共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
简要地评述了硅微波功率DMOSFET(LDMOS,VDMOS)的发展概况,叙述了硅微波功率DMOS的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率DMOS的性能,特点与BJT进行了比较,并对其应用,发展方向及前景进行了探讨。 相似文献
2.
3.
描述了硅微波功率三极管的失效模式,给出了器件输出功率与器件耗损功率的关系,得出了微波脉冲电流与有效值的关系,证明了器件在规定的参数范围内能可靠工作,推论了器件失效发生时的状态。指出器件的失效是热电正反馈熔融烧毁所致,是使用问题而不是器件的本质失效;其分析过程对其它器件的失效分析有指导作用。 相似文献
4.
5.
6.
干法腐蚀与传统的湿法腐蚀相比,具有明显的各向异性,并且具有较好的可重复性、可控性及在硅片加工中易实现连续生产等优点,已成为目前硅微波功率晶体管研制和生产的关键技术.本文对目前干法腐蚀在硅微波大功率晶体管中的应用进行了分析,指出随着硅微波功率晶体管工作频率的不断提高,对高性能各向异性的干法腐蚀技术要求也更加迫切. 相似文献
7.
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS 微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W 硅LDMOS 微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0. 19 ℃/ W。在50 V 工作电压、230 MHz 工作频率、脉宽为100 滋s、占空比为20% 、输入功率为6 W 的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23. 5 dB,漏极效率74. 4% ,电压驻波比10:1。该晶体管已实现工程应用。 相似文献
8.
微波功率模块(MPM)广泛应用于远距离通信、电子对抗、下一代有源相控阵雷达和诱饵等领域,本文介绍了MPM的基本原理,简述了MPM的内部组成,分析其优点和关键技术难点,总结国内外的发展现状,并展望了MPM的发展趋势。 相似文献
9.
本文阐述了国内外硅双极微波功率晶体管和砷化镓微波功率场效应晶体管的发展历史和现状,并分析了微波功率晶体管的发展特点。介绍了HBT,HFET,MISFET,金刚石、SiC电子器件,真空微电子器件等用于或将用于微波、毫米波功率领域中的情况。提出了发展微波功率晶体管的几点想法。 相似文献
10.
南京电子器件研究所研制成功工作频率3.1~3.4GHz,脉冲宽度300μs,占空比10%,输出功率大于50W,功率增益大于7dB,效率大于40%的硅脉冲功率晶体管。该器件在脉冲宽度为100μs时输出功率大于60W。器件的输出功率、增益和效率等特性所能达到的水平是工作频率的敏感函数。随着工作频率的提高,器件的高频功率优值(Po·Ro)下降,微波寄生参量变得非常突出,信号损耗增大,造成器件的输出功率、增益和效率的大幅度下降。因少子迁移率的限制,硅功率器件一般工作于S波段以下。限制器件功率输出的另一重… 相似文献
11.
12.
集成固态/真空电子技术的微波功率模块(MPM)是新一代电子武器装备的"超级微波元器件".文中对MPM微波特性进行了研究,由于行波管(TWT)良好的色散特性,使MPM具有宽频带和功率、带宽乘积的优点;又由于固态放大器(SSA)低噪声性能,使MPM具有低噪声特性;高稳定的集成电源(IPC)决定了MPM具有低相位噪声与低杂散的频谱特性,合理的增益分配也使得MPM具有良好噪声特性.文中具体分析了集成电源(IPC)性能对频谱特性的影响,SSA与TWT噪声特性、增益分配对MPM噪声特性的影响,MPM幅相一致性和功率合成效率问题,并给出了仿真曲线,通过对某X波段MPM微波特性测试,验证了MPM优越的性能,也充分表明了MPM具有广泛的应用前景. 相似文献
13.
14.
本文提出了渍波功率密度标准的一种新方法:采用经过改进的开口波导小室作为关键部件,并作了理论分析,设计和制作了一个微波功率密度标准仪,该仪器是校准KW-1型微波泄漏检测器的专用设备。其校准方法的理论分析和基本思想适用于其它微波频段,给出的测试结果,说明该设计是成功的。 相似文献
15.
16.
17.
18.
19.
通过全离子注入双极硅微波晶体管研究中出现的E-B结特性软、低击穿和β变小等现象,从理论上给以浅析,同时,指出了设计和工艺上改进的措施。 相似文献