蓝宝石上硅膜(SOS)肖特基结注入电流检测的电子自旋共振及Si/Al_2O_3界面缺陷

我们用高灵敏的肖特基结注入电流检测磁共振方法对蓝宝石上外延硅膜进行了研究。实验观察到一各向同性非对称的磁共振谱,经拟合它由线宽10~(-3)T,g值分别为2.0055及2.012的二线组合而成,二线强度比3.7:1。前者是硅悬挂键,后者为非晶硅价态尾态共振。实验证实该磁共振信号来自于Si/Al_2O_3界面。     

ZnS：Mn^2＋纳米晶与钠硼硅玻璃复合体中的g因子漂移

对ＺｎＳ：Ｍｎ＾２＋纳米晶钠硼硅玻璃复合体进行了ＥＰＲ实验研究,确定Ｍｎ＾２＋在ＺｎＳ基质晶格中有３种形态：替位态（Ｍｎ＾２＋）ｓｕｂ,间隙态（Ｍｎ＾２＋）ｉｎｔ和Ｍｎ团簇。观测到ｇ因子随纳米晶粒径的减小而增大。对ｇ值进行了理论拟合,结果与实验符合很好。分析和讨论了这种量子限域下ＺｎＳ的ｓｐ＾２和Ｍｎ的３ｄ＾５电子态杂化所引起的ｇ－漂移。     

电化学引起Si：Er^3＋材料1.54μm发光增强

利用７７Ｋ红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品的光致发光影响。实验表明：电化学过程除在Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外，还使Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品中的１．５４μｍ光致发光效率明显提高，且Ｅｒ＾３＋发光峰增宽，次峰更丰富。     

高TcGdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶结光探测器

研制了具有约瑟夫逊效应的高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜双晶晶界结，按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测，光源是波长为０．６３２８μｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光器，系统观测了高Ｔｃ ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ双晶结的光响应特性，最好的结果为：噪声等效功率ＮＥＰ＝４．３×１０＾－１４ＷＨｚ＾－１／２，归一化探测率Ｄ＾８＝１．２×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，响应率Ｒｖ＝３．５×１０＾７Ｖ／Ｗ，     

红宝石激光晶体零场分裂及其光谱精细结构研究

推导了ｄ＾３（Ｃ＾＊３ｖ）组态离子的中间场能量矩阵，建立了红宝石（Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３）晶体基态＾４Ａ２零场分裂（ＺＦＳ）参量Ｄ及＾２Ｅ态分裂△Ｅ（＾２Ｅ）与晶体结构之间的定量关系；假设晶格畸变的基础上，统一地计算了Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３晶体的ＺＦＳ参量Ｄ、Ｚｅｅｍａｎｇ因子、精细光谱及＾２Ｅ态的分裂△Ｅ（＾２Ｅ），计算结果与实验观测十分吻合，定量的研究结果表明：当Ｃｒ＾３＋离子掺入Ａｌ２Ｏ３晶     

（Nd,Er）：YAG晶体中Nd^3＋和Er^3＋离子间相互作用

用激光加热基座法生长了Ｅｒ：ＹＡＧ、（Ｎｄ、Ｅｒ）：ＹＡＧ和Ｎｄ：ＹＡＧ单晶光纤，测试了单晶光纤的透过率谱和Ｅｒ＾３＋离子＾４Ｉ１１／２、＾４Ｉ１３／２态，Ｎｄ＾２＋离子＾４Ｆ３／２态的固有寿命τ０，双掺晶体中这些态的平均寿命τ０。讨论了Ｎｄ＾３＋离子对Ｅｒ＾３＋离子的敏化作用。     

掺Cr^4＋饱和吸收体吸收截面和基态恢复时间的测量

本文给出一种测量掺Ｃｒ＾４＋饱和吸收体基态和激光发态吸收截面的方法，并用之测量国产Ｃｒ＾４＋：ＹＡＧ的两个吸收截面分别为４．３×１０＾－１８ｃｍ＾２和８．２×１０＾１９ｃｍ＾２；同时给出一种用泵浦探测法测量可饱和吸收体μｓ量级基态恢复时间的方法，并用之测得国产Ｃｒ＾４＋：ＹＡＧ的基态恢复时间为３．２μｓ。     

