菁染料旋涂薄膜的短波长光存储性能研究

利用旋涂法 (spin coating)制备了一种新的菁染料薄膜 ,并进一步制备成可录型数字多用光盘 (DVD R) ,测试该菁染料溶液和薄膜的吸收光谱 ,薄膜的透过、反射光谱 ,用椭圆偏振光谱仪测试了薄膜光学常数n和k ,发现薄膜在 6 30～ 6 5 0nm波段内有良好的吸收和反射特性。在 6 32 8nm光盘动、静态测试装置和 6 5 0nm光盘性能测试仪上测试了以该染料薄膜为记录层介质的DVD R光盘 ,结果表明盘片具有良好的光存储性能。     

Ag-In-Te-Sb-O薄膜光学及短波长静态记录特性的研究

以Ag In Te Sb合金靶采用射频反应溅射在不同氧分压下制备了单层Ag In Te Sb O薄膜。对薄膜的反射光谱及光学常数 (n ,k)的研究结果表明 :在分压比PO2 /PAr =2 %～ 4%时制备的薄膜反射率较高 ,氩气保护下在30 0℃退火 30min后 ,在 5 0 0～ 70 0nm波长范围薄膜反射率增长可达 17%～ 2 5 % ;分压比PO2 /PAr=2 %时 ,薄膜在40 0～ 65 0nm波长范围有较强吸收 ,光学常数在退火前后也有较大差别。对薄膜静态记录性能的测试结果表明 :记录功率为 10mW ,脉宽为 10 0ns时 ,薄膜在记录前后反射率对比度高达 2 0 % ,具有良好写入灵敏性。连续多次进行写入 /擦除循环 ,擦除前后反射率对比度稳定 ,薄膜具有一定的可擦除性能。退火前后薄膜的X射线衍射 (XRD)结果说明退火后薄膜中仅有Sb的晶相 ,与Ag In Te Sb薄膜的结晶特性明显不同。薄膜的成分及各元素的化学状态用光电子能谱 (XPS)进行了分析。这类薄膜有望作为短波长高密度光存储材料。     

光纤测厚中光谱"双峰"现象的分析

在用反射干涉频谱法(Rifs)测量薄膜厚度的过程中,薄膜的反射光谱经常见到"双峰"现象,即相邻的波峰(或波谷)连在一起,区别于通常按吸收曲线有规律分布的光谱.对该现象进行了深入研究,结果表明:该现象和被测试处薄膜厚度不均匀有关,当厚度差异较大时,入射光在薄膜的不同厚度点发生反射,各点的反射干涉光谱叠加就会产生"双峰"的结果.对基本厚度为2 000 nm的聚苯乙烯薄膜的仿真结果表明:膜厚差异超过1/10,开始出现双峰.研究还表明,"双峰"现象并不影响厚度计算的准确度.     

偶氮染料掺杂高分子薄膜的光学常数

在单晶硅片上 ,以旋涂 (Spin- Coating)法制备了推 -拉型偶氮染料掺杂高分子 (PMMA)薄膜 ,其中二甲基胺基 [N(CH3 ) 2 ]作为推电子基团 ,羧基 (COOH)作为拉电子基团。利用椭圆偏振光谱和吸收光谱 ,研究了薄膜的复折射率、复介电函数和吸收系数 ,分析了影响薄膜电子光谱的因素。结果表明 ,该薄膜在 40 0～ 60 0 nm波长范围内 ,存在强而宽的吸收 ,并发现染料分子的聚集状态对其吸收光谱有较大的影响     

白光干涉法测量薄膜表面微观不平度的研究

文中提出了一种白光干涉法测量薄膜表面微观不平度的方法。无需测量干涉条纹，通过对透明薄膜的反射光谱进行分析，可以测出薄膜的厚度。测试膜片上不同点的厚度，可以得到物体表面微观状貌。该方法测量精度高、对薄膜无破坏作用。薄膜厚度测量范围为0．2-小于20μm，无横向测试范围的限制。在对SiO2薄膜的测试中，和椭圆偏振仪的测试结果相对照，纵向测量误差小于2nm。文中介绍的测试系统结构简单，测试精度高，测试结果可靠，具有较强的实用性。文章最后给出了对介质薄膜软酸铅(PbTiO3)表面的测试研究结果。     

