新型60V DirectFET MOSFET

国际整流器公司日前推出一款新型60V DirectFET功率MOSFETIRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0mΩ(VGS=10V),传导损耗较同类解决方案低出三成。IRF6648适用于电讯及网络系统中的隔离式直流-直流转换器。若把IRF6648用于一个经调节的48V输入、12V输出和240W隔离式转换器的二次侧,功率密度可由每平方72W再增15%。IRF6648是一项多功能器件,可用于36V至75V输入的隔离式直流-直流转换器的二次侧同步整流插座;一次侧半桥及全桥隔离式直流-直流总线转换器;24V输入的一次侧正向主动钳制电路,和48V输出的交流-直流主动ORing系统。I…     

IR新型40V同步整流MOSFET 优化电信和数据通讯应用

电源管理供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布推出IRF7842 40V N沟道HEXFET功率MOSFET,优化了电信系统中的隔离式直流-直流转换器。 IRF7842的额定电压为40V,若用于电信及数据系统的副边同步整流电路,则有助于增强系统的可靠性。这些系统的输入电压范围较宽,一般在36V到75V     

IR推出多用途80V MOSFET

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出 IRF1312型 HEXFET功率MOSFET,额定电压达 80 V,可用作隔离式直流 -直流转换器中的原边和副边 MOSFET,专攻网络通信及数据通信系统领域。作为原边 MOSFET时 ,IRF1312能用于高达 6 0 V最大输入电压 ,因此最适用于 36 V至 6 0 V及 4 8V稳压输入母线隔离式直流 -直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类 75 V MOSFET相比 ,其 80 V额定电压提供额外 6 %的防护带 ,使设计更加坚固耐用。作为副边 MOSFET时 ,IRF1312能在 12 V应用中提供比标准 75 V M…     

IR 1176同步整流集成电路由IR公司推出

国际整流器公司(IRF)推出专用同步整流集成电路IR1176。该产品能简化和改善隔离式直流-直流变换器设计,将其输出电压降至1.5V,全面提高电信及宽频网络服务器的效率。 IR1176同步整流集成电路辅之以直流-直流变换器专用HEXFET功率MOSFET(如IRF7822),即可提高1.5V及1.8V直流-直流变换器的额定效率,在输入电压48V,输出1.5V和1.8V在40A电流下的电路内效率分别达85%和86%。IR1176能加强对栅驱动器电路的控制,减少隔离式直流-直流变换器同步整流MOSFET的副边损耗。     

效率高达95%的200V DirectFET MOSFET

国际整流器公司(IR)新推出的200V DirectFET器件是应用于专为36V～75V通用输入范围内操作的隔离式设计DC/DC转换器。其超低的51mΩ典型10V导通电阻RDS(on)及减低了的栅极电荷,使IRF6641TRPbF特别适合应用于高效同步整流MOSFET、推动大电流负载     

IRF711W/IRF7822高效HEXFET功率MOSFET

由IR公司(国际整流公司,International Rectifier)研制出的IRF7811W/IRF7822两款新型HEXFET功率MOSFET将降压式及隔离式直流-直流拓扑结构的效率提高了3%。采用新型带状沟槽工艺,能去耦器件导通电阻及电容,成功解决了要求极低导通电阻及栅电荷的功率MOSFET的制造问题。 IRF7811W控制场效应管及IRF7822同步场效应管,能使高电流降压变换器拓扑结构的元件数量减少25%～50%。而且能在更低温度下运行直流-直流变换器,还大大提高了功率密度。 在输入电压为12V、输出电压为1.4V、每管脚工作频率为700kHz的多相降压变换器中,可改善效率达3%,还大大减少了元件数量。将两个并联的IRF7822作为同步场效应管,两个IRF7811W作为控制场效应管,可在SO-8封装MOSFET中获得每管脚35A的输出电流。 在集成电路驱动的拓扑结构中,同时采用IR最新的IRF7822同步MOSFET及IR1176同步整流集成电路,隔离式变换器可在40A及1.5V输出电压环境下,并实现了85%的效率。     

IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的中电压MOSFET

<正>国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出全新60V、80V和100V的N沟道HEXFET~(R) MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均适用于AC-DC次级同步整流、隔离式中等功率DC-DC应用。     

全新直流总线转换器芯片组

国际整流器公司(InternationalRectifier,IR)日前推出直流总线转换器芯片组 ,从而重新定义了用于电信及网络系统的48V输入、150W基板安装功率转换器的分布式电源架构。IR的直流总线转换器芯片组架构为整体效率、功率密度和简易性建立了全新基准 ,它能在小于1.7平方英寸的电路上和20A/150Wout条件下提供96 %以上的效率。该芯片组能节省53 %的体积 ,并可将隔离式转换器的元件数目由约50个大幅缩减至20个。全新芯片组包含一个IR2085S控制集成电路以及IRF7493原边和IRF6603副边HEXFET功率MOSFET各一对 ,加上用于原边偏压的IRF7380…     

IR推出用于2MHz降压转换器的MOSFET

国际整流器公司(IR)最近推出的IRF6607是30V的MOSFET,在降压DC/DC转换器中用作同步整流开关,开关频率高达2MHz.     

