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首次报道了室温和非共振条件下,分子束外延(MBE)生长的CdTe/ZnTe超晶格的喇曼散射测量和分析。观察到最低级次的CdTe和ZnTe纵光学声子限制模,并用应力和限制效应精确计算了频移,得到的ZnTe纵光学声子频移理论值与实验结果符合得较好。特别指出,当CdTe和ZnTe层厚小于2nm时,声子频移的限制效应不可忽略,对所测样品的喇曼全谱作了分析。 相似文献
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报道了在室温和非共振条件下,(GaAs)_n(AlAs)_n超晶格结构的喇曼散射测量结果。在适当的散射配置下,观察到分别限制在GaAs和AlAs层中的LO和TO声子模。根据线性链模型,把喇曼散射测量到的光学声子限制模的频率按q=2πm/[α_0(n+1)]展开所得到的光学声子色散曲线,与体材料GaAs和AlAs的光学声子色散曲线符合良好。 相似文献
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在静压和液氮温度下观察到(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达4阶的类ZnSeLO多声子喇曼散射,并观察到厚ZnSe势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ZnSeLO声子散射.结果表明,加压后(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中的类ZnSe的1LO和2LO声子模频率分别以3.76和7.11cm-1/GPa的速率向高频方向移动,超晶格阱层光致发光峰的压力系数为59.8meV/GPa.与(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格共振时的类ZnSe1LO声子模频率比与ZnSe势垒层共振时的类ZnSe1LO声子模频率低2.0cm-1,反映了(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中LO声子的限制效应 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》1994,(1)
TN3 94010519半导体技术在军用雷达上的应用(续)/刘自明,陆愁权,田尔文,张汝进,盛柏祯(机电部55所)11半导体技术一1993,(5)一22~26 从四个方面阐述了现代雷达信号处理的关键半导体技术一一vHsIC.从另四个方面说明了开发MIMIc、vHsIC和微波功率晶体管是发展军用相控雷达的关键.参34(文)TN301 94010525cdTe一znT.超晶格及其改进型结构一级声子喇里散射分析/劳浦东,姚文华,李杰,袁诗鑫(复旦大学)11半导体学报一1993,14(9)一534~539 通过对常规结构CdTe忆nTe超晶格和新型结构[(CdTe)2一(ZnTe):J xg一(cdTe场复合超晶格一级声子喇曼峰… 相似文献
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在13~300K温度下研究了稀磁半导体ZnTe/Zn1-xMnxTe超晶格的喇曼散射,观测到多个声子喇曼峰.在近共振条件下,峰的强度增强,线宽显著变窄,并观测到更多不同声子组合的喇曼散射峰.计算和分析了超晶格中应力引起的声子频移,与实验结果一致.还分析讨论了观测到的宏观界面模 相似文献
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喇曼散射对于研究晶体结构,特别是对超晶格中的应力场,是一种有力的方法.通过对声子带的测量,可以确定超晶格层的应力强度.日本大阪大学 Nakashima 等人测试了 ZnTe-ZnSe 超晶格结构的喇曼散射,以分析结构的质量和应力状态.作者的十六个样品中 ZnTe 和 ZnSe 分别具有不同的厚度.ZnTe 层:ds_e=5~50(?),ZnTe 层 dr_e=5~50(?)。样品用热壁外延方法(HWE)生长在(100)GaAs 衬底上。当衬底 相似文献
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在静压和液氮温度下观察到(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达4阶的类ZnSeLO多声子喇曼散射,并观察到厚ZnSe势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ZnSeLO声子散射。结果表明,加压后(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中的类ZnSe的1LO和2LO声子模频率分别以3.76和7.11cm^-1/GPa的速率向高频方向移动,超晶格阱层光致发光峰的压力系数 相似文献
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在GaSb衬底上用LPE法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与用内插法计算的结果进行了比较。用C-V和van der Pauw法测量了样品的电学参数。用激光喇曼散射和低温光致发光研究了材料的光学性质,观察到了类GaSb的LO模和类AlSb的LO模以及LO声子与等离子激元的耦合模L_-;对x=0.2,y=0.025的样品,由低温到室温的变温光致发光测量确定的禁带宽度的温度系数为-3.2×10~(-4)eV/K。此外对于晶格失配,P型的原因以及PL谱峰的展宽等问题进行了讨论。 相似文献
