离子敏场效应晶体管与酶场效应晶体管

<正> 目前,国内研制的离子敏场效应晶体管都是分立的、单一功能的。例如,一只微型电极(由一个场效应管的芯片构成)只能测一种离子,如果同一芯片上制作2～4个离子敏场效应晶体管,再涂上不同的离子敏感膜,则可同时测2～4种离子,在医院临床检查上,需要同时检测血液中H~+,K~+,Cl~-,Ca~(++)等四种离     

互补MOS低功率、低电压集成二进制计数器

一种特别适用于低功率、低电压应用的单块集成互补MOS二进制计数器已研制成功。电路结构(topology)允许一个到一组所有p-沟道和所有n-沟道MOS晶体管在两种不同性质的表面面积内一次做成。这一特点大大减小了给定操作功能的电路所必须的表面。电源电压为1.35V时,电路消耗的动态电流约为10nA/KHz。在原材料中,用腐蚀和外延再淀积窗孔得到互补型衬底。为了达到低功率、低电压,本文将讨论互补MOS集成电路所要解决的工艺问题。     

离子敏场效应晶体管

近年来对基于ＭＯＳ技术制造的离子散场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的特性研究做了大量的工作。综述了ＩＳＦＥＴ器件（尤其是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）在敏感机理、集成化、封装和应用等方面的研究状况与新进展。     

离子注入场效应晶体管分析程序

登记号 880085 开发单位南京电子器件研究所功能简介本程序可用来计算非均匀有源层掺杂的GaAs MESFET的直流参数,等效电路参数和微波参数。分析有源层载流子分布,迁移率分布对器件性能的影响,优化离子注入器件的性能。另外,利用该程序还可以数据     

金属-氧化物-半导体场效应晶体管存贮器电路

金属-氢化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)目前正广泛地应用于各种存贮器。存贮器的要求和金属-氧化物-半导体器件和工艺的特点导致出许多为此类应用的独特的电路。本文评论了存贮器系统的组织和设计考虑。举出了具体的电路例子进行分析,包括随机存取单元、移位寄存器、只读存贮电路和芯片上的外围电路;讨论了互补和非互补电路。     

脈冲运用下功率晶体管并联电路

在开关电路中,如果要进行开关的电流大于单个晶体管的收集极允许电流,则可将多个晶体管并联起来。通常如果将收集极与发射极简单地联接,由于晶体管的集一射电阻的不同,则晶体管将流过不同的收集极电流。这时,如果一个晶体管过热而致损坏,总电流将分配给其他晶体管,因而使这些晶体管也同佯的过载而致损坏。     

功率晶体管的一种过流保护电路

<正> 在各种电力电子装置中,最关键的部件是大功率开关器件,所以保护电路设计的好坏直接关系到整个装置设计的成败.对于某一具体装置,设计针对各种情况的全方位保护措施一般是没有必要的.因为这将使系统变得复杂,反而降低系统的可靠性.必须根据装置的具体使用环境,设计最有效的保护电路.一般说来,在各种保护措施中,过流保护较为典型,且具有较广泛的保护性.本文针对目前使用广泛的大功率晶体管(GTR)在应用中容易发生过流损坏的情况,提出了一种过流保护电路.该电路通过检测集电极电压来识别过流,控制电路将过流信号进行处理,在判断过流时,提前结束该管的触发信号,使GTR迅速关断;在长时间过流时,能自动停机保护.     

DNA场效应晶体管的研制

研究了基于场效应晶体管的DNA传感器。分析了DNA场效应晶体管的工作原理、测试电路、芯片加工和生物膜固定化方法,并用此种传感器对寡聚合苷酸序列进行了测试,得到了可行性的实验结果。同时讨论了测试中面临的问题和解决的方法,以及有待进一步研究的问题。     

DSTN功率门控电路休眠晶体管尺寸优化方法

针对分布式休眠晶体管网络功率门控结构中休眠晶体管尺寸优化问题,提出一种新型的最大瞬时电流(MIC)的估算技术.首先提取电路中标准单元的相关参数,利用解析式进行单元MIC的计算,再通过处理单元的时序信息和布图信息进行电路分簇的MIC计算,可使获得的MIC约束更紧、运算速度更快;根据获得的电路MIC信息,应用启发式算法,通过引入λ因子的启发式算法和模拟退火算法分别对休眠晶体管尺寸进行了优化.优化结果显示,采用文中的技术可使休眠晶体管的面积冗余降低到1％以下,并可以缩短整个优化过程.SPICE仿真验证结果表明,将休眠晶体管插入电路后,虚拟地线上的电压降完全满足小于5％ Vdd的设计约束.     

