磁存貯器的未来

引言 最近十年来,虽然磁存貯器件在计算机中占据了很重要的地位,但是仍然有很大的潜力,能在未来制造出容量更大、速度更快的计算机存貯器。本文将讨论计算机中随机存取存貯器在工艺方面的某些特有趋向。 存貯二进制信息需要双稳态存貯元件。到日前为止,还没有出现真正能与磁存貯器件竞争的存貯器件,磁存貯器件具有良好的磁滞迴     

磁芯存貯器的新发展

在过去十年中,所有的计算机存貯器几乎百分之百采用了铁氧体磁芯作为存貯元件。但是,随着薄膜技术和整体电路技术的发展,出现了薄膜存貯器和整体电路存貯器,它们具有速度快、成本低、以及一次可以制成一个大存貯矩阵的特点。由此,铁氧体磁芯存貯器的统治地位已开始发生了动摇和受到排挤的威胁。 在1965年美国秋季计算机会议上,很多整机和存貯器设计者对这样一个问题发生了兴     

东光大容量不破坏读出磁编织线磁膜存貯器的应用

电子计算机当前的趋势是向大容量存貯和高速方向发展。整个性能越来越“受存貯宁器限制”,或者说达些限制在于存貯系统。 相应之下,研制一种新的高性能存貯元件是个急迫的任务。在各种存貯器中,磁膜具有容量大而尺寸小的优点。利用单軸磁性各向异     

“EPROM”写入机硬件设计

随着大规模集成技术的发展,各种各样的微处理机不断涌现。做为它的主要支援部件—半导体存貯器也相应的得到了发展。目前半导体存貯器在操作速度、单片容量。功耗及成本等方面显示出它的强大的生命力。可以予言不久它将取代传统的磁心存貯器,成为一种具有广泛用途的半导体器件。在一个微型计算机中包括两类半导体存貯器。一类是随机存貯器,简称RAM。另一类是只读存貯器,简称ROM。前者在系统中用于存放可变的程序中间结果及数据。后者则用     

存貯器的制法

本发明是关于将导线嵌入铁氧体中直接烧结成存貯体的制法。 目前得到广泛应用的存貯元件是磁心,用手工将磁心用纵横导线穿排成矩阵。然而,最近要求有更高速的磁心存貯器,这种存貯器所用的磁心很小,以至用手工就不能将导线穿过磁心。从而开始研制新型铁氧体存貯器。     

动态MOS存贮器件的特性研究

<正> 一、前言随着半导体大舰模集成电路的飞速发展,使之半导体MOS存貯器已成为存貯元件的主流。许多单位正在研究和使用各种形式的MOS存貯器。为了设计出高性能、高可靠的存貯系统,必须准确的了解和正确掌握MOS存貯器的各种参数特性及变化规律。为此,应对MOS存貯器的特性作深入细致的研究。这种研究可分为直流特性和容限特性等的电气特性研究与环境试验和寿命试验等的可靠性研究两种。我们着重讨论前种:可靠性研究正在进行之中。     

集成磁存貯器和超导体存貯器——技术、成就和展望的概况

大约从15年前开始以来,铁氧体磁芯存貯器在商用计算机中已成为标准产品。今天,大多数普通类型的存貯器是一百万位,周期时间为1微秒,甚至于具有容量更大,速度更快的存貯器可供利用。容量和速度正在不断地增加,而成本正在不断地减少,因而今年或明年     

高速大容量MOS主存贮器

<正> 一、概述本文所介绍的主存貯器是用于×××工程计算机的主存貯器,根据计算任务的要求,它要求主存能提供较大的存貯容量。在信息流量方面,由于CPU采用了由高速的双极型半导体存貯器组成的8×64字的向量寄存器,所以仅要求主存提供的信息流量为每秒4000万字。我们就以上述要求为依据,进行了主存的设计工作。在设计工作中,由于采用了流水线工作方式并实现了无冲突存貯器的设计,从而使得本存貯器具有许多独特的特点,这些特点概括起来可以用“多、快、好、省”四个字来表达。“多”:指存貯容量大。该主存选用动态NMOS存貯组件,每个模块的容量为     

集成电路磁芯存貯器

据65年11月英国计算机新闻报道,计算机控制公司已经研制出第一批集成电路磁芯存貯器,其操作速度为1微秒,全周期选取时间小于500毫微秒。 由于计算机控制公司采用了集成电路(μ-PACS),因此电流重合法,随机选取磁芯存貯器(ICM-40)具有价格低,体积小和可靠性高的优点。这种集成电路是该计算机控制公司64年提出的。     

4096字,一微秒的磁膜存貯器的设计

該存貯器由大量敷有磁膜的鋁板制成。它按线选择方式操作,用双向的数位电流进行写入。由扁导体組成的数字线和数位线互成正交地紧贴在板上,它們在整块连續的膜面上确定出存貯单元的位置。低阻抗的薄膜保証能以較低的成本实现线选擇。这里用普通的铁氧体存貯磁心做成选擇线路,用二極管矩陣引导电流进入被选中的线。读出和写入使用同一条数位线,它穿过存貯器的全部4096字。数位电流的干扰用一种特殊的平衡电路减为最小。     

