提高VCO频谱纯度的方法

本文详细分析了影响压控振荡器（VCO）频谱纯度的因素，并从中得出了提高VCO频谱纯度的方法。     

高稳定SAW振荡器

介绍了高稳定声表面波SZD817型振荡器,它具有优良的频率温度稳定特性,体积小(50mm×30mm×18mm),质量轻(小于50g),相位噪声低,谐波和杂波抑制高,工作温度范围宽(-55～+85°C),可靠性高等特点。一般声表面波振荡器的频率温度稳定性都在10-4量级以上。而SZD817型振荡器的频率温度稳定性,在工作温度-55～+85°C情况下为10-6量级,在-40～+70°C情况下达10-7量级。     

高频声表面波压控（调频）振荡器的研制

本文讨论了声表面波压控(调频)振荡器的原理及设计方法,并实际制作了振荡器,中心频率为657MHz,频偏约为1.5×10~(-3),平均压控灵敏度为98kHz/V,线性度±2%,温度稳定度为±3.7×10~(-5)(-20—+60℃)。     

超高频声表面波压控振荡器

本文介绍了ＵＨＦ频段声表面波压控振荡器的原理、设计与实验结果。实验制作的ＵＨＦ声表面波压控振荡器的工作频率为４１６ＭＨｚ；压控频偏＞４００ｋＨｚ；压控线性度为±３％；输出功率为７～１０ｄＢｍ。     

用于最新网络设备的SAW高频振荡器

介绍了一种采用新技术开发的声表面波(SAW)振荡器,它具有优良的高频特性、温度特性和抗颤动性能,并且具有结构简单,体积小,质量轻等优点。它提供了一种解决假信号引起的振荡失效的问题,使网络设备能获得一个稳定的电平,同时让我们感受到网络设备的飞速发展及其对电子元器件的更高要求。     

一种新颖的VCO电路

本文介绍了一种采用以四象限模拟乘法器作基本元件,并使用AGC环的新颖VCO电路.     

声表面波压控振荡器的可靠性

对一种声表面波压控振荡器的工作失效率进行了预计。建立了由５个单元组成的可靠性串联模型。应用可靠性预计手岫计算了各单元的工作换效率。结果表明,在＋７０℃和Ｍｔ环境条件下,预计这种振荡器的故障工作时间为１３７８１ｈ。如果将元器件的质量提高１个等级,在相同条件下的平均无故障工作时间将大于２００００ｈ。     

JX处理器内嵌PLL中VCO的设计

设计了一种应用于微处理内嵌PLL中的具有新型结构的VCO。具体阐述VCO各组成部分的单元电路和工作过程，进行了模拟。完成版图设计，采用SMIC0．18μm CMOS工艺进行流片加工，对实际芯片进行测试．得出结论：在电源电压为1．8V下，当噪声峰值大于10mV时，其平均抖动约为12p8。     

高性能超低功耗的4.224GHz正交LC VCO

采用Jazz0.18μm RF CMOS工艺设计并实现应用于MB-OFDM超宽带频率综合器的4.224GHz电感电容正交压控振荡器。通过解析的方法给出了电感电容正交压控振荡器的模型,并推导出简洁的公式解释了相位噪声性能与耦合因子的关系。测试结果显示,核心电路在1.5V电源电压下,消耗6mA电流,频率调谐范围为3.566~4.712GHz;在主频频偏1MHz处的相位噪声为-119.99dBc/Hz,对应的相位噪声的FoM(Figure-of-Merit)为183dB;I、Q两路信号等效的相位误差为2.13°。     

用于微处理器时钟同步PLL的VCO设计

研究了一种用于微处理器时钟同步PLL的高带宽低噪声的压控振荡器(VCO),该VCO采用了交叉耦合的电流饥饿型环形振荡器,通过改善其控制电压变换电路,大大拓宽了压控增益的线性范围,消除了振荡器对控制电压的影响,降低了输出时钟的相位噪声.基于CSMC 3.3 V 0.35 μm CMOS工艺的仿真结果表明,取延迟单元沟道长度为1 μm、中心频率为365 MHz时,压控增益为300 MHz/V,其线性区覆盖范围是30～700 MHz,在偏离中心频率600 kHz处的相位噪声为-95 dB/Hz,低频1/f噪声在-20 dB/Hz以下.该VCO可以通过适当减小延迟单元沟道长度来拓宽压控增益线性范围.     

