负电子亲和势氮化镓光电阴极

负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景.本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺.指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在于材料的生长、与输入光窗的融焊、衬底的减薄及彻底的去气处理和超高真空状态下的铯、氧激活.     

负电子亲和势光电阴极50年史话

本文是负电子亲和势光电阴极发现50周年的纪念文章,简要回顾了过去的成绩,现在的困难及今后的展望。经过近30年的努力,我国 MOCVD 生长的反射式 GaAs 光电阴极的积分灵敏度已达到3516μA/lm,目前存在的困难是光电阴极寿命问题,寿命问题解决了,高性能微光像增强器以及EBAPS 数字器件可以缩短与西方的差距。如果高灵敏度长寿命的 GaAs：O-Cs 光电阴极真正取代了目前大科学装置中的铜阴极,基于我国大科学装置的基础研究才会迎来真正的科学春天。     

国外负电子亲和势光电阴极发展概况

一般光电阴极其真空能级在导带底之上,电子亲和势(或亲和力)为正,电子必须克服势垒才能逸出;而Ⅲ—Ⅴ族光电阴极和硅光电阴极其真空能级在导带底之下,电子亲和势为负,被光激发到导带的电子到达表面后,没有克服势垒的问题,能有更多的电     

负电子亲和势冷阴极

负电子亲和势冷阴极是在负电子亲和势光阴极的基础上发展起来的,目前已报道的负电子亲和势冷阴极有GaAs、Si、GaAsP、GaP、GaAlP等。这些晶体材料也都是光阴极,有不同程度的光电发射。对外延生长、外延层质量、超高真空技术与表面原子清洁度的要求以及Cs、O_2激活工艺等方面,负电子亲和势冷阴极与负电子亲和势光     

负电子亲和势冷阴极摄象管

GaP负电子亲和势(NEA)冷阴极用于无交叉点型电子枪,它与光导型无定形硒靶一起安装在摄象管内。并且利用通过P—n结的几毫安正向偏置电流获得足以使摄象管工作的束电流。从电子束着靶曲线测出的等效束温约为600K。这就有可能在低照度条件下减小容性惰性。在信号电流为25nA时,1英寸管在开启和关闭光照三场后上升和衰减惰性分别是90％和12％。用电子发射面直径为50μm的冷阴极可获得中心为800电视线的水平极限分辨率,并可重现具有良好灰度等级的高质量图象。     

图象器件用的负电子亲和势材料

Ⅰ引论 负电子亲和势光电发射体和次级电子发射体是一种新型的发射体,在本文中,我们将讲座它们在签象强管中的应用。我们通过和普通发射体作比较来突出负电子亲和势发射体的特点。从新近研制的象管测得的性能数据说明应用初期的水平。 负电子亲和势是某些半导体表面的一种状态——真空能级低于半导体块内导带的最低能级,负电子亲和势是通过在原子级洁净度表面上吸附正电性元素,而且在某些情况下再吸附负电性元素,形成降低真空能级的偶电层来实现的。因为表面没有阻滞电子逸出的正能量势,所以导带中的电子可逸入到真空中去。     

高积分光电灵敏度多层Be浓度掺杂的GaAs负电子亲和势光电阴极

研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响.通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品.其中一组采用了均匀掺杂的单层结构,Be掺杂浓度为1×1019cm-3;另一组采用了变掺杂的多层结构,从衬底开始Be的掺杂浓度依次为1×1019,7×1018,4×1018和1×1018cm-3.负电子亲和势光电阴极通过在高真空系统中交替通入Cs和O激活得到.在线光谱响应测试曲线表明,多层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度比单层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度至少提高了50%.两种结构的GaAs样品表现出不同的表面应力情况.     

负电子亲和势Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展

阐明了负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能，论述了关于其物理机制的四种理论模型见解，介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。     

负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展

阐明了负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能，论述了关于其物理机制的四种理论模型见解，介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。     

Ⅲ—Ⅴ族半导体化合物负电子亲和势光电阴极国外发展概况综述

本文将着重概述国外Ⅲ—Ⅴ族半导体化合物负电子亲和势光电阴极的研究简史和某些发射材料的制备及其特性。然后,就以几种应用较广,且令人感兴趣的发射材料为基础,对其发展现状及其应用前途予以探求,以说明研制这种光电阴极的必要性和可能性。     

半导体多晶薄膜的瞬态光电导

在低温下观察到半导体多晶薄膜的瞬态光电导现象．给出了三维理论模型．理论研究表明，陷阶引起光电导，光生载流子通过隧道效应实现复合，使光电导逐渐衰减．我们的实验结果与理论计算结果符合得相当好．     

