InP和In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)的电学性质

在77—400K温度范围内测量了Ⅲ—V族合金InP和In_(1-x)Ga_(?)AsyP_(1-y)的电子霍尔迁移率.利用迁移率公式,分析了两种材料的散射机构,得出总杂质密度等材料参数.     

InAs自组织量子点(线)的制备和表征

在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料，通过改变生长方式，得到了InAs量子点和量子线。根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析，认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件，停止衬底旋转时InAlAs缓冲层沿[11^-0]方向分布的台阶促使InAs优先形成量子点。讨论了量子点和量子线的形成机理。     

Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料的光学常数

报导了用红外椭圆偏振光谱测定的不同组分 GaxIn1－ xAsySb1－ y材料室温光学常数（ n和α） ,并且实验观察到明显的折射率增强效应 ,发现组分在 x=0.2～ 0.3之间折射率峰值随组分 x近似于线性变化。     

YFe_(1-y)Co_yO_3半导体气敏材料的制备和性能研究

用化学共沉淀法制备了ＹＦｅ１－ｙＣｏｙＯ３(０．０≤ｙ≤０．５０)固溶纳米晶微粉,并对其制备条件、物相组成、微结构、电导和气敏效应作了系统研究．结果表明:钴Ｂ位掺杂铁酸钇材料呈典型的Ｐ型半导体导电行为,同温下固溶体电导不仅大于纯相ＹＦｅＯ３的电导而且随湿度增加其电阻迅速下降;２４３℃下ＹＦｅ０．９Ｃｏ０．１Ｏ３传感器元件对乙醇有较高的灵敏度和良好的选择性．有望开发为一类新型Ｃ２Ｈ５ＯＨ信息敏感材料．     

介孔Ce_xZr_(1-x)O_2固溶体的制备及表征

以硝酸铈、硝酸锆为无机源,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂.采用水热法制备了介孔Ce_xZr_(1-x)O_2固溶体,考察了n(CTAB)/(n(Ce)+n(Zr))及铈锆物质的量比对其结构的影响.通过X射线衍射(XRD)、N_2吸附脱附、高分辨透射电镜(HRTEM)、FT-IR分析手段对其结构进行了表征.结果表明,n(CTAB)/(n(Ce)+n(Zr))对样品结构有很大影响,在优化条件下.合成的Ce_xZr_(1-x)O2固溶体具有与CeO_2相似的立方萤石结构;采用两步焙烧法去除模板剂后,HRTEM显示样品是由纳米粒子堆积而成,并具有孔道结构;介孔Ce_(0.5)Zr_(0.5)O_2的比表面积为175m~2/g,平均孔径和孔体积分别是5.9nm和0.257cm3/g;Ce~(0.75)Zr_(0.25)O_2的比表面积为110m~2/g,平均孔径和孔体积分别为9.4nm和0.261cm~3/g.     

Cd_xZn_(1-x)Se_yS_(1-y)量子点/PVDF纳米复合薄膜的制备与性能研究

以聚偏氟乙烯(PVDF)作为Cd_xZn_(1-x)Se_yS_(1-y)量子点微封装材料,利用简易刮涂法工艺成功制备出大面积、高稳定性的Cd_xZn_(1-x)Se_yS_(1-y)量子点/PVDF纳米复合薄膜,同时对该纳米复合薄膜的结构、形貌及光学性能进行表征和分析,并进一步研究纳米复合薄膜的水热稳定性。研究结果表明,使用刮涂工艺制备的Cd_xZn_(1-x)Se_yS_(1-y)量子点/PVDF纳米复合薄膜仍然保持优良的荧光光致发光特性,利用该工艺能够实现大面积8 cm×15 cm Cd_xZn_(1-x)Se_yS_(1-y)量子点/PVDF纳米复合薄膜制备,该薄膜在紫外灯照射下发出明亮红光。通过PVDF和Cd_xZn_(1-x)Se_yS_(1-y)量子点的复合,将得到的复合薄膜在沸水中沸煮240min发光性能基本不会发生变化,具备超高的稳定性。     

CexZr1-xO2固溶体的制备方法

对纳米级CexZr1-xO2固溶体的制备方法进行了综述.其中共沉淀法工艺简单,所得固溶体粒度均匀,便于工业化生产;水热法所得产物粒度均匀,平均粒径可小于10nm中低温固相反应法无需溶液,是一种"绿色化学"新工艺.     

