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在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积Ni,Co,Ti薄膜,形成Co/Ni/Si,Ni/Co/Si和Co/Ni/Si等结构,通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物(CoxNi1-x)Si2。用AES,XRD,RBS沟道谱,SEM及四探针等方法(CoxNi1-x)Si2薄膜的物理特性和电学特性进行了测试,在Si衬底上Co,Ni多层膜经快速热退火可形成高电导的(CoxNi1-x)Si2薄膜,其电阻 相似文献
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对Pt/Si快速热退火固相反庆形成超薄PtSi薄膜进行研究。溅射Pt薄膜的厚度在5--20mm之间,用AES,XRD,RBS,SEM等分析测试手段对固相反应PtSi薄膜的结构特性进行观测,并对PtSi/n-Si肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明,550--600快速退火有利于Pt/Si反应形成性能优良的PtSi/Si肖特基热垒接触。 相似文献
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在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积Ni,Co,Ti薄膜,形成Co/Ni/Si,Ni/Co/Si和Co/Ni/Si等结构,通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物(CoxNil-x)Si2。用AES,XRD,RBS沟道谱,SEM及四探针等方法对(CoxNil-x)Si2薄膜的物理特性和电学特性进行了测试,在Si衬底上Co,Ni多层膜经快速热退火可形成高电导的(CoxNil-x)Si2薄膜,其电阻率在15~20μΩ·cm之间。Co/Ni/Ti/Si(100)多层结构固相反应可以得到外延(CoxNil-x)Si2薄膜。(CoxNil-x)Si2的晶格为CaF2立方结构,晶格常数介于CoSi2和NiSi2之间。通过热处理和选择腐蚀等工艺,可在有CMOS图形的衬底上形成自对准的三元硅化物源漏接触和栅极互连图形。 相似文献
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对Pt/Si快速热退火固相反应形成超薄PtSi薄膜进行研究。溅射Pt薄膜的厚度在5~20nm之间,用AES,XRD,RBS,SEM等分析测试手段对固相反应Ptsi薄膜的结构特性进行观测,并对PtSi/n-Si肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明,550~600℃快速返火有利于Pt/Si反应形成性能优良的PtSi/Si肖特基势垒接触。 相似文献
6.
本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄CoSi2膜的高温稳定性.采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Co/Si、TiN/Co/Si、Co/Ti/Si、TiN/Co/Ti/Si不同结构,在高纯氮气下进行快速热退火(RTA),形成CoSi2薄膜.应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)进行测试.实验结果表明:TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的CoSi2薄膜的有效方法,有望应用于深亚微米接触和互连技术中. 相似文献
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研究了以WSi0.6复合材料作为靶源,采用直流空溅射工艺成膜,不同退火温度下GaAs衬底材料上WSi0.6膜层的特性。包括WSi0.6/GaAs系统断面SEM分析,AES界面机构分析、表面形貌分析及金属-半导体肖特基势垒特性分析,实验结果表明,在氩气压力为133Pdisplay status 相似文献
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多层结构铁电薄膜的I—V特性性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
为FRAM、FFET和FDM的实际应用研究,提出了多层结构铁电薄膜的设计思想,实际制备了M/BIT/p-Si、M/PZT/BIT/p-Si、M/BIT/PZT/BIT/p-Si三种结构铁电薄膜,并测量了它们的I-V特性曲线。结果表明,夹层结构铁电薄膜M/BIT/PZT/BIT/p-Si漏电流密度J最小,在500nm厚时J+(+3V)约2.8×10-10A/mm2,J-(-3V)约1.2×10-12A/mm2优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。 相似文献