ITO薄膜的光电发射效应

作为导电电极材料ITO透明薄膜被广泛应用于摄像管、场致发射板、等离子体显示及液晶显示器件中。通过实验我们发现被铯激活后的ITO薄膜具有光电发射效应。本文报告了实验的基本过程及对ITO—Cs薄膜光电发射特性的测试结果。ITO—Cs薄膜的光电发射特性对大面积的光电器件、平板显示器件的发展会有很大的促进作用。     

共蒸发方法制备GaSb多晶薄膜

We report optical and electrical properties of polycrystalline GaSb thin films which were successfully grown by co-evaporation on soda-lime glass substrates. The thin films have preferential orientation of the （111） direction. SEM results indicate that the average grain size of GaSb thin film is 500 nm with the substrate temperature of 560 ℃. The average reflectance of GaSb thin film is about 30% and the absorption coefficient is of the order of 10^4 cm^-1. The optical bandgap of GaSb thin film is 0.726 eV. The hole concentration shows a clear increasing trend as the Ga-evaporation-temperature/Sb-evaporation-temperature （TGa/Tsb） ratio increases. When the Ga crucible temperature is 810 ℃ and the antinomy crucible temperature is 415 ℃, the hole concentration of polycrystalline GaSb is 2 × 10^17 cm^-3 and the hole mobility is 130 cm^2/（V·s）. These results suggest that polycrystalline GaSb thin film is a good candidate for the use as a cheap material in TPV cells.     

埋入GaAs/AlAs周期反射层提高反射式负电子亲和势阴极效率的研究

本文提出了在高掺杂反射式负电子亲和势 GaAs光阴极材料的活性层下埋入 GaAs/AlAs周期反射层,提高光的利用率,同时在界面附近引入电子势垒,提高光电子发射效率.文中对周期反射层的反射性能进行了设计和计算,并计算了埋入GaAs/AlAs周期反射层后的光电子发射效率.讨论了埋入 GaAs/AlAs周期反射层后最佳活性层厚度的选取-指出了对于扩散长度较短的材料,通过埋入周期反射层,能用较薄的活性层达到甚至超过无限厚活性层材料的极限效率.最后对光电发射实验的初步结果进行了讨论.     

用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜

采用元素共蒸发法结合退火处理制成了AlSb多晶薄膜.利用x射线衍射、透射光谱、暗电导温度关系等方法研究了薄膜的结构、光学和电学性质.发现540℃退火后得到的AlSb多晶薄膜呈立方相结构,间接跃迁光能隙为1.62eV,电导激活能约为0.33eV.研究结果表明,AlSb薄膜有可能成为新型太阳电池的重要材料.     

用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜

采用元素共蒸发法结合退火处理制成了AlSb多晶薄膜.利用x射线衍射、透射光谱、暗电导温度关系等方法研究了薄膜的结构、光学和电学性质.发现540℃退火后得到的AlSb多晶薄膜呈立方相结构,间接跃迁光能隙为1.62eV,电导激活能约为0.33eV.研究结果表明,AlSb薄膜有可能成为新型太阳电池的重要材料.     

多晶砷化镓薄膜的制备及其性能研究

利用扫描电子显微镜、Ｘ－射线衍射仪，分光光度计和Ｃ－Ｖ测试仪对电沉积法制备的多晶砷化镓薄膜进行了测试．结果表明薄膜的成分接近化学计量的ＧａＡｓ．根据薄膜的光吸收曲线和Ｍｏｔｔ－Ｓｃｈｏｔｔｋｙ曲线计算了带隙值和能级位置．最后，测量了薄膜／电解液结的光电特性．     

透射式负电子亲和势Ⅲ-Ⅴ族化合物光阴极工作波段的设计问题

正 (一)前言 在常用的光阴极(Ag-O-Cs,Sb-Cs,Sb-K-Na-Cs)中,每一种光阴极均有其光谱响应曲线(工作波段)。各种光阴极的光谱响应曲线的形状各异,阈(长波截止波长)也各异。但短(短波起始波长)则取决于窗口玻璃材料对短波波长的透过率。总之,常用光阴极的光谱响应曲线随光阴极的材料而异,是无法预先设计的     

化学浴沉积PbSe多晶薄膜及其光电性能初探

分别以硒脲和硒粉为Se2-制备剂的主要原料,用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜.对所制备薄膜用形貌、XRD、TEM和红外透射谱等方法进行表征分析.两种制备方法均获得了结晶度良好的PbSe多晶薄膜.以硒粉所制备PbSe膜颗粒度为1 μm,以硒脲所制备的薄膜颗粒度为0.3μm,小颗粒薄膜出现红外吸收限蓝移现象.测得由所制备的薄膜得到PbSe光导型探测器原型器件的电压响应率为1200V/W.