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本文是负电子亲和势光电阴极发现50周年的纪念文章,简要回顾了过去的成绩,现在的困难及今后的展望。经过近30年的努力,我国 MOCVD 生长的反射式 GaAs 光电阴极的积分灵敏度已达到3516μA/lm,目前存在的困难是光电阴极寿命问题,寿命问题解决了,高性能微光像增强器以及EBAPS 数字器件可以缩短与西方的差距。如果高灵敏度长寿命的 GaAs:O-Cs 光电阴极真正取代了目前大科学装置中的铜阴极,基于我国大科学装置的基础研究才会迎来真正的科学春天。 相似文献
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一般光电阴极其真空能级在导带底之上,电子亲和势(或亲和力)为正,电子必须克服势垒才能逸出;而Ⅲ—Ⅴ族光电阴极和硅光电阴极其真空能级在导带底之下,电子亲和势为负,被光激发到导带的电子到达表面后,没有克服势垒的问题,能有更多的电 相似文献
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GaP负电子亲和势(NEA)冷阴极用于无交叉点型电子枪,它与光导型无定形硒靶一起安装在摄象管内。并且利用通过P—n结的几毫安正向偏置电流获得足以使摄象管工作的束电流。从电子束着靶曲线测出的等效束温约为600K。这就有可能在低照度条件下减小容性惰性。在信号电流为25nA时,1英寸管在开启和关闭光照三场后上升和衰减惰性分别是90%和12%。用电子发射面直径为50μm的冷阴极可获得中心为800电视线的水平极限分辨率,并可重现具有良好灰度等级的高质量图象。 相似文献
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研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响.通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品.其中一组采用了均匀掺杂的单层结构,Be掺杂浓度为1×1019cm-3;另一组采用了变掺杂的多层结构,从衬底开始Be的掺杂浓度依次为1×1019,7×1018,4×1018和1×1018cm-3.负电子亲和势光电阴极通过在高真空系统中交替通入Cs和O激活得到.在线光谱响应测试曲线表明,多层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度比单层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度至少提高了50%.两种结构的GaAs样品表现出不同的表面应力情况. 相似文献
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负电子亲和势Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展 总被引:1,自引:0,他引:1
阐明了负电子亲和势Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能,论述了关于其物理机制的四种理论模型见解,介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。 相似文献
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本文将着重概述国外Ⅲ—Ⅴ族半导体化合物负电子亲和势光电阴极的研究简史和某些发射材料的制备及其特性。然后,就以几种应用较广,且令人感兴趣的发射材料为基础,对其发展现状及其应用前途予以探求,以说明研制这种光电阴极的必要性和可能性。 相似文献
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We report optical and electrical properties of polycrystalline GaSb thin films which were successfully grown by co-evaporation on soda-lime glass substrates. The thin films have preferential orientation of the (111) direction. SEM results indicate that the average grain size of GaSb thin film is 500 nm with the substrate temperature of 560 ℃. The average reflectance of GaSb thin film is about 30% and the absorption coefficient is of the order of 10^4 cm^-1. The optical bandgap of GaSb thin film is 0.726 eV. The hole concentration shows a clear increasing trend as the Ga-evaporation-temperature/Sb-evaporation-temperature (TGa/Tsb) ratio increases. When the Ga crucible temperature is 810 ℃ and the antinomy crucible temperature is 415 ℃, the hole concentration of polycrystalline GaSb is 2 × 10^17 cm^-3 and the hole mobility is 130 cm^2/(V·s). These results suggest that polycrystalline GaSb thin film is a good candidate for the use as a cheap material in TPV cells. 相似文献
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本文提出了在高掺杂反射式负电子亲和势 GaAs光阴极材料的活性层下埋入 GaAs/AlAs周期反射层,提高光的利用率,同时在界面附近引入电子势垒,提高光电子发射效率.文中对周期反射层的反射性能进行了设计和计算,并计算了埋入GaAs/AlAs周期反射层后的光电子发射效率.讨论了埋入 GaAs/AlAs周期反射层后最佳活性层厚度的选取-指出了对于扩散长度较短的材料,通过埋入周期反射层,能用较薄的活性层达到甚至超过无限厚活性层材料的极限效率.最后对光电发射实验的初步结果进行了讨论. 相似文献
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正 (一)前言 在常用的光阴极(Ag-O-Cs,Sb-Cs,Sb-K-Na-Cs)中,每一种光阴极均有其光谱响应曲线(工作波段)。各种光阴极的光谱响应曲线的形状各异,阈(长波截止波长)也各异。但短(短波起始波长)则取决于窗口玻璃材料对短波波长的透过率。总之,常用光阴极的光谱响应曲线随光阴极的材料而异,是无法预先设计的 相似文献