金属有机物化学气相沉积法沉积镍膜的影响因素

为了获得高速沉积镍膜的工艺参数，以羰基镍[Ni(CO)4]为前驱体，用金属有机物化学气相沉积法进行试验，以SEM，DSC，XRD测试分析技术探讨了载气、温度和羰基镍的摩尔分数对沉积速率的影响；也探讨了温度及羰基镍的摩尔分数对镍膜微观形貌的影响。结果表明，以氩气为载气比氦气为载气更容易获得高沉积速率；在沉积温度为150℃左右可获得沉积速率较快、微观形貌较好的薄膜；随羰基镍摩尔分数的增加，沉积速率也明显增大，同时薄膜的微观形貌也变得较为粗大，但达到30％之后，沉积速率增速减缓。     

化学气相沉积法制备碳纳米管

碳纳米管（CNTs）是一种具有独特理化性能和结构的一维纳米材料,也是当今纳米材料研究的焦点之一．在化学、生物、医药、能源、电子元件等诸多领域具有极高的应用价值．本文以有机溶剂环己烷为碳源．利用化学气相沉积法（CⅥ））在管式电阻炉内,以氩气为栽气,二茂铁为催化剂,一定温度条件下,制备了直径约为50nm,长度达几十微米以上的多壁碳纳米管（MWNTs）．采用拉曼光谱、扫描电镜、透射电镜、X-射线粉末衍射等测试手段,表征了碳纳米管的微观形貌和结构特征．通过对实验结果的分析和讨论,对CVD制备法中碳纳米管的生长机理进行了尝试性探讨。     

化学气相沉积

20030401 化学气相沉积Ti-Si-C-N新型涂层——Kao D H.TheSolid Film,2002,419(11):11(英文) 探讨了常压下TiCl_4,SiCl_4,C_2H_2,NH_3和Ar作反应气体,用化学气相沉积方法制备的Ti-Si-C-N四元复合涂层。为了降低沉积温度,改变了过去常用的工艺条件,以NH_3取代N_2。在不同的沉积温度和SiCl_4流量的工况下,研究了四元涂层的沉积过程。当涂层厚度为4.5～20.0μm时,生长速率较快(9.0～40.0μm/h),且与工艺参数有关。值得注意的是:在各种温度下SiCl_4的流量会影响涂层的组织、成分和生长动力学。涂层硬度为11.5～20.3GPa时,且与沉积温度和SiCl_4供量有关。     

等离子体化学气相法沉积金刚石薄膜

本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展。重点评述了反应机理、发展历史、沉积方法、补底材料、检测手段。论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。     

等离子体化学气相法沉积金刚石薄膜

本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展，重点评述了反应机理，发展历史，沉积方法，补底材料，检测手段，论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。     

石墨烯的化学气相沉积法制备

化学气相沉积(CVD)法是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法.通过简要分析石墨烯的几种主要制备方法(胶带剥离法、化学剥离法、SiC外延生长法和CVD方法)的原理和特点,重点从结构控制、质量提高以及大面积生长等方面评述了CVD法制备石墨烯及其转移技术的研究进展,并展望了未来CVD法制备石墨烯的可能发展方向,如大面积单晶石墨烯、石墨烯带和石墨烯宏观体的制备与无损转移等.     

化学气相沉积法制备SiC纳米粉

本工作采用二甲基二氮硅烷和氢气为原料，在１１００－１４００℃温度条件下，通过化学气相沉积制备出了高纯、低氧含量的纳米ＳｉＣ粉体，实验结果指出，在１１００－１３００℃，制备得到的粉体颗粒由于锭型相和β－ＳｉＣ微晶组成；而在１４００℃则粉体颗粒主要由β－ＳｉＣ微晶无序取向组成，随反应条件的改变，粉体平均粒径和β－ＳｉＣ微晶的平均尺寸分别在４０－７０ｎｍ和１．８－７．３ｎｍ范围内变化，同时，产物粉体的Ｃ     

热丝法化学气相沉积金刚石膜

用热丝法沉积金刚石膜,分离送入氢气和甲烷,可以减少钨丝碳化,提高功率利用率.分送与混送相结合,可以制备晶体形态良好的金刚石膜.到达基材表面的活性粒子的数量是提高金刚石膜生长速率的关键.生长速率可达3.8μm/h,均匀区面积达400mm2.     