多度电流重合磁心存储器

随着高速计算机的发展,需要研制存取时间小于1微秒的大容量超高速存貯器。提高磁心存储器的电流选择比可以达到这个目的。已经证明,采用多度电流重合法,将在存储系统的结构及操作方式方面引起重大的变革。因此,普通磁心选择开关已经不能胜任。本文介绍了一种双磁心开关,利用它可以顺利地来解决一系列在多度重合法中所产生的各种开关问题。本文还介绍了一个存储容量为10,000字(每字40位)的磁心存貯器,当选择比为3:1及7:1时,测得的存取时间分别为1微秒及0.8微秒(后者还可以缩短到0.6微秒);除了分析这个存貯器的工作原理以外,文中并附有实测的波形图。     

一微秒周期的插件式磁心主存贮器

本文说明了由于半导体工业技术的发展,使磁心存貯器在结构上产生重大革新——由原来的堆疊式磁心体结构发展为插件式结构及由此而带来的一系列的优越性。文中以在一个插件板上装有32K×2位容量的一微秒周期的存貯器的方案、系统结构及研制结果来说明这种构结是完全现实可行的。     

小型的高密度磁鼓

美国最近为航空及导航武器系统研制了一种小型磁鼓存貯器,重量只有10磅。这台磁鼓能存貯30,000个二进位,时钟频率为546千週,而且耐震。磁鼓上有122条通道用来存貯信息,鼓面的綫速度約为40米/秒。 讀写头也非常小,每一吋可并排放置30个。磁头与磁鼓表面的間隙为50至75微米,采用空气潤滑     

数字磁带最大可靠性的获得

磁带数字讀出可靠性的改进一般不是单靠降低記录器存貯密度就可以获得的。記录器的最大可靠性或是可靠性的貯备是随着存貯密度的不断增大而减少的。因此,在任何具体的应用中記录器最大可靠性是由过驅动写头、具有正适合的頻率响应和在所要求最高二进位信息密度下实用头工作間隙最寬三者来实現。換言之,記录器的最大設計密度应当正好滿足使用的要求。     

高速不破坏读出存貯器

通常在计算机工作时,机器所执行的读操作次数远远多于写操作次数。根据所进行的程序种类之不同,读和写操作次数的比值在4到10之间变化。在破坏读出的存貯器里,由于在读数过程原存信息被破坏了,因此必须相应地要占用一段时间来进行重写(或称再生)。在不破坏读出存貯器里,由于勿须再生,所以就可以节省很大一部分时间。此外,采用不破坏读出存貯方式的器件较通常采用的破坏读出方式的器件有更快的运行速度,因而这里可以缩短存貯周期。同时,因为没有再生的错误,所以前者的可靠性也比较高。本文将介绍一个不破坏读出存貯器的模型,其容量为一万六千字,字长72位,读数周期是100毫微秒,写数周期是500毫微秒。下面分别来介绍一下与这个存貯器有关的一些问题及解决问题的线路。     

CRAY X-MP存贮系统分析

<正> 1.引言CRAY X-MP[Cray82]是由CRAY-1S[Cray80]发展而来的,它是一个双处理机系统,由于增加了存貯器的带宽,所以具有相当高的向量性能。CRAY X-MP 存貯系统是一个32路交叉访问的存貯系统,对应每个处理机有四个口子,其中三个用于数据,一个用于I/O。与其它向量巨型机不同,当存貯系统发生冲突时,CRAY X-MP 通过解决单个冲突来控制系纺的向量带宽。在这篇文章里,我们研究CRAY X-MP 存貯系统中多个向量流的相互影响,并给出对存貯系统性能的估价。     

存貯器矩阵板及其互连的设计进展

先进的存貯器矩阵板设计特性是组装简单、维护容易、固定组装前可对整个系统进行检验和合理的成本。本文从包装和电气连接方面出发,探讨了把这些原则应用到存貯板的设计中去的方法。 每一台计算机系统的一个重要的指标是它存貯和恢复馈给它的信息的能力。目前广泛采     

磁杆薄膜存贮元件

由于磁膜具有速度快的优点,因而它在数字計算系統的随机存貯器中的应用博得了人們的重视。仅在一台計算机里,往往就需要用成千上万甚至数百万个这样的元件,因此就要很好地考虑其成本。成本的高低应該包括电子线路本身的成本,存貯体的制造与装配时間。本文叙述一种电鍍的圆柱形磁膜元件(俗称磁杆),它具有毫微秒开关速度,而其线路费用与制造成本不高。     

磁膜存储元件的参数测量(上)

在电子数字計算机中应用鉄磁性薄膜作为存儲元件已有很多研究,近二、三年来磁膜的应用得到了迅速的发展。一些小型中速磁膜存貯器已經制成,并已在:Tx-2、Fx-1等計算机中得到了应用。美国Univac 1107机也使用了磁膜。更需指出的是Univac ADD計算机已采用了16600字大容量不破坏讀出的磁膜存儲器。目前,比較快的磁膜存儲器是美国IBM公司1962年制成的,存儲周期为100毫微秒、讀出时間为60毫微秒、容量为256字72     

高密度记录的磁带

早期为声频信号研制的磁性記錄采用鋼絲作为存貯介質。因为受到形狀的限制只能作單道記錄操作,隨着紙带的出现以及后來的塑料基带的出现这个限制已消除。并行磁道的磁帶有一个重要优点,即一个多位的整个字能直接以二进制、二进編碼十进制或任一其他適当的編碼制进行并行输入或并行输出。大多数有磁带存貯器的近代计算机使用