在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜

报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等 .结果表明 ,在 92 0℃较低温度下 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,生成了晶态α- Si C( 0 0 0 1 )∥ Si( 1 1 1 )高度定向外延膜 ,薄膜内 C/ Si比约为 1 .0 1 .表面有污染 C及少量氧化态 Si和 C.室温下用 2 80 nm光激发薄膜 ,在 341 nm处有较强发光峰 ,半峰宽 45nm,显示出较好的短波     

真空还原制备的VO_2热致相变薄膜光学性质研究

本文对不同衬底制备的VO2 薄膜进行了表面形貌测试 ,对其红外透射光谱和Raman光谱进行了研究 ,并进行 370nm -90 0nm波段的光透射测试以及 90 0nm波长的热滞回线特性测试 ,表明所制备VO2 薄膜具有优良的热致相变光学特性 ,薄膜为纳米结构 ,并且结晶状态不同的薄膜其Raman谱位置有明显改变 ,室温时的红外光谱表现出较好的红外振动特性。讨论了薄膜结晶状态对Raman位移的影响以及VO2 薄膜的红外光谱     

脉冲整形提高软X射线谐波的产生效率

当物理学家探测和控制尺度越来越小的现象时 ,对极紫外 (1 0～ 1 0 0 nm)和软 X射线(1～ 30 nm)光谱区相干辐射源的要求便越来越大。例如半导体工业正在竭力研究极紫外光源 ,用这种光源能产生超过光学光刻极限的线宽。飞秒化学能从这些光源受益 ,因为这些光源能产生波长非常短的光脉冲。同步辐射装置提供了在 1～ 1 0 0 nm范围产生短波长辐射的方法 ,德国电子同步加速器 (DESY)和其他实验室也在努力将自由电子激光器用于该工作 ,但关于这些波长的许多潜在应用不太适合大型装置。在探求该光谱区的台面光源时 ,至今出现两种互补的技术 :电离…     

角度调谐短波红外光谱组件光谱分辨率特性研究

介绍了一种工作于1 355~1 555 nm的新型多通道短波红外光谱组件,并以理论和实验相结合的方式定量研究了入射角度对光谱组件各通道中心波长的影响.实验结果表明,在0~10°斜入射条件下光谱组件各通道中心波长呈现不同程度的短波方向偏移现象,偏移程度与入射角度呈正相关.分别绘制出理论和实验中心波长偏移曲线,实验发现在入射角为5°和10°时中心波长平均偏移幅度约为5.7 nm和18.67 nm.此外,参照实验得出的角度偏移曲线对两次不同入射角度条件下的光谱进行插值整合,成功地将光谱组件分辨率从7.5 nm提高到3 nm;在此实验基础上提出了通过改变入射角度发展一种多通道角度调谐光谱组件,进而利用此方法提高光谱组件的测试分辨率.该结论对后续设计光谱组件入射光学系统和提高光谱组件测试分辨率具有一定指导意义.     

铟镓氮薄膜的光电特性

用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜,并对其进行了X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试.确定该薄膜为单晶,其中In组分可以从0增加到0.26;在光致激发下发光光谱为单峰,且峰值波长在360～555nm范围内可调;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合;并具有很高的电子浓度.但InGaN薄膜的结晶质量却随着In含量的增加而变差.     