互补型晶体管功率放大器

概述在各种各样的控制系统中,都要用到驱动执行元件——电机的功率放大器。目前国内外广泛采用的功放有脉宽调制功放,可控硅功放和线性功放三种,究竟采用那种功放合适,要根据具体情况而定。 采用力矩电机以及各种低压小功率的直流电机作执行元件的系统,最好选用线性功放,即晶体管功放。该功放和脉宽调制功放,可控硅功放相比,它的特点是,电流和电压在负载中连续,线性度优良,动态性能好,     

增强型硅肖特基势垒场效应晶体管

随着半导体设备更加大形化,因而对器件低功率化、高可靠性的要求就日益强烈。双极集成电路速度快,但消耗功率大,组装密度不高。MOS集成电路功率低,面积与硅片价格乘积小,所以适合于大规模集成。但要实现大容量集成电路存贮器,必须要消耗功率更低和速度更快。     

场效应晶体管通用二维分析程序

登记号 880088 开发单位电子部55所功能简介本程序可用于分析砷化镓单栅、双栅肖特基势垒场效应晶体管,也用于分析埋栅型硅结型场效应晶体管。用户只要将器件的结构参数、材料参数,外加偏置条件输入计算     

氟离子场效应晶体管的研究

本文研究了用氟化镧单晶为敏感膜的氟离子场效应晶体管,简称为F_--ISET。经实验测定,其线性响应范围为10_0～10_(-4)mol,氟化钠,在25℃时响应斜率为56±1mV/pF,对氯离子具有很好抗干扰能力,国内尚未见报道。本文提出LaF_3单晶与待测溶液交界面是一种非极性界面模型及等效电路,理论分析与实验结果相符。     

结型场效应晶体管低电平转换开关

本文主要讨论了利用结型场效应晶体管作低电平电压转换开关的优越性和尚待解决的一些问题,并对用这种元件制成的256点低电平电压转换装置的速度、精度和共模抑制能力进行了分析。     

衬底型离子敏感场效应晶体管

衬底型离子敏感场效应晶体管是一种化学敏感器件,它不同于普通的离子敏感场效应晶体管。这种器件的敏感膜是沉积在衬底的背面。敏感膜的活性区与测试溶液接触,引起漏源电流变化。本文从理论上推导出了衬底型器件漏源电流的计算式。     

双栅场效应晶体管及其应用

本文介绍双栅ＭＯＳ场效应晶体管的工作原理与特性，并给出了它在调制和解调等电路中的一些典型应用举例。     

采用硅-兰宝石工艺的高性能低功率互补MOS存贮器

简介——采用硅栅工艺和器件沟道长度为5微米制作的硅-兰宝石互补MOS反相器已达到毫微秒的传输延迟和微微焦耳的动态功率与延迟乘积。除了开关速度快和动态功耗低以外,反相器具有低的泄漏电流,所以得到了低的静态功耗。 已制作了两种具有单个反相器性能特点的复杂的硅-兰宝石互补MOS存贮器。十种是铝栅256位全译码的静态随机存取存贮器,特征是在10伏时典型的取数时间为50毫微秒,静态功耗为每位0.4微瓦,动态功耗为每位10微瓦。在5伏工作时典型的取数时间是95毫微秒。另一种是硅栅256位动态移位寄存器,特征是10伏时可以在200兆赫时钟信号下工作,5伏时工作于75兆赫。在50兆赫和5伏时,典型的动态功耗是每位90微瓦。     

氨敏场效应晶体管微型化的研究

本文对探头及测试器件的微型化,研究了一些有效办法并用了氨敏场效应晶体管,取得成功     

离子选择性场效应晶体管的新发展

离子选择性场效应晶体管作为一种新型的化学传感器,面对目前向信息社会转变的历史潮流及信息技术对信息采集、传输及处理的需要,在国内外日益得到愈来愈多的重视及发展。众所周知,在我们研究ISFET的过程中,以及ISFET的应用领域已不再局限于仅仅能对离子有响应,而对分子、大分子、甚至对生物物质有响应,而被称作Chem FET及BioFET。本文将综述近年来国内外在以场效应晶体管为基础的化学传感器的发展。     

对有机磷化合物敏感的场效应晶体管

<正> 从1985年起,我们采用酞菁类化合物作敏感材料,研制了对有机磷化合物敏感的化学敏感场效应晶体管(CHEMFET),获得了较好的效果。 对有机磷化合物敏感的CHEMFET有一个敏感栅,使用的是有机半导体材料。这种敏感材料类似无机半导体的掺杂过程,通过聚合物