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Si/Ag/Si和Si/Au/Si薄膜分形晶化的TEM和EDS研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文利用透射电镜(TEM)和X射线能谱(EDS)对a-Si:H/Ag/a-Si:H和a-Si:H/Au/a-Si:H薄膜的分形晶化行为进行了研究。结果表明薄膜的分形晶化强烈依赖于退火条件,分形的形成可用随机逐次触发形核和生长(RSNG)来加以解释。尽管膜内存在明显的互扩散,Si分形区厚度与均匀基体区厚度相近。但在a-Si:H/Ag/a:Si:H膜中存在部分较大的Ag晶粒凸出膜面。 相似文献
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本文首次研究金属Co与分子束外延Si1-xGex单晶薄膜快速热退火(RTA)固相反应,并对比了CO、Ti与SiGe固相反应时不同的反应规律实验采用RBS、AES、XRD、SEM等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测.实验发现,Co/Si0.8Ge0,2在650℃热退火后形成组分为Co(Si0,9Ge0.1)的立方晶系结构,薄膜具有强烈择优取向;900℃处理温度,有CoSi2形成,同时Ge明显地向表面分凝.TiN/Ti/Si0.8Ge0.2固相反应时,850℃处理可以形成Ti(Si1-yGey 相似文献
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探索了新型难熔栅W/WN工艺制备技术,通过SEM,XRD,SIMS,XPS等手段对WN,WN/GaAs特性作了分析。结果表明,溅射气压和N分压对W,WN薄膜特性有着显著影响,通过工艺条件的优化,制备的W/WN膜厚为360nm,方块分压为0.51Ω。利用SiO2作为退火包封层,780℃ 10s快速退火后,W/WN能够保持好的稳定性,在此基础上制备了肖特基二极管和自对准的GaAs MESFET。 相似文献
12.
GaAs表面及AlxGa1—xAs/GaAsHBT外基区表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺研究 总被引:1,自引:1,他引:0
分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构CV特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性,在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理,SiNxECR-CV 相似文献
13.
对具有Al-Si-Pd/TiN/Ti/PtSi/Si(样品A)和Al-Si-Pd/Ti/PtSi/Si两种新型金属化结构的微波管的EB结在不同温度、相同电流条件下进行加速寿命试验,得到其中值寿命相差近一倍,激活能分别为0.92和0.79eV,并给出了在温度和电流力下EB结反向击穿特性的变化规律。 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料JX-2-I的界面结构,结果表明,在JX-2-I中Al2O3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al2O3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构,发现在SiCw,SiCp和Al2O3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al2O3上有孪晶产生,分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-I材料的整体 相似文献
17.
分析了MZOS结构及其Si-SiO2子系统的C-V特性,发现ZnO中的氧空位和溅射工艺过程在Si-SiO2界面引入的界面电荷是影响MZOS结构界面特性的主要因素。研究还表明,低温热退火可以改善MZOS结构的界面特性。 相似文献
18.
自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术 总被引:1,自引:0,他引:1
CO/Ti/Si或TiN/Co/Ti/Si多层薄膜结构通过多步退火技术在Si单晶衬底上外延生长CoSi2薄膜,AES、RBS测试显示CoSi2薄膜具有良好均匀性和单晶性.这种硅化物新技术已用于CMOS器件工艺.采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术淀积氮氧化硅薄膜,并用反应离子刻蚀(RIE)技术形成多晶硅栅边墙.固相外延CoSi2薄膜技术和边墙工艺相结合,经过选择腐蚀,可以分别在源漏区和栅区形成单晶CoSi2和多晶CoSi2薄膜,构成新型自对准硅化物(SALICIDE)器件结构.在N阱CMOS工艺 相似文献
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Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi2薄膜 总被引:4,自引:3,他引:1
研究采用Co/Ti/Si三元固相反应的方法生长外延CoSi2薄膜。通过选择适当的热处理条件,采用步退火,在Si(100)和Si(111)衬底上均成功获得外延CoSi2薄膜。实验用XRD.TEM、RBS/channeling等测试技术分析CoSi2薄膜外延特性,得到的CoSi2/Si薄膜的RBS/channeling最低产额Xmin达到10-14%,实验时CoSi2/Si(111)样品,分别沿Si衬 相似文献