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介绍了高铝瓷柱塞材料配方、制造工艺及产品性能。该研制工作采用优质95%Al_2O_3配方及等静压成型工艺,获得了瓷质性能稳定、质量可靠、运行性能良好的产品。其配方和工艺对于制造各类大型高铝瓷制品具有普遍意义。 相似文献
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《电瓷避雷器》2020,(4)
将废弃高铝电瓷精心加工成瓷粉,直接替代中铝电瓷料方中的部分铝矾土及瓷的原料,获得了工艺性能与瓷性能均与原料方接近或优于原料方的新料方,这是循环经济的重要体现,具有很好的社会效益与经济效益。在Al_2O_3含量近40%的中铝料方中分别用加入12%和20%的Al_2O_3含量为54%废瓷粉替代部分铝矾土及长石原料,所得坯料Al_2O_3虽有所减少,但泥浆脱水、干燥过程、成型性能以及其它工艺性能优于不加废瓷粉的原料方。用12%废瓷粉替代原料方中的10%的铝矾土与2%的钾长石,所得瓷的抗弯强度显著高于原料方,而用20%废瓷粉替代原料方中18%的铝矾土和2%的钾长石,所得瓷的抗弯强度与原料方相近。废瓷粉的加入可使瓷中刚玉相略为减少,但莫来石和石英含量都有所提高,且二次针状莫来石相互交织现象更发育,瓷的显微结构得到进一步优化。根据实验结果,按现代电瓷制造规程,进行了160吨坯料(其中加入了20余吨的废电瓷粉)规模的中试,得到了性能优良的电瓷产品。 相似文献
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传统的高铝瓷配方烧成温度偏高、能耗大、成本高、价格贵。现新研究的低温烧结高铝瓷配方,烧成温度比传统同类型高铝瓷降低150~200℃,主要性能指标均达到国家标准。采用这种新技术,估计可节能三分之一,成本可降低四分之一。本文简要介绍降低高铝瓷烧结温度的途径。 相似文献
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《Planning》2013,(2):112-114
采用pH值摆动法、并流沉淀法制备了Al2O3、TiO2-Al2O3二元复合物、TiO2-MgO-Al2O3和MgO-TiO2-Al2O3三元复合物,并对以其为载体的催化剂进行了催化裂化重汽油加氢脱硫反应性能评价。结果表明,在所制备的TiO2-Al2O3二元复合载体中,TiO2分散在Al2O3表面上,且随其含量的增加TiO2逐渐在Al2O3表面上富集;与TiO2-Al2O3二元复合载体相比,三元复合载体的总孔容和平均孔径减小,但是总酸量增加。相比较而言,TiO2-MgO-Al2O3三元复合载体基催化剂对催化裂化重汽油的脱硫率优于TiO2-Al2O3二元复合载体基催化剂,脱硫率在90%以上,且前者的烯烃饱和率也较低,表明该催化剂具有良好的加氢脱硫选择性。 相似文献
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综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展。掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm。显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流。其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm,漏电流从28.2μA降低到9.8μA。 相似文献
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通过对电瓷材料显微结构影响其强度因素的分析,在生产中把好原料质量、合理优化配方及科学的控制工艺参数,就可稳定地控制生产铝质高强瓷,使其机械性能可以满足顶部振打除尘结构的电除尘器的使用要求。 相似文献
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在氧化锌电阻片的成形过程中,经常出现的缺陷有坯体分层、侧面微裂纹或隐性裂纹以及密度不均匀等。主要针对这些缺陷产生的原因进行分析,认为:造粒料质量差、模具完好状态差以及成形制度不合适,是成形缺陷产生的主要原因。选择合适的造粒参数,获得流动性好、颗粒形貌好、级配合理、堆积比大的造粒料,是减少成形缺陷,提高合格率的主要手段。使用具有润滑性的分散剂如十四烷基醋酸铵,可有效改善造粒料的各项指标,提高产品合格率。建立完善的成形模具使用保养制度,保证模具的完好状态,也是降低成形缺陷,提高产品合格率的必要手段。 相似文献
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在1 450℃下高温烧制高纯C3S,60℃水浴养护条件下进行铝元素掺杂的C3S水化试验。通过FT-IR和SEM测试技术分析研究Al元素对C3S水化生成的水化硅酸钙(C-S-H)结构与形貌的影响。结果表明Al元素掺杂后参与C-S-H结构构建,改变Si—O键振动,Al元素的掺杂改变了C3S水化产物C-S-H的微观形貌。 相似文献
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浮法玻璃的退火常见问题主要是厚玻璃的切割难、边部炸裂,通过分析产生的原因,提出合理控制玻璃退火温度制度和边部温度;同时,采用烧边火等方法改善玻璃边部应力、减少裂边,提高切裁率。 相似文献
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铌掺杂对Ce-Nb-TiO_2系压敏陶瓷结构与电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了铌对Ce,Nb掺杂的二氧化钛压敏陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,在1 350℃烧结条件下,掺入0.8%Nb2O5的样品具有优良的综合电性能,显示出低的压敏电压(U1mA=7.22V/mm)、高的非线性系数(α=5.76),是一种很有潜力的新型电容-压敏陶瓷材料。铌掺杂主要是Nb5+对Ti4+的掺杂取代,该掺杂存在一饱和值。Nb2O5在不同的掺杂浓度下,存在的形式和位置不同,同时与一些低熔点化合物相如Ce2Ti2(Si2O7)O4等相互作用,使得样品的电性能发生变化。 相似文献
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