新型激光加热基座生长法生长氧化锆单晶光纤

为了拉制氧化锆单晶光纤,采用一种基于激光加热基座生长法的单晶光纤拉制系统,在原有的激光加热基座生长法生长单晶光纤的基础上,设计出环形聚焦激光加热系统,对其光学系统进行了改进、优化.利用椭球镜的双焦点特性设计光路,在其第一焦点处形成聚焦环形热源,用于熔化晶棒,拉制光纤;通过ZEMAX光学软件对系统进行了光学仿真.结果表明,在光学系统的聚焦点,能形成高质量的环形热源.该系统有着其它激光加热基座生长法的光学系统无法比拟的优点,在拉制氧化锆和其它高温单晶光纤方面有着很好的应用.     

Ta2O5单晶的激光法生长

采用激光加热基座生长法(LHPG)生长出Ta_2O_5单晶,测量了所生长晶体的介电系数和介电损耗随晶格方向的关系。Ta_2O_5晶体表现出很强的介电各向异性,并且其介电系数的平均值比 Ta_2O_5陶瓷的大许多。Ta_2O_5单晶的成功生长证明了LHPG技术在生长高熔点晶体方面所具有的独特能力,同时也表明它作为一种特殊的激光材料加工技术在材料科学与工程中将发挥重要作用。     

提拉法生长的红宝石单晶的激光损伤

本文报导了高频感应加热提拉法（Chockralski）生长的红宝石单晶激光损伤的研究结果。分别研究了红宝石的主动损伤（晶体在激光腔内做为激光工作物质）和被动损伤的基本特征，并与焰熔法生长的红宝石进行了比较。分析了晶体损伤与晶体质量、晶体内气相包裹物、固相包裹物的关系。     

用激光衍射计量技术对CdTe单晶生长的研究

本文首次把激光衍射计量技术应用到晶体的高温气相生长动力学的研究工作中来.在闭管无籽晶升华法制备CdTe单晶的实验过程中,实时、连续、精确地测定了生长速率,并讨论了生长速率随过饱和度(△T)及生长时间的变化关系.实验测试精度达 10~(-6)m/s.     

基于LHPG法的单晶光纤生长技术研究

单晶光纤作为高温传感器的关键器件在航空航天、军事研究、电力、铸造等方面有着广泛的应用。文中介绍了一种基于激光基座加热法的单晶光纤拉制系统,并通过ZEMAX光学软件对系统进行了光学仿真。软件仿真结果表明,在光学系统的聚焦点,能形成高质量的环形热源,验证了系统的优越性。为了拉出高质量的单晶光纤,对光学系统的熔区建立数学模型...     

弛豫铁电单晶超声电机的仿真与试验研究

弛豫铁电单晶以其良好的压电性能和低温适应性成为超声电机性能提升理想的替代材料。由于单晶物理性能的各向异性,在单晶超声电机设计过程中必须考虑振幅均匀性和振型干扰问题。该文通过对两种具有振幅均匀性的单晶切向进行压电、介电、弹性性能的计算和有限元分析,分析了单晶超声电机定子的工作频率、振幅和振幅均匀性;设计制作了单晶超声电机样机,并对其进行了测试。结果表明,20mm单晶超声电机堵转扭矩达到0.057N·m,优于同直径的压电陶瓷超声电机。     

PINT铁电晶体的助熔剂法制备工艺与介电性能

用助熔剂法制备了准同型相界附近的弛豫铁电体基钛铌铟酸铅（Pb（In1／2Nb12）0.63Ti0.37O3，简称PINT）铁电单晶体，研究了四氧化三铅（Pb3O4）与二氟化铅（PbF2）助熔剂对钙钛矿结构相稳定性的不同作用。用四氧化三铅（Pb3O4）和三氧化二硼（B2O3）作为助熔剂获得尺寸达5mm的纯钙钛矿相结构PINT单晶体，利用显微分析方法、X射线衍射技术研究了单晶体的微观形貌和相结构，测量了〈100〉取向单晶体样品的介电温度谱。     

弛豫铁电单晶PZNT91/9的生长与畴结构研究

采用熔剂-坩埚下降法生长了91%Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-9%PbTiO3(PZNT91/9)(摩尔分数)弛豫铁电单晶,PbO助熔剂摩尔分数控制在50%左右。所得晶体被PbO助熔剂包裹,将其浸泡在热HNO3中1～2天即可除去PbO。晶体呈浅黄色,具有明显的结晶学生长面。晶体沿(001)面切出数片,晶片质量明显好于通气Bridgman法生长的PZNT单晶。偏光显微镜可观察到71°、90°、180°畴或微畴区。晶片极化条件为:垂直于C面施加1kV/mm的电场并保持10～15min。     

Faster Growth of 6H-SiC Single Crystals by a Physical Vapor Transport Technique with Two Crucibles

For fast growth of 6H-SiC single crystals, a physical vapor transport (PVT) technique with two crucibles is proposed herein. By providing the growth chamber with a small continuous flux of Si vapor, the growth rate is enhanced by three times over the conventional PVT technique. The utilization ratio of the raw material is also improved. Energy dispersive analysis of X-rays (EDAX) shows that the Si content of the grown crystal is the same as that of the seed crystal. Scanning electron microscopy (SEM) indicates that, compared with conventional techniques, fewer micropipes are created in crystals grown by the technique using two crucibles.     

弛豫铁电单晶热释电探测器读出电路的设计

以(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-xPT或PMNT)(PMN-xPT,或PMN-PT)为代表的弛豫铁电单晶具有非常高的热释电系数、比较低的热扩散系数、比较稳定的化学性能,是一种综合性能优异的热释电材料.利用弛豫铁电单晶可以制备出高性能的红外光传感器,针对用这种新型热释电材料制成的红外...     

铁电液晶的分子结构与性能评述:(Ⅰ)分子核对铁电液晶性能的影响

将铁电液晶分子的结构分为分子核、非手性尾和手性尾来讨论这些结构的变化对铁电液晶的相行为和铁电性能的影响，以期对铁电液晶的分子结构和其性能的关系有更深的认识。文章首先讨论分子核结构对铁电液晶性能的影响。     

铌镁酸铅系弛豫铁电单晶材料的发展与应用

该文总结了铌镁酸铅系弛豫铁电单晶材料的发展历程,铌镁酸铅系单晶材料的压电常数由最初的1540 pC/N提升至4000 pC/N,制备单晶的主要方法为改进的布里奇曼法.根据单晶的组分不同,工艺条件也有差别,在改进其性能的过程中其理论依据逐渐完善,弛豫铁电单晶高压电效应的根源是单畴剪切压电效应,在实际研究中可通过宏观或微观...     

用于振动能收集器的弛豫铁电单晶切型研究

弛豫铁电单晶具有优越的压电性能和良好的温度适应性,在压电器件领域具有良好的应用前景。但是由于其复杂的工程化畴组态和各向异性,在器件设计过程中必须要考虑切型问题。该文从物联网电源的需求出发,以弛豫铁电单晶应用于振动能收集器为例,构造了以输出电压为考核目标的优化切型判据;利用基于欧拉旋转定理的张量计算方法计算分析了沿其赝立方结构的[001]、[011]和[111]极化的铌镁酸铅-钛酸铅单晶适用于振动能收集器的优化切型;分析了3种切型对切角误差的敏感性;最后给出了优化切型下的相关物理性能张量。