低温固相法制备Li离子电池正极材料FeSO_4F_yOH_(1-y)

采用低温固相法制备羟化氟硫酸铁正极材料。通过对煅烧温度和煅烧时间等因素进行摸索,得到最优化的实验条件,并用XRD、SEM和电化学测试系统对样品进行表征测试。研究发现,经300℃煅烧并保温10h,得到的样品颗粒尺寸均匀,尺寸保持在500nm左右,颗粒晶型完成,显示出最优的电化学性能。在0.1C倍率下首次放电比容量为60mAh/g,50次充放电循环后比容量的保持率为95.8%。     

(Sr_(1-x)Ba_x)_(3-y)SiO_5:y Eu~(2+)橙红色荧光粉的制备与发光性能

采用高温固相法在还原气氛下合成橙红色荧光粉(Sr1-xBa)x3-ySiO5∶y Eu2+,并用X射线衍射仪和荧光分光光度计对合成的样品进行表征。结果表明:合成样品的晶体结构与Sr3SiO5相同,(Sr1-xBa)x3-ySiO5∶y Eu2+的荧光光谱为宽带谱,激发峰发射主峰分别位于365nm和592～609nm。随着Eu2+和Ba2+掺杂浓度的不同,样品的热稳定性和发射峰也发生了相应的变化。最终,并对其机理进行简单讨论。     

Li_xNa_(1-x)Ta_y·Nb_(1-y)O_3系统陶瓷材料的热释电性能

本文系统研究了 Li_xNa_(1-x)Ta_yNbl_(1-y)O_3系陶瓷材料的热释电性能及烧结性.研究结果表明,当组成 y=0.40时,陶瓷材料的热释电性能最佳,并得到了两种有希望实用化的红外传感器用的陶瓷材料。     

InAs(001)表面金属化的转变

论述了利用分子束外延方法在InAs(001)基片上生长InAs时,样品表面由富As的(2×4)向富In的(4×2)转变的现象。通过控制生长参数生长出了较好的富As(2×4)表面。在As压不足的情况下,轻微的提升样品衬底温度,样品表面逐渐转向富In表面的(4×2)结构,呈现出(3×1)混合相。通过实验分析及软件模拟确定表面(4×2)结构区域已覆盖多达90%,表明样品表面大部分已金属化。     

MOCVD外延生长Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)Sb_y半导体薄膜气固平衡和人工神经网络预报

本文研究了ＭＯＣＶＤ外延生长Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ１－ｙＳｂｙ半导体薄膜的生长条件与外延层组成的关系，并用人工神经网络法总结有关气固平衡规律。结果表明，用气相组成，载气流量和生长温度等影响外延层组成的主要参数作为人工神经网络的输入，以固相Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ１－ｙＳｂｙ中的Ａｌ和Ｓｂ的含量ｘ、ｙ作为输出，训练的人工神经网络可以预报固相组成ｘ、ｙ，得到满意结果。     

生长方法对In(1-x)Ga_xAs_y(1-y)——InP外延层性质的影响

研究了平衡冷却法、过冷法与一步冷却法等在(111)B-InP衬底上LPE生长InGaAsP四元固溶体中,影响外延层性质的主要因素,得出平衡冷却法生长外延层其晶格常数、带隙、生长速率与液相组份X(?)有关;过冷法生长外延层的带隙与过冷度、降温速率有关;一步冷却法生长外延层的带隙与X_p~1的少量变化无关而与生长温度有关。一步冷却法是生长与InP衬底品格匹配且组份恒定的外延层的较好方法。     

Magnetic Properties and Thermal Stability of Pr_(1-x)La_xCo_(5-y)Alloys

Pr1-xLaxCo5-y (x=0, 0.15. 0.25, 0.35,1.0, y=0.5, 0.7, 0.9, 1.0) alloys were investigated. The effect of the variation of x and y on magnetic properties and thermal stability of the alloys were studied. The magnetic properties for the Pr0.85La0.15Co4.3 and Pr0.75La0.25Co4.1 magnets are iHc=368 kA/m, Br=0.91 T, (BH)max=145.6 kJ/m3, αBr=-0.03%/℃ and iHc=568 kA/m,Br=0.8 T, (BH)max=127.2 kJ/m3,αBr,=-0.06%/℃, respectively The phase structures of as-cast alloys and magnets were investigated     

