半绝缘GaAs光导开关不完全击穿前后暗态电阻降低原因新探

为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小。     

GaAs光导开关暗态击穿原因分析

光导开关(PCSS)在暗态耐压测试中耐压值低于理论值.根据GaAs材料特性,分析了暗态下光导开关的击穿机理.指出碰撞电离与电流控制负微分迁移率效应是导致开关击穿的直接原因.使用Silvaco半导体仿真软件对模型进行了模拟计算,结果表明温度显著影响电场、载流子浓度分布,引起碰撞电离等效应加剧,造成器件耐压值偏低.仿真结果与实验值基本相近,室温下耐压水平为33～40 kV/cm.光导开关击穿特性与温度密切相关,改善光导开关散热条件可提高开关耐压水平.     

一款光控频率选择表面的器件开关特性研究

研究了一款光敏电阻型开关,用以实现光控有源频率选择表面(Optically Controlled Active Frequency Selective Surface, OCAFSS)。该开关在LED等光源激励下亮态阻值可小于20Ω,暗态值接近0.2 MΩ,并随着光源强度的变化阻值可调。通过对光敏电阻内部结构的分析以及借鉴硅片型光控微波开关的建模经验,使用CST等电磁仿真软件对该开关进行了建模与仿真。经实物加工和测试,所得测试结果与仿真结果一致,显示出该光敏电阻在频段0.1~1 GHz可切换亮/暗状态,其S21参数分别为-3 dB以上和-10 dB以下,对应的传输信号可以通过或被阻挡;但随着频率的升高,开关效果不再明显,当频率大于2 GHz以后,亮暗态S21均在-7 dB以上,不再具备开关性能。对该光敏电阻的开关特性研究表明,可将其使用于特定频段OCAFSS。为验证这一结论的正确性,我们制作了一款该使用频段的吸波型OCAFSS,最终测试结果与预期值符合。     

松下TC—2588型彩电开关电源故障分析与检修

一、故障分析该机开关稳压电源电路与其它大屏幕机型相比,属于较为复杂的一种。该机电源部分常见的故障主要有: 1.开机即烧保险丝。若更换保险丝F801后,开机立即烧断,这表明电路存在严重的短路故障。测量IC802第①脚与电源接地点之间的阻值,若阻值为0Ω,则表明IC802内部的开关管已击穿;若阻值较大,则表明IC802内部的开关管完好,需检查电源整流管是否击穿。若IC802内部的开关管已击穿,更换厚膜块IC802后,     

采用双层介质膜和两次源漏区注入的高压CMOS模拟开关

本文介绍一种采用全离子注入的CMOS/双极兼容工艺制做的高压低阻值CMOS模拟开关.采用双层介质膜作为栅绝缘膜,可以大大降低导通电阻.在源漏区采用两次注入的办法,可以把栅—漏或栅—源之间的击穿电压从一般的25伏提高到80伏.这种模拟开关可工作在60伏以上,其导通电阻低于15Ω,非线性失真低于-70dB,通阻比大于80dB.     

三芯耦合波导中暗态的研究

Silberberg等利用三芯耦合光波导的暗态现象,实验研究了非线性对相干布居囚禁量子效应的影响。然而,对该三芯耦合波导中的非线性传输特征数值计算的研究表明,相干布居囚禁与光波导的非线性自囚禁两种效应都可以导致波导中暗态的产生,当两种效应同时作用时,则导致暗态现象的破坏。因此,仅从暗态的变化研究非线性对相干布居囚禁的影响是不完备的。在相干布居囚禁的理想条件下,非线性影响暗态的阈值功率趋于无穷大,这意味着理想相干布居囚禁量子效应不受限于系统的非线性效应。     

微带线不连续性对光电导开关非线性特性的影响

实验对自行研制的全固态同轴―微带型横向半绝缘砷化镓(SI-GaAs)光电导开关传输特性进行了研究：当偏置电压达到一定阈值时,普通开关进入了非线性锁定（Lock-on）工作模式;在相同实验条件下,当微带线出现不连续时,输出的电脉冲波形没有出现锁定现象;分别用空气击穿的流注模型和微带线等效电容机理分析了微带线不连续效应引起整个开关电路性能变化及抑制开关Lock-on效应的原因。     

闪光灯电路常见故障及原因

故障:打开闪光灯开关,高压指示灯不亮,也无“吱吱”声。原因:①电池电压低;②电池正负极弹簧簧片接触不良;③闪光灯开关接触不良或电池接线松脱;④振荡三极管击穿、断路,β值过低;⑤整流二极管击穿;⑥电阻断路或阻值变大。     

半绝缘GaAs光电导开关的光控预击穿特性

用波长1064nm,触发光能为0.5mJ的激光脉冲触发电极间隙为4mm的半绝缘（SI）GaAs光电导开关,当偏置电压达到4kV时,开关并未引发自持放电,而是进入非线性（lock-on）工作模式,即开关处于光控预击穿状态。分析认为：通过激子的产生和离解激子效应贡献了光电导;碰撞电离、雪崩倍增、激子效应补充了因外界光源撤出后所需的载流子浓度和能量。在上述因素的相互作用下,SI-GaAs 光电导开关并没有引发自持放电而是处于光控预击穿状态,丝状电流特性影响着开关的损伤程度。     

激光触发GaAs光电导开关非线性现象的实验研究

实验研究了光电导开关的非线性现象,结果表明用半导体激光脉冲串触发光电导开关,在保持激光触发GaAs光电导开关实验条件不变的情况下,产生非线性的电阚值会不断降低.测量和比较试验前后光电导开关暗电阻,初步表明产生非线性的电阈值降低,是光电导开关因光照和产生非线性引起内部材料物理机制发生变化所致.