图片介绍

美国Honeywe一l公司制造的一s元HgCdTe红外探测器。平均D.产4xlo‘“厘米·扮‘/,/瓦。频率响应>10兆赫。在8~12微米应用。 (宗兰取自EOSD,74.4,p.43) 美国日oney,ell公司制造的30元HgCdTe全一;外探侧器Z10OK热电致冷。最小D.(4 .2微米,一T.赫,r)2 x 10’“)喊米·赫’“/瓦。在3~5微米应川。 (宗次取!‘11二()SL),了4.、1,p.‘13) 美国Dynarad制造的510型手持式热象仪,用电池作电源,阴极射线管显示,测温范围0~l5(,C,最小可测温度05〔’,光潜范围8~14微米仔IgCdTe探测器),充一次液氮使用4小时,视场10。,空间分辨率3毫弧度。 (宗兰…     

钽酸锂热电探测器

美国ELTEC公司制成了406和408两种型号、价格低性能高的钽酸锂热电探测器。 406型探测器和放大器一起装在TO-5晶体管外壳里,用锗窗,带有电压放大器,可以把高阻抗信号转换成低阻抗信号。灵敏面:φ2毫米; 标准锗窗型:带宽为2～15微米,电压灵敏度:275伏/瓦,NEP(10.6微米、10赫、1赫带宽):8×10~(-10)瓦/赫~(1/2),D(10.6微米、10赫、1赫带宽):2.2×10~8厘米赫~(1/2)/瓦镀增透膜锗窗(10.6微米)型:带宽为2～15微米,电压灵敏度:425伏/瓦,NEP     

截止频率达千兆赫的10.6微米CdHgTe光伏探测器

利用化学计量偏离法制备了x(～-)0.20的p-n结Cd_xHg_(1-x)Te器件,来研究10.6微米波长的光伏探测。这种光电二极管的灵敏面积为4×10~(-4)～10~(-3)厘米~2,观测到器件在77°K下当反向偏压为-0.1伏时,其并联电阻和电容分别为10~5欧和8微微法。研究了探测CO_2激光的性能,当本机振荡器功率为1毫瓦时,所得结果是:10~(10)相似文献   

10.6微米固态微波偏压光电导探测器的组装系统

本文介绍用于10.6微米辐射的全固态灵敏接收器的研究。此接收器由射频偏压锗掺汞光电探测器和固态微波组件组成,它包括探测系统及微波偏压源(变换式电子振荡器)。调制频率为1千赫时,光电探测器的响应度为9.6×10~3伏/瓦,在光功率1微瓦时测得的光电导响应时间为7毫微秒。调制频率高于1.5兆赫时,探测器系统受放大器噪声限制,其噪声指数为8.5分贝。探测器在4°K 的噪声等效功率NEP(10.6微米、1.5兆赫、1赫)和探测度 D~*(10.6微米、1.5兆赫、1赫)分别为2.5×10~(-13)瓦(赫)~(-1/2)及4.15×10~(10)厘米(赫)1/2/瓦。     

高温焦平面用光伏Hg_(1-x)Cd_xTe技术

Hg_(1-xCdxTe)光电二极管技术的最近进展是提高了整个1～20微米光谱段高温的探测器灵敏度。对1～3微米辐射灵敏的短波长光电二极管,室温蜂值探测率是在4×10~(11)和8 × 10~8厘米赫1/2/瓦之间,视峰值波长而定。对3～5微米辐射灵敏的中等波长光电二极管,在193K和130K温度下的峰值探测率分别为1×10~(11)和1 ×10~(12)厘米赫1/2/瓦。对12微米辐射灵敏的长波长光电二极管,其峰值探测率在65K时为5×10~(10)厘米赫1/2/瓦,在10K时为5×10(11) 厘米赫1/2/瓦。     