低温下单晶Ni2CdCl6·12H2O中Ni^2＋离子偏振吸收谱及精细结构的理…

本文考察了ｄ＾８电子组态中所有自旋三重态和自旋单重态项，并计及自旋－轨道耦合项Ｈｓｏ的影响，用不可约张量法导出了ｄ＾８电子组态在三角对称晶场下包括＾３Ｆ、＾３Ｐ、＾１Ｇ、＾１Ｄ、＾１Ｓ的哈密顿矩阵。从理论上研究了低温下Ｎｉ２ＣｄＣｌ６·１２Ｈ２Ｏ中Ｎｉ＾２＋离子的偏振吸收谱和精细分裂谱，理论结果与实验相符合。     

GaAs中Be受主的光热电离光谱研究

应用光热电离光谱方法研究了ＭＢＥ生长ＧａＡｓ薄膜中Ｂｅ受主的杂质能级。通过与理论计算的比较,将观测到的３个跃迁峰归属于Ｇ线、Ｃ线和Ｄ线跃迁,同时在实验上也观察到Ｂｅ受主１ｓ３／２（Γ％＾＋）态到２ｐ１／２（Γ＾）态跃迁,由实验结果算得Ｂｅ受主的电离能为２８．６ｍｅＶ。     

绿宝石晶体电子精细光谱及其基态^4A2的EPR参量研究

利用完全能量矩阵，结合自旋Ｈａｍｉｌｔｏｎｉａｎ理论，研究了Ｃｒ３＋：Ｂｅ３Ａｌ２（ＳｉＯ３）６（绿宝石）晶体的吸收光谱，Ｗ论与实验十分吻合；在此基础上研究了基态４Ａ２的ＥＰＲ（电子顺磁共振）参量（Ｄ及ｇ，ｇ）与２Ｅ态双重话线结构的微观起源，成功地解释了长期未能解决的基态零场分裂（ＺＦＳ），并证实了２Ｅ态大约６３ｃｍ－１的能级分裂．指认４１３２０ｃｍ－１处的光谱为４Ａ２→２Ａ２跃迁的自施禁戒光谱，而并非自旋允许光谱．     

Mn在SrTiO3功能陶瓷中的作用

从实验结果出发，通过微观分析研究了Ｍｎ在ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷中的作用以及它对电性能的影响。热重分析和Ｘ光衍射的结果说明了ＭｎＯ２在加热过程中物相和Ｍｎ离子价态的变化，得出Ｍｎ＾２＋，Ｍｎ＾３＋，Ｍｎ４＋共存的结论。     

γ辐照的半绝缘GaAs：Cr的电子顺磁共振研究

本文报道γ辐照的ＧａＡｓ：Ｃｒ的光激发电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究结果．实验结果表明γ辐照不仅改变了其内硅谱线的光淬灭特性，同时还产生一条ｇ值为２．０８、线宽约３e－２Ｔ无光淬灭特性的新谱线，初步分析表明它可能来自于砷空位（ＶＡｓ）．     

Sm^＋2／Sm^＋3掺杂铝基玻璃光纤的光敏特性研究

用２Ｗ爽线输出功率的氩离子激光器照射Ｓｍ＾＋２／Ｓｍ＾＋３掺杂铝硅基玻璃光纤能产生０．００５１％的永久性折射率变化，通过测量ＬＰ１１模截止波长偏移能检测该光纤的光敏特性，同时在可见光区域能观察到宽消感应吸收带，钐掺杂光纤光敏特征是由多光子增强的Ｓｍ＾＋２离子消感应吸收过程所致。     

PrBa2Cu3O6.3和YBa2Cu3O6.3材料的红外声子谱的比较

报道了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３多晶陶瓷ｃ抽取向薄膜中的红外光谱，在ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３中以９个声子模，对应于５Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动。在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３材料中观察到１０个声子模，对应于６Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动，其中Ｐｒ的Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别为位于１７０ｃｍ＾－１和１９８ｃｍ＾－１，Ｙ和Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别位于１９１ｃｍ＾－１和２１７ｃｍ＾－１ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＹＢａ２     

