外电场周期极化LiNbO3的高压电源设计

分析了周期极化LiNbO3的极化反转过程和特性，进而提出了一种用于外加电场极化法制作周期极化LiNbO3的极化波形，并完成了相应的高压极化电源的设计与制作。电源可产生梯形波、序列脉冲方波以及由两者组合的多种波形，其最高输出电压为15kV，最大输出电流可达到300μA。用其在LiNbO3晶体上进行了多次极化反转实验，取得了很好的效果。     

激光等离子体自发电流的实验研究

介绍一种新的双电流探针研究激光等离子体自发电流。优点是在一次激光辐照靶中,不仅可以测量到激光等离子体自发电流随时间的变化,而且可同时得到电流的空间分布两个点的数据。这种方法的测量精度较以往的单电流探针法高。实验中采用低Z、中Z、高Z原子序数的金属靶,研究了激光等离子体自发电流和靶材原子序数的关系,获得了一些新的实验结     

香蕉形非手性铁电(反铁电)液晶

香蕉形非手性液晶分子是近年来新发现的一类特殊的具有电光性能(铁电性、反铁电性)的液晶分子。这类分子由于具有独特的弯曲形状。表现出不同于棒状分子的液晶性能，尽管分子本身不含手性基团。但其极性排布形成铁电性(反铁电性)，而且有很高的自发极化值。对已发现的铁电性(反铁电性)香蕉形化合物希夫碱类、酯类等的分子结构、特性及研究状况做了详细介绍。     

电场对N*-Sc*相变序铁电液晶器件层排列的影响

N*-Sc*相变序铁电液晶器件具有半"V"字形电光特性,可实现连续灰度,并且自发极化值小、视角宽、响应时间为毫秒量级,适合TFT-LCD.控制分子层排列是获得良好器件性能的关键.深入分析了电场对分子层排列的影响,提出了分子层排列模型,为提高器件性能提供了有益的参考.     

温度对铁电液晶电调谐滤波特性影响的研究

在改变外加电场实现铁电液晶电调谐滤波中,由于铁电液晶的螺距和自发极化强度对温度变化很敏感,从而为铁电液晶电调谐滤波器的应用和准确度的提高带来了困难。从铁电液晶的螺距和自发极化强度与温度的关系出发,讨论了温度对铁电液晶双折射的影响,给出了铁电液晶电调谐滤波器的透射率随温度变化的关系式,并进行了数值计算。结果表明,温度升高时,透射率和带宽增大,透射峰波长向短波长方向移动,温度变化对铁电液晶电调滤波特性的影响远小于电场变化的影响。     

TFT-LCD面影像残留改善研究

影像残留是一种TFT-LCD屏的固有特性。主要是由于长时间显示静态画面时液晶材料的极化敏感性造成的。这种极化影响了液晶材料的光学特性,并阻止液晶分子完全恢复到正常松弛状态。本文主要探讨了通过改变TFT设计来改善面影像残留现象的方案。通过设计实验变更TFT-LCD的主要参数(Pixel设计、Aperture Ratio、ΔVp等),提出了4种面影像残留改善方案并制作了样品。对这4种改善方案的试制样品进行了TFT-LCD面影像残留水平测量和评价,分析了各像素设计因素对面影像残留水平的影响;同时对试制样品的画面品质进行了评价,为解决相关画面品质问题对该方案进行了设计优化,最终获得了一种较佳的面影像残留改善方案。     

利用波导技术研究在不同温度下铁电液晶垂直排列的光学特性(英文)

在最近几年用波导技术测量在一薄层液晶中的光学特性已引起越来越多人们的兴趣和关注。采用这方法可以测量在一个铁电液晶盒中,铁电液晶分子指向矢的变化和排列状况。实验是通过计算机控制样品盒的转速和角度,同时采集与入射光角度有关的反射率数据来完成。计算机对实验数据和理论数据进行拟合计算后,给出MIX783铁电液晶分子在S_A和S_C相的排列模型。研究了不同温度下铁电液晶分子的倾斜角,扭角及一系列有关参数的变化规律,测定了在S_C相时铁电液晶分子的光学特性。     

含氰基混合液晶太赫兹波吸收模拟研究

E7是一种常用的强极性液晶混合物,它具有较高的光学各向异性和较宽的向列相温度范围。本文利用量子化学计算方法,采用基于密度泛函理论的Gaussian98程序包,对构成E7各成分液晶分子在太赫兹波段的吸收进行了研究。基于分子基团对太赫兹波吸收特性,与有关文献的实验数据进行了对比。结果表明,构成分子核心的苯环,分子侧链上的氧原子等,都会对分子吸收强度、吸收峰位置和数目带来较大影响。在实验难以测量的较低太赫兹频段,计算工作仍然能够给出清晰完整的分子振动吸收信息。在较高频率波段,计算得到的分子振动吸收信息与已有的实验数据符合的较好。     

椭圆偏光解析法对液晶界面层分子有序度的研究

论述了向列相液晶分子取向有序度的评价方法以及与宏观物理张量之间的关系, 阐述了椭圆偏光解析法测量分子取向有序度的原理,并应用在基板表面液晶界面层中的测量。实验结果表明, 即使是在强摩擦条件下基板表面附近 ５０ｎｍ 厚的液晶层中,分子取向有序度低于液晶体内部的值。讨论了实验误差, 确认了这一结果的合理性, 为澄清液晶取向排列原动力模型提供了实验依据。     

用自旋波理论研究向列相液晶

采用自旋波理论研究向列相液晶。由于液晶分子的长轴取向与分子绕长轴转动的角动量方向一致．可引人算符研究向列相液晶。通过对两分子作用势进行变换，得到系统哈密顿的表示形式与铁磁自旋波理论的哈密顿形式相同，进而得到序参数与约化温度的关系，在低温区与实验结果符合得较好．在接近于相变点的高温区，利用哈密顿求得相变点，与Maier-Saupe的结果接近。     

三角波电流调制半导体激光器自混合效应研究

利用三镜腔理论模型和速率方程,对半导体激光器在三角波电流调制下的自混合效应进行数值模拟,得到了三角波电流调制下的自混合信号,并分析了三角波电流调制下自混合效应的特点以及调制电流参量与系统几何参量的相互依赖关系.实验观察到上升沿和下降沿的频率变化与数值模拟结果一致.     

