TVS二极管性能优化指南

瞬态电压抑制器（TVS）二极管是一种保护敏感电子器件免受ESD和EMI浪涌脉冲的有效低成本选择。本文将提供TVS二极管浪涌最大抑制的PCB布局指南。同时将举例说明在不同电路配置中如何取舍TVS二极管。     

采用SPICE评估TVS保护电路

引言SPICE是分析系统抗传导EMI浪涌电压性能的有效设计工具,它可以验证并优化采用瞬态电压抑制(TVS)雪崩二极管的浪涌保护电路的性能。TVS二极管的尺寸小、响应时间快、钳位电压小且成本低,可以为浪涌问题提供有效的解决方案。本文将SPICE仿真与基准测试进行比较,证明TVS雪崩二极管能够钳位噪声源(如感应设备和负载开关)引起的浪涌电压。电流和电压特性关系齐纳和TVS雪崩二极管有相似的电气特性,但是,两种器件也存在明显的区别。齐纳二极管为调节稳态电压而设计,而TVS二极管则为钳位瞬态浪涌电压而设计。另外,TVS二极管的结面…     

瞬态电压抑制二极管TVS及其应用

箝位型二极管(TVS)是目前被广泛应用的瞬态电压抑制二极管。TVS在反向应用条件下,感受到高瞬态能量时能迅速由原来的高阻抗变到很低的导通值,把电压箝位到预定电压,从而有效地消除对敏感系统设备、元件的危害。双向性TVS可正负方向吸收瞬时脉冲大电流,把电压箝位到预定值。TVS可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等,是一种理想的保护器件。     

新品发布

电路元器件二极管和TVS品种繁多 几个系列的瞬态电压抑制器(TVS)、齐纳二极管和肖特基势垒整流器已经上市。SMBJ、SMCJ、SA、P6KE和1.5KE各个系列的单向和双向TVS提供额定峰值电压5V至440V;额定峰     

元器件与组件

1000W功率表面安装单通道瞬态电压抑制二极管Powermite1 MUPT瞬态电压抑制(transient voltage suppression,TVS)二极管产品系列迎合飞机电气化、提高可靠性和燃油效率的市场趋势,从而推动了市场对具有更高功能性、更轻重量和更小体积,并带有出色瞬态过电压事件保护功能之TVS解决方案的需求。这种新型TVS二极管是高度紧凑、表面安装的单通道1000W功率器件,具     

TVS瞬态二极管的防雷应用

本文叙述TVs瞬态二极管在调频广播发射机的防雷应用。由于TVS瞬态二极管是一种二极管形式的高效能保护器件,所以当TVS二极管的两极受到雷电的瞬态高能量冲击时,它能以10-12s的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数kW的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。加接TVS二极管后,使调频广播发射机的抗雷电能力得到有效提高。     

意法半导体(ST)过压保护二极管创小型化记录,为移动应用释放更多电路板空间

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商及全球最大的瞬态电压抑制(TVS)保护器件供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出全球最小的瞬态电压抑制二极管,为消费电子产品和手持产品内的敏感电子元器件提供过     

瞬态电压抑制器TVS的特性及应用

瞬态电压抑制器(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。有的文献上也称为TVP、AJTVS、SAJTVS等。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10~(-12)秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点,目前已广泛应用于计锋机系统、通讯设备、电源、家用电器等各个领域。总之,瞬态电压抑制器TVS二极管在各种电路的应用是极为广泛的,有以下三大效用:     

瞬态电压抑制二极管的建模及仿真

基于0.5 μm CMOS 工艺,设计瞬态电压抑制（TVS）二极管.利用黑箱理论对该器件在高电压大电流下的反向工作特性建模,在Matlab 数值模拟工具中利用所建模型仿真,获得了包含一次击穿、二次击穿（硬失效）点的反向I –U 特性曲线;基于Silvaco TCAD 工艺器件仿真平台,经DC 仿真验证所建模型的准确性.仿真结果表明,2 种方法获得的特性曲线基本吻合,本文所建数值模型能够预测TVS 二极管瞬态电压抑制时的电特性.     

