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1μm波段的新晶体激光器目前在激光晶体中,能在室温和各种泵浦方式下于1.06~1.07μm产生低阈值受激辐射的基本激活剂唯有Nd2+离子[1]。它的1μm受激辐射(由激光末级能态的能量约为2000cm-1左右的斯塔克跃迁通道间的四能级系统激励)是大多... 相似文献
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研究了玻璃、矿物和快离子导体等不稳定样品在电子探针(EPMA)分析过程中,样品中Na、K、Cu和Ag等组份随分析时间变化的特性。认为样品中组份变化的原因,是由于电子束轰击样品时引起的离子迁移和蒸发过程造成的。组份的聚集和蒸发两个过程的平衡,决定了X射线计数的变化方向。当聚集量大于蒸发量时,易迁移组份的X射线计数随时间而增加,反之减小。实验结果很好地解释了不稳定样品在EPMA分析过程中组份变化的特性和离子迁移现象。 相似文献
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概述了国内外关于~2μ波段发光的掺Tm^3+,THo^3+和Er^3+等激光晶体镀膜的使用情况,结合我们实验室已有的工作基础,对其设计原理和制备工艺进行了详细分析,制备出了较高性能2.94μm的激光薄膜。 相似文献
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用连续波10.6μm CO2激光辐照石英晶体基片表面,利用X射线衍射分析仪、紫外-可见分光光度计、荧光光度计等对辐照前后晶体相变、透射-吸收特性和表面缺陷进行了测试、分析。研究表明,经10.6μm激光辐照后石英晶体样品表面的相结构发生了一定的转变,其吸收率降低而透射率增加,而且晶体表面缺陷得到一定的修复。石英晶体在CO2激光辐照下,经历了一个快速升温和降温的过程,较高温度及热应力作用是导致石英晶体表面微观结构及光学性能变化的主要原因。 相似文献
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建立了(AB)N型一维光子晶体结构多通道可调谐滤波器模型,其中A层是砷化镓(GaAs)材料,B层是由掺铝的氧化锌层和氧化锌层(AZO/ZnO)交替排列构成的具有人工周期结构的各项异性材料。根据电磁波的传输矩阵理论,推导了光子晶体的透射率公式。数值模拟表明:此结构光子晶体透射中心波长是1.55 m,对应于光子通带;透射峰的数量由光子晶体的周期N决定;B层中填充因子h从2/3增加到11/12,峰值波长蓝移且移动范围超过200 nm;A和B层厚度增加,透射峰中心波长发生红移;而入射角度的增加将使透射峰中心波长蓝移;在各参数的调控范围内,光子晶体均保持较高的透射率不变。这些现象为光通信波段多通道可调谐高性能滤波器的设计提供了理论参考。 相似文献
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轻元素定量EPMA的通用修正程序 总被引:1,自引:0,他引:1
完成了轻元素定量电子探针分析的修正程序。比较了计算的和实验测得的K比。得到了用我们修正程序计算的121个轻元素(B、O、F)分析值的相对误差和平均相对误差。标准偏差为2.9%,平均相对误差是4.1%。把我们的修正程序与其它几个最近提出的定量电子探针分析的修正程序作了比较。 相似文献
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用纳米碳制备光子晶体 总被引:1,自引:0,他引:1
利用电子束诱导沉积纳米碳柱方法,在一台由KYKY1010B型扫描电子显微镜( SEM)改装的电子束曝光系统中发展了一种无需光刻胶的亚微米图形化技术,微型碳柱的高 度和直径可通过改变聚焦电子束参数加以控制.通过控制电子束辐照位置和对样品台相对漂 移的修正,在镀金的半导体表面8μm×8μm范围内分别得到由纳米碳柱形成的光子晶体点阵 ,包括正方、六方对称和八重准对称等点阵结构,为进一步开展半导体光子晶体的实验研究打下了良好的基础. 相似文献
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0.29—2.5μm波段晶体双折射率的连续偏光干涉测量 总被引:3,自引:2,他引:3
本文采用连续偏不干涉原理,对石英晶体在0.29μm至2.5μm波段内双折射率值进行了测量。测量是针对光强极值点对应之光波长值进行,而不直接测量光强绝对值,从而避免了光源起伏以及材料中收等不利测量因素的影响,整个测量范围精度10^-5。 相似文献
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