SrTi_xZr_(1-x)O_3固溶体的合成及其热力学分析

以硝酸锶、氧氯化锆、四氯化钛和氢氧化钠为原料,采用直接沉淀法一步合成了SrTi_xZr_(1-x)O_3(x＞0.4)连续固溶体粉体,陈化处理x＜0.4的沉淀产物后,也可获得相应组成的结晶粉体.根据热力学原理,根据建立的计算模型,计算了生成SrTi_xZr_(1-x)O_3及其相关反应物的Gibbs生成自由能,从计算结果分析并解释了直接沉淀法合成SrTi_xZr_(1-x)O_3连续固溶体组成中的x取此范围.     

纳米xCuFe2O4·(1-x)Fe3O4固溶体的制备与表征

合成了4种不同铜含量的间苯二甲酰二茂铁二乙酰腙配位聚合物(PFZCu),然后在高温(600～800℃)热解制得粒径为10～25nm的固溶体xCuFe2O4·(1-x)Fe3O4(0相似文献   

InAs薄膜的制备及其电学性能

通过利用控制衬底和源的温度的真空蒸发工艺,在云母衬底上沉积InAs薄膜已经实现了。这种大晶粒薄膜被发现具有最佳的电学性能。在施主浓度3.5X10~(16)厘米~(-3)和厚度3μm的未掺杂薄膜中,获得了室温下的最大电子迁移率为12400厘米~2/·秒。这些InAs薄膜的电子迁移率和电阻率的温度依赖性稍低于已报道的InAs体晶体。     

ZnSe—(Zn_(1-x)Cd_xTe)_(1-y)(In_2Te_3)_y薄膜异质结光电特性

近年来,不少科技工作者从结晶学方面对Ⅱ—Ⅵ族化合物异质结制作技术进行深入地研究,制成一些具有优良性能的从可见光到近红外范围的光电器件,并获得广泛应用。一般说来,形成异质结的条件是构成异质结的材料应具有良好的相容性,要求异质结界面处原子,排列相似。但实际上由于材料的晶格常数、电子亲和能及热膨胀系数等的差异,还有制作工艺质量问题,常常在异质结界面产生大量的悬挂键和缺陷,造成结界面能带的不连续,对异质结性能产生严重影响。我们用真空蒸发方法,以Ⅱ—Ⅵ族化合物ZnSe、ZnTe及CdTe等为材料,制成ZnSe—(Zn_(1-x)Cd_xTe)_(1-y)(In_2Te_3)_y(x=0.2～0.5,y=0.02～0.07)薄膜异质结。用这种异质结作摄象管靶或其它光电器件。从结晶学来看,上述三种材料都是闪锌矿结构,理论上可以形成异质结,但由于晶格失配率大,是一种晶格不匹配异质结。本文简单叙述并讨论这种异质结的一些光电特性。     

(Sm_(1-x)La_x)_2Ce_2O_7(0<x<1)固溶体的热物理性能

以La_2O_3、Sm_2O_3和CeO_2为原料,采用高温固相反应法制备了(Sm_(1-x)La_x)_2Ce_2O_7(0x1)系列固溶体。并对其相结构、显微组织、元素组成、热物理性能进行了研究。X射线衍射分析表明,所合成的(Sm_(1-x)La_x)_2Ce_2O_7(0x1)系列固溶体具有典型的单一缺陷萤石型结构。扫描电镜分析表明,其显微组织十分致密,相对致密度92%,且各元素摩尔比与其化学式比较接近。其热导率随着La_2O_3掺杂量的增加而降低,并明显低于Y_2O_3部分稳定ZrO_2的热导率。其在1 000℃时的热膨胀系数处于11.83×10~(-6)/K至12.86×10~(-6)/K之间,明显高于YSZ的9×10~(-6)/K。该系列固溶体良好的热物理性能,表明其有潜力用作新型热障涂层表面陶瓷层材料。     

纳米晶Ti(C,N)固溶体粉末的制备及组织结构研究

研究了纳米晶Ti(C,N)固溶体粉末的碳热还原反应制备及其组织结构特征。结果表明．以球形亚微米TiO2粉末和纳米碳黑为原料，通过原料成分C／Ti的准确配比和适当的工艺参数，可制备出成分优良的晶粒度为37nm的单相纳米晶Ti(C，N)固溶体粉末。