逆变弧焊电源的可靠性

简述了国内逆变弧焊电源现状，结合笔者的研制工作，就如何提高ＩＧＢＴ逆变弧焊电源的可靠性问题，从保护电路，线路的抗干扰，逆变器的热设计，驱动电路等方面进行了阐述。     

全数字化控制机器人用IGBT逆变弧焊电源的研究

弧焊机器人在现代焊接生产中正在发挥越来越重要的作用，但目前现有焊接电源很难满足机器人系统对电源的要求，为了充分发挥其优势，本论文开展了全数字化控制机器人用ＩＧＢＴ逆变弧焊电源的研究工作。首先，建立了高响应速度为５００Ａ ＩＧＢＴ逆变弧焊整流器；其次，建立了功能丰富、实时性好及适应范围广的全数字控制系统，并对其进行了可靠性与抗干扰设计；最后，对低碳钢进行了工艺实验，实验结果表明，达到了设计要求。     

IGBT弧焊逆变器中两种新的保护措施

本文介绍了有关ＩＧＢＴ逆变弧焊电源的两种新的保护措施。     

逆变弧焊电源的远程监控系统研究

随着焊接生产自动化和逆变弧焊电源的规模化使用,使得逆变弧焊电源维修和保养越来越困难,采用焊接电源的远程网络监控将能很大程度上缓解这种现状.在此对基于Internet的逆变弧焊电源的远程监控系统进行了研究,设计了基于嵌入式Internet的远程监控系统,并结合逆变弧焊电源进行远程监控实验.实验证明,该系统可以对逆变弧焊电源的焊接参数进行远程设置,也可以远程检测逆变弧焊电源的工作状态.     

CAD在IGBT弧焊逆变器中的应用

本文论述了ＣＡＤ技术在弧焊逆变领域应用前景，分析了弧焊逆变器开关管ＩＧＢＴ模型，对半桥式弧焊逆变电源主电路进行了计算机仿真，得到了符合实际的各种波形，进一步证明了ＣＡＤ技术在孤焊电源中的成功应用。     

智能化逆变弧焊电源控制策略现状及发展趋势

弧焊电源是整个焊接设备的核心,而弧焊电源的发展更决定了焊接领域的发展。其中弧焊电源控制的好坏,直接影响着弧焊电源中各参数的反应速度与效率,因此,弧焊电源的控制设计成为其重要环节。本文介绍了逆变弧焊电源的发展历史,重点论述了智能化逆变弧焊电源控制的现状,介绍了近年来在逆变弧焊电源技术中模糊控制、神经网络控制、视觉采样以及...     

半桥式IGBT逆变焊接电源输出容量计算及变压器参数设计

对半桥式ＩＧＢＴ逆变焊接电源输出容量的计算进行了理论分析，推导出相应的数学表达式，在此基础上分析了影响焊机输出容量的主要因素，从而为此类型焊接电源变压器的设计提供了必要的理论依据，最后，以输出容量１１ＫＷ（３１５Ａ）的手弧焊电源变压器参数设计为例，介绍半桥式ＩＧＢＴ逆变焊接电源变压器的设计方法。     

热管散热器在逆变弧焊电源中的应用

逆变弧焊电源不仅高效节能，而且质量轻，体积小，动态特性和弧焊性能好。其中的二极管，ＩＧＢＴ等发热器件采用热管散热器后，能进一步加大焊接电流提高了整机的综合性能，是现代焊机的发展方向之一。     

IGBT400A逆变式弧焊电源及其控制研究

介绍了一种ＩＧＢＴ逆变式弧焊电源的基本结构及其工作原理，对其控制方法进行了讨论，并提出了氩弧焊时小电流接触引弧的方法。     

仿真在逆变弧焊电源研究中的应用

本文对逆变式弧焊电源中感性参数的影响进行了分析和仿真，研究表明：漏感、原过回路电感严重地恶化了逆变式弧焊电源的工作状况，而输出电感则影响着电源的动态特性。     

逆变弧焊电源主电路器件及整机可靠性

本文主要论述逆变弧焊电源主电路各部分器件的选取及其对整机可靠性的影响，同时介绍了国外名牌逆变弧焊电源主电路所采用的关键器件及目前可使用的先进而实用的器件。     

Novel oxadiazole-containing conjugated polymers as efficient single-layer light-emitting diodes

A poly(phenylenevinylene) (PPV) containing oxadiazole units in both the main chain and as main chain substituents was synthesized. Single-layer LED (light-emitting diodes) devices fabricated with this polymer show external efficiencies of 0.15% with calcium as the cathode and 0.068% with alumina as the cathode. In addition, these devices show good stability under ambient operating conditions.     

