锡渣的形成特点和减少措施

随着无铅钎料的广泛使用,波峰焊过程将产生更多的锡渣,造成生产成本增加。通过对其分布特点的研究,将锡炉熔融钎料表面氧化物分为A~E5个氧化物区,并分析了各区域氧化物的特点,列举了几种减少氧化渣的办法,分析了他们的实用性。     

用HCl加热氧化法制备优质栅氧化物介质的实验

栅氧化物介质是MOS电路制作中的关键工艺之一。近年来大量地报告了有关在热生长栅氧化物介质时将氧或氧化物适量地添加到氧化气氛中去。证实了可以获得优质的栅氧化物介质,HCl氧化法就是其中方法之一。我们在鼓泡法基础上利用不同温度下HCl的PHCl值的不同,对HCl进行加热,实现了简便地控制优质栅氧化物介质的目的。大量实验证明这是切实可行的。     

高电流密度氧化物阴极进展

氧化物阴极直流运用的发射电流密度为0．5A／cm^2，如使用Sc2O3分配式氧化物阴极，可使发射电流密度提高到2A／cm^2，而使用Ba2Sc2O5分配式氧化物阴极则有进一步提高到3．8Am／cm^2的可能。若采用Sc2O3的钨薄膜分配式氧化物阴极，则可进一步达到4A/cm^2不掺杂物质，仅将(Ba,Sr，Ca)O制成亚微米氧化物阴极也可将电流密度从0．5A／cm^2提高到2A／cm^2。     

推荐一种长寿命单件式阴极

引论通常.电子管氧化物阴极都是由镍基底与其上涂复的碱土金属氧化物多孔层构成的。在镍基底中含有浓度极低的还原剂,比如镁、硅和铝等等。在高温下,这些还原剂不断地向氧化物涂层扩散,并使少量氧化钡还原成钡,这对于激活氧化物的发射面来讲,游离钡的存在是十分必要的。关于氧化物阴极的上述工作机理是共所周知的。在常规氧化物阴极中,可用镍基金属冲制成阴极帽,再用点焊法将阴极帽焊接征用镍铬合金制成的阴极套上,镍铬合金的成分按重量     

无铅波峰焊钎料氧化渣动态形成特点

按照分布规律,将锡炉熔融钎料表面氧化物分为A～E5个氧化物区,分析了各区域氧化物的特点,研究了A、B2个区氧化渣的动态形成过程。A区氧化渣是波峰的瀑布效应引起的,主要在前喷嘴与前方炉壁之间的区域形成,其形成原因有剪切成渣、氧化物夹带钎料运动堆积成渣和负压吸氧3种。B区氧化渣由氧化膜包裹钎料堆积而成,是两喷嘴间液面波动和钎料定向流动共同作用的结果。     

电致变色型玻璃窗

人们早就发现:某些无机半导体材料,即所谓的过渡金属的氧化物,在外电场的作用下,它们对可见光的吸收能力就将明显地增强,因而可呈现出某种颜色。这种现象称为电致变色现象。这样一些过渡金属的氧化物有:钨和钼的氧化物,以及钒、铟和钛的氧化物。而且近几年的研究表明,某些有机聚合物材料也同样具有电致变色效应。     

红外吸收滤光片及其制备方法

本发明提供一种红外吸收滤光片及其制备方法。该红外吸收滤光片由70—98％克分子的SiO2、1-12％克分子的CuO和1—18％克分子的网络外体氧化物构成,其制备过程就是将一种二价铜化合物和一种充当网络外体氧化物的金属物质化合物掺入一种湿凝胶中。为了使二价铜化合物和作为网络外体氧化物的金属物质化合物沉淀在湿凝胶中,     

透红外氟化物玻璃

本文报道两种透光范围从紫外一直到中红外7～8μm的氟化物玻璃。这些玻璃可采用两种不同方法制备:1)无水氟化物直接熔化法将用无水氟化物配制的配合料用铂坩埚在惰性气氛或保护气氛中直接加热熔化,然后将熔体冷却,浇注成玻璃。2)氟化氢铵氟化法利用氧化物作原料,在300～400℃先用过量的氟化氢铵将氧化物氟化,然后再升高温度将氟化     

将磁性结构集成到标准CMOS工艺飞思卡尔让MRAM更上一层楼

一般而言,闪存的工作原理是借助将浮动多晶硅(浮动栅)覆盖在栅氧化物上,来保存位于其上的电荷。此时闪存位单元的编程需要一个高电压场,才能将电子的速度提高到足够快,以便电子能够克服硅物质和浮动栅之间的氧化物的能量障碍,使电子能够穿过氧化物,给浮动栅充电,而浮动栅又会改     

金属-氧化物结点三次谐波特性分析与实验研究

基于金属与金属氧化物接触的势垒模型和整流理论,从金属-氧化物结点的非线性伏安特性出发,分析了金属-氧化物结点在微波照射下的谐波再辐射特性及结点上产生的三次谐波电流分量的表达式。此外,从金属-氧化物自身的角度出发,经过详细的理论推导,讨论了金属-氧化物结点再辐射特性中影响三次谐波电流分量强弱的因素。理论结果表明,其它条件相同时,当金属与氧化物的接触面积较小,或者金属与氧化物接触面的势垒高度较大时,金属-氧化物结点上再辐射的三次谐波电流分量较弱。最后,通过实验测试验证,当金属与氧化物的接触面积减小或者金属与氧化物接触面的势垒高度增大时,金属-氧化物结点上的三次谐波分量明显减弱。     