千兆赫表面横波振荡器

介绍一种用于雷达的小型表面横波振荡器。其重量仅１８ｇ，频率１．０９０ＧＨｚ     

低相位噪声CMOS环形压控振荡器的研究与设计

针对个人电脑和通讯系统对频率合成器中振荡器的低相位噪声的要求,对基本的环形振荡器结构进行改进,设计了两种宽带低相位噪声CMOS环形压控振荡器(VCO),在800 MHz振荡频率、1 MHz频偏下,测试的相位噪声分别为-123 dBc/Hz和-110 dBc/Hz.两个VCO的调谐范围分别为450～1 017 MHz和559～935 MHz.     

一种L、S波段微机械压控振荡器

报道了一种中心频率为2GHz的电感电容(LC)压控振荡器,其谐振回路由微机械可变电容和键合线电感构成。微机械可变电容采用与集成电路兼容的表面微机械工艺制造,在2GHz时其Q值约为32.6,当调节电压从0V增大到12V时,电容量变化范围为25%。通过键合技术将微机械可变电容与有源电路集成在一起,制备了MEMSVCO器件,测试结果表明,载波频率为2.004GHz时,VCO的单边带相位噪声为-103.5dBc/Hz@100kHz,输出功率为12.51dBm。调频范围约为4.8%。     

GPS射频接收芯片中低功耗压控振荡器的设计

设计了一种应用于GPS射频接收芯片的低功耗环形压控振荡器.环路由5级差分结构的放大器构成.芯片采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺,核心电路面积0.25 mm×0.05 mm.测试结果表明,采用1.75 V电源电压供电时,电路的功耗约为9.2 mW,振荡器中心工作频率为62 MHz,相位噪声为-89.39 dBc/Hz @ 1 MHz,该VCO可应用于锁相环和频率合成器中.     

多相位低相位噪声5GHz压控振荡器的设计

采用TSMC 0.18μmCMOS工艺实现了全差分相位差为 450 的 LC低相位噪声环形压控振荡器电路。芯片面积 1.05 mm×1.00 mm。当仅对差分输出振荡信号的一端进行测试时, 自由振荡频率为5.81 GHz, 在5 MHz频偏处的相位噪声为-101.62 dBc/Hz。     

高灵敏度硅酸镓镧声表面波压力传感器研究

为提高硅酸镓镧(LGS)声表面波(SAW)压力传感器的灵敏度,研究了一种采用点压式压力传递结构的SAW压力传感器。理论上采用压电微扰理论和有限元法结合,使用有限元法获得压力作用下LGS基片的应力、应变,并将该应力、应变量代入叠加偏载的电弹方程和一阶微扰方程,求得传感器的压力灵敏度。计算表明0~0.4 MPa压力范围内其归一化压力灵敏度为0.065×10-6/psi,与空腔结构LGS SAW压力传感器相比,该结构的灵敏度提高了约9倍。基于上述分析结构,制作了一种基于LGS(0°,138.5°,26.7°)的点压式压力传递结构的SAW传感器,实验结果和理论分析吻合。     

声表面波器件体波效应抑制理论研究

针对声表面波器件中体波效应的影响,介绍了叉指换能器激发声体波的机理。根据声体波在基片上的不同传播方式,提出了不同的抑制方法。对在基片表面传播的声体波,利用声体波与声表面波有不同的能量传播角改变接收叉指换能器的位置来抑制体波效应。对在基片体内传播的声体波,则根据其传播和反射原理确定接收叉指换能器的位置来抑制。结果对声表面波器件的设计和工作性能提高具有指导意义。     

用声表面波器件实现小波变换

根据声表面波器件的卷特性,对声表面波器件实现小波变换进行了理论推导,说明了用声表面波器件实现小波变换具有的可行性和优越性。根据这些理论设计的实例和模拟结果表明,用声表面波器件实现小波变换的方法具有快速、实用和与数字处理系统（借助A／D和D／A变换器）相兼容等优点,对小波变换的应用有重要价值。     

声表面波传感器检测电路的研究

针对目前声表面波(SAW)传感器检测电路的缺点,通过对SAW传感器信号的特征分析,设计了一种简单实用的SAW传感器检测电路,降低了硬件成本。该电路利用直接数字频率合成技术产生不同的频率信号,用以激励不同谐振频率的声表面波敏感元件,在间歇收发周期从SAW传感器输出信号中提取出反映被测量的频率信号,通过对该频率的测量得到被测物理量的变化。通过对SAW传感器的温度实验,获得了传感器的温度-频率特性,在较低频率(20MHz)时检测灵敏度可达1.36kHz/℃,具有较好的一致性;在较高频率(75MHz)时检测灵敏度可达2.03kHz/℃,存在一定偏差。