIC)与三相逆变功率平台集成在一起。其中,额定电流16A的器件适合750W～1.2kW的功率平台,20A器件则适合750W～2.2kW的功率…     

基于高压BCD工艺的内集成自举电路

设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC)。对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压充到预期值,解决了以往使用传统的内置MOS自举功能时,因充电速度慢、充电电压低所导致的触发HVIC欠压保护和电器频繁停机问题。基于SMIC 3μm BCD工艺对所设计的自举电路的HVIC进行流片验证。测试结果表明,升压电路将HVIC供电电压从15 V升高至16.4 V,自举电容电压可达到预期值,同时实现了替代外接自举二极管或通过SOI工艺内置自举二极管的自举功能。     

采用PQFN4×4封装的高压栅级驱动IC

PQFN4×4封装的厚度不到1mm，与现有的表面贴装技术相兼容，达到二级潮湿敏感度（MSL2）业界标准，也符合电子产品有害物质管制规定（RoHS）。国际整流器公司的HVIC技术在一个智能驱动器IC中集成了N通道和P通道LDMOS电路。这些IC接收低电压输入，并为高压功率调节应用提供栅级驱动和保护功能。     

灵活的多路输出可编程直流电源

N6700超薄形模块化电源系统（MPS）家族又新增加了4种新模块和2种主机，从而在1U（1个EIA机架单位）上架高度内实现4路输出和1200W的功率，2种新主机的功率分别为600W和1200W，4种新的300W通用型可编程电源模块范围为（20V，15A）～（100V，3A），它将大功率纳入一块模块之中，而只占用主机中的一个插槽。     

1200V增强型碳化硅纵向结型场效应晶体管功率模块

最近的模块研发工作已经生产出封装在SP1模组中的快速开关、1200V、13mΩ、增强型SiC JFET半桥模块。这些模块由36mm~2SiC VJFET和23mm~2肖特基管的并联组合而成。在ID=100A条件下,获得2.7mΩ-cm~2的比导通电阻。开关测试采用了标准的双脉冲感性负载电路,在600 V、100A、温度分别为25℃和150℃的条件下,得到了历史最低的总开关损耗——100A、150℃下为1.25mJ。本报告详细介绍测试对开关性能、所采用的栅极驱动电路,以及获得这些结果推荐使用的缓冲器。     

600伏高压LDMOS的实现

综合利用RESURF技术、内场限环技术及双层浮空场板技术，充分降低高压LDMOS的表面电场，使用常规低压工艺，最终实现600伏高压LDMOS。本文介绍了此高压LDMOS的设计方法、器件结构、制造工艺和测试结果。     

S7-1200 PLC在伺服电动机位置控制中的应用

随着生产技术的提升,工艺领域对伺服电动机的运动控制模块要求更加精确的位置控制,西门子公司的SIMATIC S7-1200PLC有着良好的工艺和性能,其通过脉冲接口的方式给电机的运行控制提供支持,满足当前工艺要求的水平,并且功能完善。文中对西门子S7-1200 PLC在松下伺服电动机位置控制中的应用进行研究,阐述了松下伺服电动机A5系列硬件和PLC系统的接线步骤,通过软件程序实现对伺服电动机的位移运动的控制。实验验证了程序的正确性,结果表明,位移的操作精准度可以达到0.1 mm,满足位置控制的性能要求。     

如何正确地选用和配置UPS（中）

２２电压补偿型双变换在线式ＵＰＳＵＰＳ技术的不断探索和改进 ,以及新的电路技术的引用带来了新一代的ＵＰＳ技术电压补偿双变换在线式ＵＰＳ ,也称为Ｄｅｌｔａ逆变技术 ,美国ＡＰＣ公司的大功率ＵＰＳＳｉｌｃｏｎＤＰ３００Ｅ系列正是使用了这一技术 ,其结构示意图如图３所示。其结构特点和功能如下 :①双变换器 :逆变器 (Ι)和逆变器 (Ⅱ ) ,两个逆变器都是可双向传输功率的四象限高频逆变器②逆变器 (Ι)串联在主电路中 ,它的输出变压器的付边高频调制波对输入电压进行切割 ,因为它以ＳＰＷＭ方式工作 ,经电感电容取平均值后形成正弦…     

瑞萨电子高效能绝缘闸双极性电晶体（IGBT）系列新品

瑞萨电子发表2款具备高效能之绝缘闸双极性电晶体（IGBT）系列新产品。新款IGBT包括600V50A的RJH60D5B与600V37A的RJH60D7B。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装置,适用于例如电焊机、变频器、太阳能发电机的功率调节器（功率转换器）等处理高电压及大电流之设备。新一代技术以强化薄型晶圆製程为基础,权衡了传导、切换损耗及稳定效能而达到低损耗,且提高短路耐受能力。新款IGBT的主要功能：降低饱和电压,D5B/D7B为1.6V,降低12%,以提供更优异的电源效率。     

PDI新技术新产品（1）

德国PDI公司制造厚膜电路已有25年的历史，其CATV放大模块的制造业务可回溯到Alcatel，GI以及Motorola。随着技术的进步，GaAs模块以其优异的性价比，已经被广泛应用，在美国及欧洲的市场占有率已达80％以上。从本期开始，本刊将以连载方式介绍德国PDI公司在CATV方面的新技术和新产品。本期介绍PDI 1000 MHz GaAs高性能、高可靠性CATV放大模块：     

用于变频空调器的智能功率模块（IPM）

本文介绍一种被称为IPM(Intelligent Power Module)的新型智能功率模块。它采用了IC驱动和保护技术、低饱和压降IGBT芯片技术以及新的封装技术,其功率范围能满足0.75kW～5.0kW电机对驱动功率的要求,特别适合于变频空调器用逆变器系统。 新的IPM系列可使其应用装置具有更小的体积和更     

意法半导体（ST）推出先进的1200V IGBT可实现更长的使用寿命、节省更多能源

意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT，Insulated—GateBipolar Transistors）借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正（PFC，Power—FactorCorrection）转换器等应用的能效和耐用性。     

S7-1200PLC在中央空调节能系统中的应用

针对传统中央空调的冷冻泵、冷却泵不能自我调节负载而造成的能源浪费问题,采用可靠的PID控制算法和变频技术,设计了由变频器、PLC、数模转换模块、温度传感器等器件构成的温差闭环自动控制系统,来自动调节水泵的输出流量,从而达到节能目的。设备改造试验结果表明,由S7-1200PLC控制器构成的温差闭环自动控制系统,能耗下降较为明显,实现了恒温控制,节约了企业设备改造成本。中央空调节能系统是大型建筑重要的配套设施之一,其电能损耗直接影响到城市大气环境的质量。为此,本文结合实际案例,通过介绍S7-1200PLC控制器的特点,重点探讨了S7-1200PLC在中央空调系统节能减排中的应用,以期降低中央空调系统的电能损耗。