1～3微米光谱区用(Hg,Cd)Te光电二极管激光接收器

各种组分的(Hg,Cd)Te灵敏高速光电二极管探测器已制成,用于1～3微米的光谱区。这些探测器工作于室温,量子效率为40～70％,比探测度由1.3微米波长的3×10~(11)厘米·赫~(1/2)/瓦到3微米波长的5×10~9厘米·赫~(1/2)/瓦。冷却光电二极管探测器可改进性能。在77°K下2.2微米波长的比探测度测得为2×10~(12)厘米·赫~(1/2)/瓦,接近背景限。对探测器-前置放大器组件进行了响应时间测量,用的是0.9、1.06及1.54微米的脉冲辐射。响应时间约为10毫微秒,似乎与波长无关,但受RC乘积和放大器频带宽的限制。若光电二极管接一频带很宽的放大器,脉冲响应就被RC之积限制到0.5毫微秒,并测得另一时间常数(约为5毫微秒),据说它是由储存的载流子的渡越时间决定的。     

离子束研磨的高探测率热电探测器

用离子束研磨工艺制备了薄达4微米的可自身支持的热电材料片。用这些极薄的片子制备了1毫米~2的钽酸锂探测器,其归一化探测率D~*经测量为8.5×10~8厘米。赫~(1/2)。瓦~(-1)(30赫)。用这种工艺有可能做出的探测器D~*大大超过10~9厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1)。此外,离子束磨片还具有清洁、表面无损伤的优点,且可获得几何结构复杂的探测器片子。     

5微米碲镉汞光伏探测器与电荷耦合器件多路传输装置的直接耦合

本文报导了5微米光伏碲镉汞探测器和电荷耦合器件多路传输装置的直接耦合实验。于77K工作的光电二极管在经过电荷耦合器件多路传输装置之后,没有测出信/噪比下降的情况,D_(λ峰值)~*=1.6×10~(11)厘米赫~(1/2)/瓦(背景限),测试条件:背景辐照为300K,视场为180°,调制频率为723赫。     

Hg~ 离子注入Hg_(1-x)Cd_x Te光伏探测器的进展

本文报导Hg~ 离子注入Hg_(1-x)Cd_xTe 光伏探测器最新的一些结果。经过挑选的二极管,在77°K 和降低背景条件下(即视场角=60°),测得3.7、8和10.1微米处峰值探测率分别等于2.8×10~(11),5.9×10~(10)和4×10~(10)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1),而量子效率均超过90%。1.2×10~(-3)厘米~2的探测器,在5微米处观察到零偏压电阻与面积的乘积高于10~4欧·厘米~2,在9.5微米处高于24欧·厘米~2。电容—电压测量指出,结是突变的,在强的反向偏压下出现反常效应。面积为3×10~(-4)厘米~2的二极管,响应时问是1毫微秒。     

全国红外器件材料经验交流会资料简介

1 浸没型硫化铅红外探测器沈阳冶炼厂该探测器为室温工作的光导器件。工作面积1×1毫米~2。主要性能指标: 暗阻在0.1～1.5兆欧范围内; 探测度D~*(500K、800、1)在1.5～2.7×10~9厘米赫~(1/2)瓦~(-1)。光谱分布1.2～2.6微米,峰值波长2.2～2.4微米。用不锈钢密封,经少量例行实验,从初步结果看,元件性能较稳定,可满足制导、跟踪及自动控制系统、测温等各种     

多色HgCdTe光电探测器

已经制造、测试并交出了多色HgCdTe光电探测器,它们可以对频带进行分析。本文讨论了这种探测器的现状。讨论的是窄带双色器件,对8～14微米响应。上元件和下元件的D~*_λ(λ_p,10千赫,1)在95°K均大于3.5×10~9厘米赫(1/2)/瓦。上元件的截止波长为8.8微米,下元件的响应波长为9.6～11.1微米。该器件装有两个窄带的长波带通滤光片。文中还报导了独特的三色HgCdTe器件的初步结果,其截止波长为9.1、10.8和13.8微米。     

四象限和三色碲镉汞探测器

10.6微米四象限光伏探测器,量子效率(零偏压)48％,带宽(100毫伏偏压)>100兆赫,D~*(10.6μ,10千赫、零偏压)1.2×10~(10)厘米赫~(1/2)瓦~(-1),串联电阻10欧,并联电阻806欧,工作温度77°K,单元尺寸0.2×0.2毫米,间隔0.025毫米。三色光导探测器性能如下:     

