某电子系统的ESD抗扰度性能研究

对某军用电子系统（简称被试系统）进行了静电放电（ESD）抗扰度试验,研究了不同放电模式下系统受ESD干扰情况。当放电电压低于2kV时,ESD对于被试系统基本不造成干扰;当放电电压超过2kV后,被测系统信号出现了过零点不正常、不翻转和死机三种现象。分析认为被试系统中检测仪在电磁兼容性（EMC）方面存在的问题,是影响整个被试系统抗扰度的主要原因。采取电磁防护加固措施能提高系统的ESD抗扰度性能。     

外部干扰的抑制(一)

6 ESD、机电设备、功率因数校正、电压波动、电压骤降与跌落 6.1 ESD（静电放电） 6.1.1 ESD的危害 商用与工业设备的ESD测试通常采用IEC／EN61000—4—2所规定的测试方法,该方法主要模拟人体指尖的静电放电。许多人都会有这样的经历,就是当空气的湿度比较低时,用手去触摸一些金属物体（比如门把手）,会发生静电放电。     

从ESDA的新标准看ESD接地

美国静电放电协会（ESDA）新的接地标准揭示了一些建立EPA接地系统时的问题。标准的这次修订将会简化ESD控制计划实施时的一些工作。希望本文有助于工程人员对更新后的ANSI／ESD S6．1的熟悉和理解，消除ESD控制中的接地的疑问。     

舰载电子产品静电危害及其防护

静电放电（ESD）对于电路引起的干扰是电子抗干扰技术中十分重要的一项,目前,电子产品的静电放电敏感度测试已作为电子兼容性测试的一项重要内容,而舰载电子产品中的静电问题尤为重要,本文就静电产生的机理、静电危害及其防护措施展开简单的讨论。     

静电及其防护

静止的电荷有了接地通路时产生静电放电（ESD），在人类的日常生活中这种现象是不可避免地存在的。集成电路技术的发展使电子产品更加小型化和结构复杂性，更易受ESD的攻击，电子制造商每年都因此造成很大的损失。按照防护ESD的五项原则积极防护是电子制造商降低，生产成本，提高产品质量，赢得用户信誉的必由之路。     

静电放电(ESD)在电子装联中的危害及防护

通过对静电及静电放电(ESD)的简单介绍,提出了在电子装联中进行静电防护的必要性和基本思路.     

重提静电防护

静电放电（ESD）是在电子装配中电路板与元件损害的一个熟悉而低估的根源，它影响每一个制造商，无任其大小。虽然许多人认为他们是在ESD安全的环境中生产产品，但事实上，ESD有关的损害继续给世界的电子制造工业带来每年数十亿美元的代价，为了有效地抗击和防止静电放电，必须对静电及其对电子元件和产品的危害有正确的认知，然后采取适当的工具、材料和措施创造一个静电安全的工作环境。     

一种信号处理机抗静电干扰的有效方法

论述了一种行之有效的静电放电(ESD)综合处理方法,即综合采用了屏蔽、接地、滤波的方法来抑制ESD。简要介绍了雷达信号处理机静电放电试验的故障现象,然后对该故障进行排查、定位,最后对故障原因进行了机理分析和研究并给出了解决问题的思路和方案。     

合理有效地预防和控制ESD危害

正静电就如我们周围的细菌一样,由于原子分子存在,任何物质只要有接触和分离,甚至不接触,通过感应都会产生静电。只要静电电位不相等,静电放电(ESD)就会发生。现代电子元器件的密度越来越大,速度越来越快,其抗静电的能力越来越弱。那么如何防护静电与控制ESD的发生呢?只要合理有效地控制人体静电放电、设备静电放电,控制元件操作附近的静电电压/电场就能控制绝大部分生产过程中的静电放电。     

全过程控制的ESD防护管理

介绍了ESD（静电放电）现象,阐述了静电敏感器件（SSD）在电子产品研制、生产全过程中必须采取的静电防护措施,以及通过实时监控系统来实现静电防护的闭环管理。     

基于人体起电实验外推超低电压研究

随着电子工业技术的飞速发展,电子产品静电放电(electrostatic discharge,ESD)敏感度电压已经低于人体模型(human body model,HBM)电压50 V,然而现有防静电工作区(electrostatic discharge protected area,EPA)配置要求标准只是针对于ES...     