〔O2（^1Δg）〕2二聚物激光振荡研究

本文从理论上估算了〔Ｏ２（＾１Δｇ）〕２二聚物激光输出功率，在实验中以微波（２４５０ＭＨｚ）激励高纯氧产生〔Ｏ２（＾１Δｇ）〕２二聚物，采用平凹稳定谐振腔，在波长６５６．１ｎｍ处实现了〔Ｏ２（＾１Δｇ）〕２二聚物的激光振荡，当氧气压强为１３３．３Ｐａ，微波激励功率为６００Ｗ时，此结果在数量级上与理论上估算相同，另外还测得激光束散角约为３７．３ｍｒａｄ。     

α—（SbxFe1—x）2O3半导体的固溶与导电机制的相关性

用化学共沉淀法，经热处理制得ｎ型半导体α－（ＳｂｘＦｅ１－ｘ）２Ｏ３。ＸＲＤ分析确证０≤ｘ≤０．２是固溶体。实验发现在ｘ≤０．０３区间内材料电阻降低幅度很大，而在ｘ＝０．０３￣０．２区间的电阻却缓慢上升，根据体系中存在ＳｂＦｅ＾ｘ→ＳｂＦｅ＾－＋２ｅ缺陷平衡，讨论其原因和导电机制；相应於此缺陷平衡的Ｓｂ＾３＋和Ｓｂ＾５＋的含量由ＸＰＳ分析予以证实。     

多媒体视频处理子系统的设计与实现（下）

用矿化度０．９２ｇ／ｌ的ＨＣＯ＾－３－Ｎａ＾＋．Ｍｇ＾２＋型地下水对黄土地区无作物农田进行定额灌溉，观测分析灌溉水入渗作用对黄土相关易溶阳离子的影响。结果表明，土壤表层的Ｃａ＾２＋，Ｍｇ＾２＋，Ｎａ＾＋均产生明显的淋溶解析作用 ，点淋溶率最大值分别为４９．３％、７３％、１８．８％和５４．９％；Ｋ＾＋和在０．２ｍ以下趋于稳定；     

(Na0.5Bi0.5)TiO3陶瓷A位二价金属离子取代的研究

主要研究了用Ｂａ＾２＋、Ｓｒ＾２＋、Ｃａ＾２＋对钙钛矿结构（ＡＢＯ３）的无铅压电陶瓷（Ｎａ０．５Ｂｉ０．５）ＴｉＯ３（ＮＢＴ）的Ａ位进行部分取代后材料的介电、压电性能。实验表明,Ａ位Ｂａ＾２＋取代使ＮＢＴ的介电系数有明显的增大,而Ｓｒ＾２＋、Ｃａ＾２＋对ＮＢＴ的介电系数影响不大。而３种离子Ａ位的取代,都使ＮＢＴ的高矫顽电场有了大幅度的降低,其中以Ｂａ＾２＋的效果最为明显（２．５～２．０ｋＶ／ｍｍ）     

双束质子辐照降低快速晶闸管通枋压降的研究

在分析晶闸管通枋压降产生的机理的基础上,从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。．对ＫＫ２００Ａ半成品晶闸管进行能量３．５ＭｅＶ和５．０ＭｅＶ注量为２．５×１０＾１１ｐ／ｃｍ＾２的单束质子辐照晶闸管所得的晶闸管的电学参数与先用５．０ＭｅＶ后用３．５ＭｅＶ能量注量都为２．５×１０＾１１ｐ／ｃｍ＾２的双束质子辐照的晶闸管所得的电学参数进行了对比,发现双束质子辐照不仅能有效地缩短晶     

Si(CH3)4的MPD与Si原子的双光子共振三光子电离

在４１０￣４０４ｎｍ的紫激光作业下,利用平行板电极装置研究了Ｓｉ（ＣＨ３）４的多光子解离（ＭＰＤ）及Ｓｉ原子的的双光子共振三光子电离。观察到了Ｓｉ（ＣＨ３）４分子经ＭＰＤ产生的、处于３＾３ＰＪ＾〃（Ｊ＾〃＝０,１,２）态的硅原子,依据４＾３ＰＪ＾〃←３＾３ＰＪ＾〃（Ｊ＾′、Ｊ〃＝０,１,２）跃迁谱线的强度,得到了Ｓｉ（ＣＨ３）４经ＭＰＤ产生的、处于３＾３ＰＪ＾〃（Ｊ＾〃＝０,１,２）态的硅原子的密