超快荧光光谱的光谱特性和时间特性的研究

飞秒脉冲激光器和时间分辨率优于 2ps的条纹相机相结合测量超快荧光光谱的光谱特性和时间特性 ,分析了荧光光谱的产生 ,给出了时间分辨荧光光谱的测量 ;实际测量了一种有机光盘存储记录材料偶氮染料掺杂薄膜的时间分辨荧光光谱和荧光寿命。     

偶氮金属镍薄膜的折射率和吸收特性研究

偶氮金属镍(Ni(azo)2)是一类具有很大潜力的可录光盘存储介质。为了准确地获取一种偶氮金属镍薄膜的光学常数，用旋涂法(Spin—coating)在单晶硅片上制备了Ni(azo)2薄膜。在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了Ni(azo)2薄膜的椭偏光谱。采用逼近算法获得了Ni(azo)2薄膜在可见光范围内的复折射率、复介电函数、吸收系数和薄膜厚度。分析了Ni(azo)2薄膜可见吸收光谱的形成机理。结果表明在波长650nm处薄膜的折射率为2．19，吸收常数为0．023，具有良好的吸收和反射特性，显示出作为高密度数字多用光盘(DVD-R)记录介质的良好应用前景。     

EO－PVA有机染料薄膜的存储特性研究

制备并研究了染料掺杂ＥＯ—ＰＶＡ有机材料膜片的存储性能．用氩离子单线激光作光源，获得了良好的实时和长时存储图像信息．最低存储功率密度可小于０．２Ｗ／ｃｍ２。分析了该材料的存储机理，确定了最佳存储参数。     

光存储用偶氮镍螯合物染料的光学与热学性质研究

分别对三种以4-甲基噻唑、苯并噻唑和6-甲基苯并噻唑作为重氮组份,以3-二乙氨基苯酚作为偶合组份的偶氮染料的镍螯合物的光谱、热学性质和薄膜的光学常数(复折射率N=n ik)及光存储性能进行了研究.结果表明,以4-甲基噻唑作为重氮组份的偶氮镍螯合物在激光工作波长650 nm处具有较高的折射率指数(n=2.46)和较小的消光系数(k=0.18),在330℃左右分解,而且分解曲线陡峭.光盘静态测试仪的测试结果表明该染料薄膜在较低的写入功率和较窄的脉冲下,可以获得大的反射率对比度.该染料有望作为高密度可录光盘(DVD-R)的记录介质.     

光存储偶氮染料的热稳定性研究

利用热重分析 (TG)和示差量热扫描法 (DSC)研究了两种光存储偶氮染料的热稳定性 ,分析了材料的记录机理。偶氮染料的热分析研究结果表明 ,染料的热失重均发生在较窄的温度范围内 ,热重分析曲线陡斜 ,残渣少 ,有利于光记录信号的调制。研究结果表明 ,TG和 DSC是研究光存储记录介质的有力工具。     

氧化物记录介质在光存储中的应用及其研究进展

系统总结了用于光存储记录层的氧化物薄膜的存储机理、存储特性以及最新进展,讨论了氧化物掺杂对提高存储性能的影响,指出了氧化物薄膜存在的不足,并探讨了可能的改善途径.在此基础上对存储材料的发展趋势及氧化物材料的研究前景进行了展望.     

螺吡喃6-nitroBIPS掺杂聚苯乙烯膜的全光调制特性研究

测量了螺吡喃 1',3',3' trimethylindolino 6 nitrospirobenzopyran(6 nitroBIPS)掺杂聚苯乙烯薄膜在紫外光抽运前后的吸收光谱 ,利用其吸收光谱的显著改变 ,对 5 90nm探测光的全光调制特性进行了研究。对调制随染料掺杂浓度和紫外光激发能量的依赖性进行了测量 ,理论模拟得出其光化学反应量子效率为 0 2 4和螺吡喃光化学产物光半花菁在 5 90nm处的摩尔吸收系数为 2 0× 10 4Lmol- 1 cm- 1 。被调制信号的前沿和后沿时间常数分别约为 131ns和 18μs。     

Effect of Sb2O3-doped on optical absorption of ZnO thin film

ZnOthinfil mis a compound semiconductive materialof hexagonal Wurtzite structure.It has been widely ap-pliedto manyareas suchastransitive conductive windowmaterials , ultraviolet detectors , LEDs and LDs lumi-nance devices ,etc ,because of its unique electrical andoptical properties , good chemical stability, high activeenergy and melting point ,abundant ,cheap and nontox-ic source,and relatively lowpreparing temperature[1-4].Recent researches showthat the properties of ZnOthinfil mchange o…