无金属催化化学气相沉积制备球形碳

研究了温度及碳源气体对无金属催化化学气相沉积制备球形碳的影响,用高分辨透射电镜(HR-TEM)、扫描电镜(SEM)以及X射线衍射(XRD)对实验结果进行表征。研究表明,温度和碳源气体对球形碳的粒径、均匀性以及分散性有着重要的影响。当以甲烷为碳源,在1200℃下制备球形碳时,所得碳球的粒径均匀,且分散性较好。此外,还对无金属催化化学气相沉积的生长机理进行了讨论。     

激光化学气相沉积

激光化学气相沉积是近几年发展起来的一种利用激光化学反应直接沉积微区薄膜的新技术,它分为激光热分解沉积和激光光分解沉积两大类.首先介绍了这个方法的基本原理.它的基本理论是激光与物质的相互作用.涉及到大分子的光吸收激发、分子内部的能量转移、单步和多步光解离、表面附着与再燕发、表面扩散与分子团的形成、成膜机理等问题.介绍了常用的激光光分解沉积法,激光热分解沉积法和复合沉积法的基本原理、实验装置.最后介绍了激光化学气相沉积法在沉积金属薄膜、氧化物薄膜、非晶硅太阳电池薄膜中的应用.并指出这个方法在工具钢表面上沉积碳化钛薄膜和Si_3N_4硬质薄膜中亦有一定的应用前景.t     

低温化学气相沉积法制备SiC纳米粉体

合成了液态碳硅烷并对其结构进行了分析;采用化学气相沉积工艺,以自制的液态碳硅烷为先驱体,分别在850℃和900℃的较低温度下制得了SiC粉体,并对产物进行了IR、XRD和SEM分析.结果表明,850℃产物中含有未分解完全的有机基团,900℃产物为较纯的部分结晶的纳米SiC粉体,粒度为50～70nm.     

化学气相沉积法制备无机分离膜

介绍化学气相沉积（ＣＶＤ）法在无机分离膜备方面的应用，以及近期此研究领域的一些进展。     

无氢化学气相沉积法制备碳纳米管

采用无氢的化学气相沉积法（CVD）进行碳纳米管的制备技术研究,并成功地制备了由20—φ80nm左右,长度为50-100μm左右的碳纳米管。通过改变气体的流量等影响因素实现了定向碳纳米管薄膜和多层碳纳米管薄膜以及其它各种形态的碳纳米管的制备。采用微区Raman光谱、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）等方法对产物的形貌和结构进行了表征,结果表明采用无氢CVD法可以制备出多种形态的碳纳米管。     

等离子体化学气相沉积

一、前言由于日益增长的社会需求,促使材料表面成膜技术(表面涂层)迅速发展。表面成膜在微电子、能源、光纤通讯、超导材料等尖端技术中,都占有重要的地位,在机械、建材等工业以及日用消费品制造业中都有广泛的应用。从材料种类上来看,薄膜材料有金属、半导体和绝缘体,有单晶、多晶和非晶态,有无机和有机材料。薄膜的成膜方法很多。可以按图1分类。根据不同的材料,可以选用相应的成膜工艺。     

化学气相沉积法制备大面积定向碳纳米管

以二茂铁、二甲苯、氩气分别为催化剂先驱体、碳源、载气,直径100mm的刚玉管为反应室,石英玻璃为基底,催化热解制备定向碳纳米管.在50 min内,获得长600μm的定向碳纳米管阵列.SEM和TEM研究表明:二茂铁的二甲苯溶液导入反应室的入口温度控制在大约300℃时,能得到定向碳纳米管阵列;当载气流量从500ml/min增加到2000ml/min时,CNTs生长速度加快,长度增加;间歇地滴入二茂铁和二甲苯混合物,可能得到多层碳纳米管薄膜.     

化学气相沉积法制备多壁碳纳米管

以带程序升温装置的管式电阻炉为实验装置,采用化学气相沉积法,在一定的工艺条件下裂解二茂铁与双鸭山精煤的混合物制备出多壁碳纳米管.采用透射电镜、Raman光谱以及X射线衍射技术对碳纳米管产物进行表征,同时研究了碳纳米管的生长机理.     

化学气相沉积法低温合成螺旋碳纳米管

以水溶性氯化钠负载Fe做催化剂,直接通过化学气相沉积法在没有掺杂任何含硫气体噻吩的条件下催化裂解乙炔在450℃下进行反应制备纳米碳材料。产物通过扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜进行了表征。结果表明:在该条件下制备了选择性较高的螺旋碳纳米管,其直径在25~200nm之间,绝大部分碳纳米管都有着非常规整的螺旋性并且其螺距很短。所制备螺旋碳纳米管晶格没有好的连续性,中间有断痕出现,并且排列也很不规则,为一种有缺陷的石墨结构。     

化学气相沉积法合成碳纳米管的研究进展

本文主要评述了化学气相沉积法合成碳纳米管的最新研究进展，结合我们在这方面的工作，重点讨论了催化剂、碳源、反应温度对合成碳纳米管质量和产率的影响，并对这一领域的发展趋势作了展望。     

化学气相沉积法制备短直碳纳米管

碳纳米管具有独特的电化学性能和机械性能,已成为纳米科技的研究热点之一.目前,碳纳米管的主要制备方法有球磨法、超声波降解法以及激光蒸发法等.     

定向碳纳米管的化学气相沉积制备法

报道了一种简便有效的合成定向碳纳米管 (CNTs)的化学气相沉积 (CVD)制备方法。以铁为催化剂 ,乙炔为碳源 ,采用单一反应炉 ,直接在石英基底上沉积催化剂颗粒薄膜 ,成功合成了定向性好、管径均匀的高质量大密度的碳纳米管