电装车间的静电危害及静电防护

静电放电是一种常见的自然现象,它对电子产品生产、装配的危害所造成的损失是不可估测的.电装车间承担着电子产品装配任务,需要进行元器件焊接、组装、调试、包装等工序,由于接触分离、磨擦、感应等作用产生静电,可随时对产品造成静电危害.分析了电装车间主要静电产生源和静电放电产生的原因、机理及破坏机制,提出了在接地系统、人员、设备以及环境等方面有效的防静电措施.     

静电损伤及其防护措施

本文提出了轻微静电损伤和严重静电损伤的概念,简述了静电放电模型,指出了提高器件抗静电放电能力的对策。     

GaAs MMIC抗静电能力研究

用人体静电放电模拟器对以ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ为主要有源器件的ＭＭＩＣ的静电敏感度进行研究,叙述了在ＭＭＩＣ设计、工艺制作等环节防静电和提高ＭＭＩＣ抗静电能力的措施,采用这些措施后,低噪声ＭＭＩＣ静电损伤阈值达到５００～８００ Ｖ。     

静电防护系统理论的探讨及其实际应用

静电放电是一种常见的自然现象，它对电子元器件，产品生产制造，组装的危害所造成损失是不可估测的，针对静电放电对电子产品影响这一特点，依据国内现行静电防护标准和同行业的静电防护的实践经验，对公司的电子车间进行了全方位静电防护设计，在探讨静电防护系统理论的同时也详细地介绍了的静电防护设计及应用／     

Characterization Analysis of UDSM LVTSCR Under TLP Stress

The characteristics of a low-voltage triggering silicon-controlled rectifier (LVTSCR) under a transmission line pulse (TLP) and the characteristics of high frequency are analyzed. The research results show that the anode series resistance has a significant effect on the key points of the snapback curve. The device characteristics can fit the requirements of a electrostatic discharge (ESD) design window by adjusting the anode series resistance. Furthermore, the set-up time of the ESD has an influence on the turn-on voltage of the LVTSCR. A steep rising edge will cause the turn-on voltage to increase. The parasitic capacitance of the device for different voltage biases and frequencies determines the capacitive impedance, and its accuracy calculation is very important to the ESD design of high frequency circuits. Our research results provide a theoretical basis for the design of an ultra-deep sub-micron (UDSM) LVTSCR structure under ESD stress and the improvement of TLP test technology.     

Effects of background doping concentration on electrostatic discharge protection of high voltage operating extended drain N-type MOS device

In this study, the effects of background doping concentration (BDC) of a high voltage operating extended drain N-type MOSFET (EDNMOS) device on electrostatic discharge (ESD) protection performances were evaluated. The EDNMOS device with low BDC suffers from strong snapback in the high current region, which results in poor ESD protection performance and high latchup risk. However, the strong snapback can be avoided in the EDNMOS device with high BDC. This implies that both the good ESD protection performance and the latchup immunity can be realized in terms of the EDNMOS by properly controlling its BDC.     

人体静电放电参数对带电电压的依赖关系研究

在带电电压为200～3000V的范围内测量了带电人体放电电流和上升时间,计算了其他放电参数;研究了放电参数与电压和电板速度的相关性.将RampeWeizel定理用于空气中带电人体的小间隙静电放电模型.观察发现在电压为800V时放电参数在电极运动速度影响下出现临界值.当电压高于1000V,或低于600V时,电极移动速度对放电参数的影响出现降低的趋势.     

Investigation on SCR-based ESD protection device for biomedical integrated circuits in a 0.18-μm CMOS process

In these decades, integrated circuits for biomedical electronics applications have been designed and implemented in CMOS technologies. In order to be safely used by human, all microelectronic products must meet the reliability specifications. Therefore, electrostatic discharge (ESD) must be taken into consideration. To protect the biomedical integrated circuits in CMOS technologies from ESD damage, a dual-directional silicon-controlled rectifier (DDSCR) device was presented in this work. Experimental results show that the DDSCR has the advantages of high ESD robustness, low leakage, large swing tolerance, and good latchup immunity. The DDSCR was suitable for ESD protection in biomedical integrated circuits.