国外简讯

美Eltec仪器公司制造的钽酸锂探测器(404型)面积φ2毫米,灵敏波段2～15微米,D~＊1.7×10~8厘米赫~(1/2)瓦~(-1),可用三种方式工作:1)探测器,2)探测器接电压型放大器,3)探测器接高增益电流型放大器。标准器件用锗窗,为To-99管壳,元件和外壳电浮置,内部接单独针脚,价格达245美元。     

高D~*、快响应钛酸锆酸铅热电探测器

已制得D~*(500°K,1.1)=7×10~8厘米·赫~(1/2)/瓦的大面积PZT探测器和最小响应时间为5毫微秒的快速探测器。热电系数为27毫微库仑/厘米~2°K及对此器件测得的材料灵敏值为2.8×10~(-9)库伦厘米/焦耳。     

碲镉汞光电导探测器的探测度与其厚度的关系

本文主要叙述利用碲溶剂法生长的Hg_(0.805)Cd_(0.195)Te晶体材料制备成8～14微米的光电导探测器样品。通过适当的表面处理并逐渐减薄厚度,得到探测器的探测度D_λ~＊和器件厚度d的依赖关系。其实验结果与理论计算是比较吻合的。在我们的实验里,探测器的探测度对应的最佳厚度在15微米至24微米之间,不同样品的最佳厚度所对应的探测度是不一样的。通过这一试验,我们获得了高性能的光电导探测器样品,D_λ~＊=3～5×10~(10)厘米·赫~(1/2)瓦~(-1),响应率(?)_ λ>10~3伏·瓦~(-1)。     

PbTe高频溅射红外探测器

用高频氧反应溅射PbTe薄膜已制成高质量红外探测器。在90°K的工作温度下,这些器件接近于300°K背景噪声限光导探测性能。在视场为2π球面度时获得的峰值响应率高于10~6伏/瓦,峰值探测度D_λ~*为8.5×10~(10)厘米赫~(1/2)/瓦。     

D~*、NEP或响应率

在确定一个红外探测器或红外系统的性能时,应该判断哪一个探测器的性能方程能适当地表征出系统的特性。一旦作出选择,就要作进一步的推断,怎样用有意义的方式来说明探测器的特性。探测器的性能常常以四个参数来表征,它们是比探测率(D,厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1))噪声等效功率(NEP,瓦·赫~(-1/2)),响应率(R、伏/瓦)和噪声(?)(N,伏·赫~(-1/2))。在某些情况下,这些参数是相互联系的。     

图片介绍

7用Therm Atrace红外行扫描仪进行单行扫描。(详见本期第72页) Eltec仪器公司生产的钽酸锂器件—前放组件,响应率10万伏/瓦,D~*3.5×10~8厘米赫~1、2瓦~(-1),404CM型器件装T0-99外壳,内有电流型放大器和5×10~(11)欧反馈电阻,响应波长0.2～20微米(无窗);2毫米探测器可用Ge、兰宝石、石英或硅标准窗,     

离子注入InAs和InSb

已用 S~ 和Zn~ 离子注入InAs和InSb制备具有红外探测器性能的p-n结二极管。在两种材料中都已制备出性能良好的平面型镶嵌式红外探测器。对于InAs已测得黑体探测度(D~*_(BB))为2×10~9厘米·赫1/2瓦和4％的均匀性。同样,InSb的D~*_(BB)值为1.3×10~(10)厘米·赫1/2瓦,而阵列中元件间均匀性为49％。在0.2和1.8兆电子伏之间得出了Zn~ 注入InSb中的注入距离与能量关系的实验数据,并与LSS理论的预计值作了比较。理论上预计的注入距离要比实验所指的值较深一些,但是为了得到器件设计的有用曲线,这些差别是要足够小的。曲线的斜率指出,大部分粒子的终止主要是在这个能量范围内。     

减小灵敏度随机械振动和温度变化的补偿畴热电探测器

已经制得一种新的补偿畴结构的LiTaO_3热电探测器。它减小了振动噪声源和环境温度变化所带来的影响,它比普通的热电探测器性能要好一个数量级。用这种补偿畴结构做得的探测器的D~＊超过10~9厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1),而在1赫带宽下存在0.05g加速度或温度变化10℃/分时测得的D~＊下降小于10％。