基于ESD的TVS冲击电压特性机理研究

瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor,TVS)是一种较为普遍的静电放电(ESD)防护元器件,其本身特性会对ESD的抑制作用产生影响,这是由于其寄生参数导致的冲击电压而造成的。对此,该文对TVS的冲击电压问题进行建模讨论。该文建立了TVS的冲击电压模型,采用最小二乘法对模型的冲击电压波形进行优化,使冲击电压模型的电压波形更接近于实际波形,并且通过高阶矩进行比对校验其相似性。该文对冲击电压的抑制措施进行了研究,可以有效解决TVS本身特性对ESD抑制作用的影响,即降低冲击电压。通过文中的仿真和实验,均可验证该文的冲击电压模型和抑制方法具有一定的有效性。     

ESD3V3S1．B：TVS二极管

英飞凌科技推出一系列可用于改善静电防护性能的TVS（瞬态电压抑制）二极管。静电放电（ESD）可能对敏感的消费电子系统造成损害。新±3．3V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率,可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲击。     

Littelfuse扩大带可定制升级的高可靠性瞬态抑制二极管的供货

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布Littelfuse公司扩大了带可订制升级筛选和分类处理流程的高可靠性瞬态抑制(TVS)二极管的供货。这些元件经过特别筛选分类,适用于对航空电子设备和其它需要高可靠性的应用中的直流电路进行保护,可防止敏感电子设备受到雷电引致的电压瞬变和其它瞬态电压现象的损害。Littelfuse高可靠性瞬态抑制二极管非常适合为FADEC、飞机传感器、航电计算机、电传飞控系统、驾驶舱电子设备和机场着陆辅助系统等航空电子产品提供直流电源保护和ESD保护。其他用途包括能源工业等工业应用。     

英飞凌发布面向低电压应用的最新防静电二极管

2012年7月16日,英飞凌科技发布了一系列可用于改善静电防护性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管。静电放电(ESD)可能对敏感的消费电子系统造成损害。全新±3.3 V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率,可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲     

USB 3．0需要更强大的电路保护

与多数传统MLV(多层变阻器)或TVS(瞬态电压抑制)二极管技术相比,PESD器件具有更低的电容,而其低触发电压和低箝位电压也有助于保护敏感电子元件。     

瞬态电压抑制（TVS）二极管及其应用

瞬态电压抑制（ＴＶＳ）二极管及其应用段景汉１、ＴＶＳ二极管简介本文以ＰＲＯＴＥＫ公司提供的５ＫＷ系列硅瞬态电压抑制（ＴＶＳ）二极管为例，介绍这类器件的主要特性。利用这种器件可以避免过高的瞬态电压对电压敏感元件造成损坏。ＴＶＳ二极管是一种硅ＰＮ结器件，...     

英飞凌电路保护二极管为千兆以太陬数据接口提供浪涌和静电保护功能

英飞凌科技股份公司近日发布了一款全新瞬态电压抑制（TVS）二极管,用于保护千兆以太网接口,以防电压浪涌或静电放电（ESD）带来的损害。这款型号为TVS3V3L4U的二极管具备极低的电容,可满足目标应用对于信号完整性的高要求,同时还具备英飞凌应用广泛的保护器件产品系列所共有的强抗打击能力和电压钳位特性。     

英飞凌电路保护二极管为千兆以太网数据接口提供浪涌和静电保护功能

英飞凌科技股份公司近日发布了一款全新瞬态电压抑制(TVS)二极管,用于保护千兆以太网接口,以防电压浪涌或静电放电(ESD)带来的损害。这款型号为TVS3V3L4U的二极管具备极低的电容,可满足目标应用对于信号完整性的高要求,同时还具备英飞凌应用广泛的保护器件产品系列所共有的强抗打击能力和电压钳位特性。     

TVS瞬态干扰抑制器性能与应用

本文阐述了电子设备瞬态干扰产生的机理，介绍了TVS瞬态干扰抑制器件的工作原理，特性参数及在电子设备中的设计应用。     

产品撷英

SM20MTxxC瞬态电压抑制器(TVS)阵列,是为RS-232和RS-423的应用而设计的,它可以将串扰电压限制到仅有50mV(同类似的单芯片瞬态电压抑制器阵列相比高达90％),抑制了尖峰干扰电压。该阵列可保护多达九个双向端口,使其不受瞬态干扰电压和最高可达1500W能量的8/20μs波形的尖峰脉冲电压的影响。 该单芯片器件采用四点结构连接:输入1对应输出1,地对应地。这种结     

瞬态电压抑制二极管在电路中的应用

主要对瞬态电压抑制二极管作了简单介绍,并给出了一些在电路中的实例及它的选用原则。