IR推出超小型优化DirectFET MOSFET芯片组

功率半导体厂商国际整流器公司(IR)日前推出超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的VRM10.x大电流同步降压转换器。 最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻(R_(DS(on)))为8.5毫欧,IRF6618同步MOS-FET的典型通态电阻则为1.7毫欧,两者均采用IR的DirectFET封装。     

IR新型同步整流集成电路

国际整流器公司(简称IR)推出专用同步整流集成电路IR1176.该产品能简化和改善隔离式直流-直流变换器设计,将其输出电压降至1.5V,全面提高电信及宽频网络服务器的效率.     

IR推出全新直流总线转换器芯片组

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称IR)推出首个直流总线转换器芯片组系列 ,重新定义用于电信及网络系统的 4 8V输入、15 0W基板安装功率转换器的分布式电源架构。IR的直流总线转换器芯片组架构为整体效率、功率密度和简易性建立了全新基准 ,能在小于 1.7平方英寸电路占位上 ,于 2 0A/15 0Wout条件下提供 96 %以上的效率。与业界标准的四分一砖设计相比 ,该芯片组能节省 5 3%的体积 ,并可将隔离式转换器的元件数目由约 5 0个大幅缩减至 2 0个。全新芯片组包含一个IR2 0 85S控制集成电路、IRF74 93原边和IRF…     

IR展示超小型DirectFET MOSFET

功率半导体公司——国际整流器公司(IR)9月推出了超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻 (RDS(on))为8.5mW,IRF6618同步MOSFET的典型通态电阻则为1.7mW,两者均采用IR的DirectFET封装。IRF6608的体积较标准SO-8封装小一半,它是首项采用崭新双面冷却、表面贴装式DirectFET“S”封装的HEXFET MOSFET。器件仅高0.7mm,远小于SO-8封装的1.75mm。与市场上的同类控制MOSFET产品相比,IRF6…     

通用集成电路

882003.10/下半月 www.eepw.com.cnIR超小型优化DirectFET MOSFET芯片组国际整流器公司(IR)推出超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻(RDS(on))为8.5毫欧,IRF6618同步MOSFET的典型通态电阻则为1.7毫欧,两者均采用IR的DirectFET封装。IRF6608的体积比标准SO-8封装小一半,它是首项采用崭新双面冷却、表面贴装式DirectFET“S”封装的HEXFET MOSFET。器件仅高…     

IR DirectFET MOSFET芯片组使功率密度翻番

对主板设计者来说最需要解决的是散热问题,DC-DC转换器对电流、功率密度要求日益提高,以及英特尔公司CPU电压调整模块(VRM)规格发展的推动,供应商不断加紧新一轮功率MOSFET的研发,推出革命性的崭新工具。国际整流器公司(IR)近日推出超小体积DirectFET MOSFET芯片组──IRF6608、IRF6618,分别为控制和同步MOSFET,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。IRF6608封装体积仅有SO-8封装的一半,由于采用专利的钝化技术,封装高度只有 0.7mm,远小于SO-8封装的1.75mm,是首…     

IR新型DirectFET MOSFET转换器芯片组

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出新款20V DirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组———IRF6610和IRF6636。据称这款小型罐式DirectFET MOSFET对性能相当于一对SO-8MOSFET,但体积却减小了40%,特别适合对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(Point-of-l     

信息园

IR最新 30 V MOSFET降低导通电阻达 50 %全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司 ( International Rectifier,简称 IR) ,推出全新的30 V IRL 371 3系列 HEXFET功率 MOSFET,提供D2 Pak、TO- 2 62及 TO- 2 2 0等封装选择。采用D2 Pak封装的 IRL 371 3S元件 ,最大 RDS( on)值仅为 3m Ohm。相较于上一代面积相同的元件 ,导通电阻低出一半 ,却可在离散式 DC- DC转换器中展现高出 1 .5 %的效率。IRL371 3系列元件经过特别优化 ,适用于 48V输入离散式 DC- DC转换器的次级侧同步整流器( second- side synchronous recti…     

IR全新30V DireCtFETMOSFET系列

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）,推出专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形,以及记忆体稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFETMOSFET系列。     

IRF6708S2和IRF6728M DirectFET MOSFET芯片组

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出了IRF6708S2和IRF6728M 30 V DirectFET MOSFET芯片组,特别为注重成本的19 V输入同步降压应用(如笔记本电脑)而设计。     

IR推出20 V至30 V的全新StrongIRFET系列

正全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20 VD irectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻 (RDS(on))IRL6283M 采用超薄的30mm2中罐式 DirectFET 封装,导通电阻典型值只有500μΩ,可大幅降低传导损耗,因而非常适合动态 O-