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在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的喇曼光谱测量到位于136~143cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83~88cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位于268~280cm-1之间的2LO声子振动.而且PbSe薄膜的LO声子频率随薄膜厚度的不同明显移动,随着薄膜的厚度减小声子频率线性增大,这是由外延膜与衬底之间的失配应力不同引起的.为了理解PbSe声子振动模喇曼活性的物理原因,还比较分析了PbSe体单晶的喇曼光谱,同样,PbSe体单晶样品也呈现出喇曼活性的散射峰. 相似文献
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在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的喇曼光谱测量到:位于136~143cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83~88cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位于268~280cm-1之间的2LO声子振动.而且PbSe薄膜的LO声子频率随薄膜厚度的不同明显移动,随着薄膜的厚度减小声子频率线性增大,这是由外延膜与衬底之间的失配应力不同引起的.为了理解PbSe声子振动模喇曼活性的物理原因,还比较分析了PbSe体单晶的喇曼光谱,同样,PbSe体单晶样品也呈现出喇曼活性的散射峰. 相似文献
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用分子束外延方法在GaAS(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/Znse(x=0.16,x=0.14)超晶格结构.用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布以及光散射性能进行了研究.当超晶格的总厚度大于其临界厚度时,超晶格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数.此时,在(100)平面内,ZnSe阱层受到张应变,而Zn1-xMnxSe垒层受到压应变,从而,导致其喇曼光谱中,ZnSe阱和Zn1-xMnxSe垒的LO声子峰分别向低频方向和高频方向移动.当超晶格总厚度小于其临界厚度时,超晶格不再弛豫而是保持过渡层Znse的晶格常数,此时,ZnSe阶层不再受到应变,而Zn1-xMn 相似文献
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本文给出n型GaAs(100)衬底上热壁外延生长的Znse薄膜室温喇曼散射分析.Znse纵光学(LO)声子喇曼峰的线宽测量表明作者已在GaAs(100)衬底上用封闭式热壁外延法长出了高质量ZnSe单晶膜.较差质量外延膜在背散射喇曼谱中出现的横光学(TO)声子峰被归之于外延膜生长过程中与孪生有关的微观取向错误的出现.首次在意到GaAs表面化学腐蚀处理使n型GaAs的LO声子-等离子激元耦合模喇曼强度有成倍提高,并证明这是因为化学腐蚀使GaAs表面氧化层厚度减小,增加了入射激光束在GaAs基质材料中的穿透深度. 相似文献
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GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究 总被引:3,自引:3,他引:0
本文报道了利用MOCVD方法,在GaAs衬底(001)面制备的立方GaN薄膜的光学性质.利用光致发光(PL)光谱的半高宽确定制备的样品具有不同的晶体质量.利用喇曼散射(RS)光谱研究了立方GaN薄膜中的光学声子模式.横向(TO)和纵向(LO)声子在立方GaN中的散射峰分别位于552cm-1和739cm-1.另外还观察到来自界面无序层的TOB和LOB.根据喇曼频移和选择定则可识别GaN中的相组成.其来自六方相GaN的E2声子模,可作为识别立方GaN中六方相的标志.随着退火温度的升高,样品中的界面层的效应减弱,六方相增加 相似文献
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在室温下测试了GaP1-xNx(x=0.05%~3.1%)混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了GaP的LO(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495cm-3).在N组分较高的一组样品(x=1.3%~3.1%)中,还观察到了位于GaP的LO(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的LO(N)模的喇曼频移(387cm-1),其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2LO(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2LO(L)、2TO(X)以及LO(L)+TO(X).且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0.6%和x=0.81%的样品中,还得到了诸如来自不同NNi对或N原子簇团的局域模和由N导致的新的散射峰. 相似文献