铁电材料极化反转特性的研究进展

铁电材料的极化反转是一个新畴成核,然后通过畴壁的移动实现电畴反转的过程.从动力学和热力学两方面概述了极化反转过程,介绍了宏观反转电流的测试方法和微观电畴的成像表征技术,总结了多次极化反转导致的疲劳现象;并对采用压电显微术结合其他技术及应用多维数据模型来深入研究极化反转特性做了展望.     

过渡金属络合物的非线性光学性质的研究

报道了具有良好电荷转移特性的Ｒｕ络合物，采用四波混频方法对其非线性光学性能进行了测量，由此推算出三阶非线性光学极化率和分子的超极化率，并讨论了不同配体对三阶非线性光学系数的影响     

KNO3铁电薄膜极化反转电流实验数据拟合

应用铁电系统关联函数理论,讨论了有限大小铁电薄膜材料极化反转过程中的反转体积比和反转电流,并将结论用于KNO3铁电薄膜反转电流实验数据的拟合。拟合结果表明,考虑薄膜尺寸及厚度影响的结果优于将铁电体视为无限大的KA理论的结果。     

液晶波前校正器位相调制非线性及闭环校正研究

研究了液晶波前校正器位相调制曲线非线性的校正以及液晶自适应闭环对畸变波前的校正.利用液晶显示器领域通用的Gamma校正技术实现对液晶波前校正器非线性的校正.首先,通过施加线性的LUT曲线以获得512个LUT值对应的位相调制量.然后通过对一个波长位相调制量的线性化分割,找到能够获得线性位相调制的LUT函数曲线.最后将该优化曲线写入液晶波前校正器的驱动电路板中,再次驱动液晶波前校正器并利用ZY-GO干涉仪测量位相调制和灰度级的关系,得到了线性的位相调制.利用线性的液晶波前校正器结合哈特曼波前探测器和波前控制器进行了自适应闭环校正研究.校正前,PV和RMS的平均值分别为2.5牒.48耄痪栈纷允视πＵ琍V和RMS的平均值分别下降为和.分辨率板的一级像也由模糊变得清晰.实验结果说明,经过线性化的液晶波前校正器可以获得高校正精度.     

N*-Sc*相变铁电液晶的排列

N^*Sc^*铁电液晶由于具备自发极化值较小、能够实现灰度、快速响应等特点，能够满足场序全彩色显示的要求，近年来倍受关注。采用传统的摩擦取向的方法，通过在N^*Sc^*相变时施加10V直流电压，得到了没有SA相铁电液晶的均匀排列。并且获得了半“V”字型的电光特性。分析了摩擦强度和相变时施加的电压对获得均匀排列的影响。     

一种用聚合物网络控制液晶分子取向的方法

从聚合物网络与液晶相互作用的机理出发，对于用聚合物网络控制液晶分子取向的方法进行了较为系统的研究。并根据液晶分子的光透射率计算公式，对实验结果进行了计算与分析。     

自旋电子学研究的最新进展

自旋极化电子的高效注入、自旋霍尔效应和自旋流的产生与探测都是目前自旋电子学中热门研究专题,世界一些著名学术刊物屡见报道。对这些重要内容的理论和实验的最新研究成果进行了介绍。通过自旋极化电子高效注入方法和材料的研究,人们期望研制出新一代自旋电子器件,进而实现应用电子自旋传输、记录和存储信息的目标。近期实验给出,自旋极化电子从铁磁金属注入半导体和金属都获得较高的极化率。各种注入方法中,自旋流直接注入法目前备受关注,因为自旋霍尔效应为自旋流的产生与探测提供了新的途径,即自旋霍尔效应可以产生自旋流,但因无霍尔电压故不容易测量;而逆自旋霍尔效应又将自旋流转化为电流,使得难以测量的自旋流又可以直接用电学方法测量。     

双层方环可电控FSS吸波屏设计和实验研究

提出了基于双层方环FSS结构的可电控吸波屏,通过加载PIN二极管在X波段实现了对FSS吸波屏吸波性能的电流控制.加工制作了可电控吸波屏的实验样品板并进行了实验测试,分别测量了垂直入射与斜入射情况下、电场极化同PIN管极性所趋方向相同时吸波屏的反射率频响曲线,曲线中保证有效吸收的频带区域的动态迁移范围覆盖了整个X波段.实验结果表明:该吸波屏能够有效吸收入射电磁波,其吸波性能经电流的控制可满足不同的带宽要求,且带宽的可电控特性在垂直入射与斜入射时均达到了预期的目标,体现了双层方环型FSS吸波屏对多角度入射波的适应性.     

含偶氮苯弯曲液晶的光化学性质研究

研究了紫外光照和温度对偶氮弯曲液晶极化电流的影响。在365 nm紫外光照下,这种偶氮化合物的极化强度随紫外光照时间增加而变化直至为零;当温度从150^oC 升高到 175^oC时,弯曲液晶的极化电流随温度线性降低,用Landau-de Gennes理论解释了这一现象。其极化情况随紫外光照和温度而变化的实验规律表明：在紫外光照下偶氮弯曲液晶发生了光致异构化、光裂解和热裂解作用。