电子探针定量分析中以高价氧化物为基元的α因子修正关系式

在氧化物体系(包括硅酸盐和其它含氧酸盐)的电子探针定量分析的α因子修正方法中,通常以低价氧化物和余额氧为基元进行计算,这在应用上有时并不方便。本文推导了以高价氧化物为计算基元的α因子修正关系式。在用此关系式对含有高价氧化物的试样进行分析时,可以直接得到高价基元氧化物的含量。对于有标样法和无标样联立方程法的计算,此关系式均可应用。高价基元氧化物的α因子值可从低价基元氧化物和余额氧的α因子值通过换算得到。文中列出了几种高价基元氧化物的计算α因子表。     

氟氧化物中Tm3+的光跃迁

由氟化物微晶镶嵌于氧化物玻璃基质中构成的氟氧化物玻璃陶瓷（ＦＯＶ）,由于兼具氟化物的好的光学性能和氧化物的机械、化学稳定性和易于制作等特点而受到关注． 本文测量了 Ｔｍ３＋（０．５ ｍｏｌ％） 掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷和玻璃（ＦＯＧ）吸收谱,发现由于局部晶场的增强,各峰的半高宽略变小,而致３Ｆ４、、３Ｆ３能态的峰值吸收增大． 根据振子强度与积分吸收系数的关系,求得各吸收跃迁的振子强度的实验值．可以看出,Ｔｍ３＋在氟氧化物玻璃陶瓷中的吸收较强,这将有利于产生高的泵浦效率,而在较宽的波段范围内均有较强的吸…     

自对准MOSFET概述

一般的 MOSFET 工艺是用厚氧化物作为扩散掩蔽,因而需要光刻和重复对准步骤以确定短沟道区上的栅氧化物及栅电极。自对准 MOSFET 是用另一种方法制造的,其源和漏可与栅电极自动对准。自对准 MOSFET 已经并将要得到电子工业界日益增加的观注。     

凸版印刷利用低温工艺的涂布型薄膜晶体管降低电子纸制造成本

凸版印刷采用透明非结晶氧化物半导体,试制出了将制造工艺控制在低温状态的涂布型薄膜晶体管＂Thin Film Transisto（rTFT）＂,并成功地驱动了电泳方式的可弯曲显示器（E-ink电子纸）。该显示器通过印刷法涂布氧化物半导体层,其它层采用与普通TFT相同的制造工艺形成。     

氧化物阴极(续)

4—3 氧化物涂层的电阻 碱土金属氧化物是一种宽禁带的半导体。其内由于带间跃迁出现的电流载流子浓度较低。实际上,全部导电电子都是由施主中心（杂质.晶格缺陷）电离产生的。体积中后者的浓度。处在与决定于阴极热电子活性之晶体表面上缺陷浓度的平衡状态中。这就引起了研究氧化物涂层体积之物理特性的兴趣《电导率、热电动势、霍尔效应等）。来看看所进行工作的主要结果。考虑到氧化物涂层的成份和结构的复杂性,它的电物理特性与活性状态有关系,在叙述多孔系统的数据时,将把它的性质与相应活性状态中单晶体的性质对照。     

激光烧蚀法制备半导体纳米丝的研究进展

简要介绍了当前国内外激光烧蚀法制备半导体纳米丝的研究现状。介绍了目前激光烧蚀法制备的实验装置及所采用的激光束参数。比较了不同实验结果中在纳米丝结构和生长方向等方面的差异，并分析了半导体纳米丝生长的VLS金属催化机理和氧化物辅助生长模型，我们认为Si-金属混合物作靶时金属催化作用对纳米丝的生长起主要作用，而在Si-氧化物混合物作靶时，氧化物辅助作用将占主导地位。     

氧化物阴极的应用研究及发展

氧化物阴极是真空器件应用最广泛的热阴极,为了满足微波器件向高功率、宽频带、长寿命等技术要求的持续发展,提高氧化物阴极的直流及宽脉冲发射电流密度、增强它的稳定可靠性一直是氧化物阴极应用研究的主题。本文主要论述氧化物阴极电子发射过程、分析氧化物阴极存在问题根源及解决的方法,研制出新型氧化物阴极,给出了阴极直流、脉冲、寿命性能以及在高功率速调管和行波管的应用,展望了它的应用前景。     

三星开发出非结晶氧化物TFT速度为全球最快

韩国三星尖端电子研究所（SAIT）宣布，开发出了高速非结晶氧化物TFT，该TFT的速度为全球最快。通过将原来的氧化物TFI、的单信道结构改成双信道，电子迁移率达到了原来的3倍，约为130cm^2·Sec，并且还降低了阈值电压。     

由掺砷氧化物源向硅中扩砷的机理

以前,采用改变掺砷玻璃中含砷浓度的办法研究了掺砷氧化物作源的砷在硅和二氧化硅中的扩散特性。Ghezzo 和 Brown 发现,在氩气中扩散之后,自掺砷氧化物源扩散的薄层电阻随着掺杂氧化物玻璃中砷浓度的增加而减小,直到一个确定的浓度为止。高于掺砷氧化物的这一浓度,则薄层电阻随着掺杂氧化物中砷浓度的增加而增大。但是掺砷氧化物在氩气中扩散之后,偏离了薄层电阻随砷浓度而变化的关系,还没有得到解释。     

在高温超导体中首次观察到氧原子

<正>据日刊《JEE》1992年3月份报道,日本科技厅国家金属研究所首次成功地观察到高温超导物质中的氧原子。该所用极高分辨率(0.1nm)和极高电压(800kY)的电子显微镜观察钇-钡-铜氧化物,观察了超导体氧化物晶体和电子结构,观察到高温超导体中的氧原子。这将有助于弄清高温超导体的机理。