弧焊逆变器主电路的拓朴结构

通过对ＩＧＢＴ，ＭＯＳＦＥＴ等为开关器件的新一工弧焊逆变器主电路的拓扑结构进行的数学分析和研究，建立了电路层次的数学模型，探讨了四种典型拓朴结构的特性，推导了它们的输出功率和开关器件的电流式，得出了一些有意义的结论。     

弧焊逆变器主电路的拓朴结构

通过对ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ等为开关器件的新一代弧焊逆变器主电路的拓朴结构进行的数学分析和研究，建立了电路层次的数学模型，探讨了四种典型拓朴结构的特性，推导了它们的输出功率和开关器件的电流表达式，得出了一些有意义的结论。     

基于滞环控制的三相高功率因数整流器

目前大多数整流装置使用二极管或晶闸管整流,这些整流方式存在谐波污染大、功率因数低的问题。针对谐波问题提出了很多方法,如有源滤波、多重化技术,但这些方法没有从根本上解决谐波问题。三相高功率因数整流器不产生谐波,且可在高功率因数下运行,控制方法也较为灵活。在此介绍了该整流器主电路结构及其控制方法,详细分析了用滞环比较策略产生开关管控制信号的方法。用Matlab对该控制方法进行仿真,验证了方法的可行性。     

GaAs器件和MMIC的失效分析

从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓（GaAs）器件和单片微波集成电路（MMIC）退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入了损伤退化,并针对几种常见的失效原因：过电烧毁、静电损伤、器件分层、设计和工艺缺陷等进行举例分析,为生产和使用过程中控制其主要的失效模式及失效机理提供参考和依据。     

Special Features of Nucleation and Growth of Tin Crystals in the Temperature Range of Its Polymorphic Transformation

Special features of nucleation and growth of tin whiskers in the range of tin polymorphic transformation on galvanically tin-plated surfaces of parts of electric devices and laboratory specimens in the absence of the action of electric fields and moisture are considered. The main factors responsible for the nucleation and growth of crystals are determined. Process and maintenance recommendations are given for deceleration of formation of crystals in the period of storage and service of devices.     

流体传动夹具中介质绿色化的途径与方法探讨

简曼介绍了流体传动夹具中介质绿色化的儿个研究方向；重点介绍工作者创新的具有显著绿色特征的高倍增力气动夹具和双级双作用气液复合传动装置，并给出了主要技术参数的计算公式。     

Growth optimization of double-walled carbon nanotubes yielding precisely designed structures

We demonstrate the formation of precisely designed double-walled carbon nanotube (DWNT) structures via growth optimization of thermal chemical vapor deposition. Effects of various growth factors such as different catalyst film- and buffer layer-thicknesses, flow rates and growth time were investigated to produce desired DWNT structures. We used acetylene as the main feedstock and fabricated site selective DWNT vertical structures through a catalyst patterning process. The DWNT structures will be applicable to areas where mechanical stability with thin diameter is required, such as in nanotube-based composites, electron emission devices, heat release components in electric devices and nanoelectromechanical systems.     

医疗器械临床试验数据真实性和完整性的监督检查

为加强医疗器械临床试验监督管理，国家药品监督管理局采用回顾性检查方式，每年对在审项目的医疗器械临床试验实施监督检查，以确保医疗器械临床试验数据真实和完整。本文总结了3年来医疗器械临床试验监督抽查基本情况和我国医疗器械在临床试验过程中存在的主要问题，旨在强化申请人和临床试验单位对临床试验质量的重视，提高临床试验水平，进而提升我国医疗器械研发水平。