共查询到18条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
设计了一个采用UMC 0.35μm工艺的高精度、低成本10位D/A转换器电路.该电路对电阻匹配系数要求与7位D/A转换器相同,在相同精度要求下有效减小了版图面积,降低了设计难度和生产成本.最后,在版图上采用新颖的排列方式,进一步减小了温度等因素的影响.该D/A转换器的DNL为-0.2~+0.2,INL为-0.6~+0.6.设计的电路模块已成功应用于商用驱动芯片. 相似文献
2.
3.
4.
本文设计了一种可满足视频速度应用的低电压低功耗10位流水线结构的CMOS A/D转换器.该转换器由9个低功耗运算放大器和19个比较器组成,采用1.5位/级共9级流水线结构,级间增益为2并带有数字校正逻辑.为了提高其抗噪声能力及降低二阶谐波失真,该A/D转换器采用了全差分结构.全芯片模拟结果表明,在3V工作电压下,以20MHz的速度对2MHz的输入信号进行采样时,其信噪失调比达到53dB,功率消耗为28.7mW.最后,基于0.6μm CMOS工艺得到该A/D转换器核的芯片面积为1.55mm2. 相似文献
5.
6.
7.
设计了一种低功耗、中速中精度的单端输入逐次逼近A/D转换器,用于微处理器外围接口。其D/A转换器采用分段电容阵列结构,有利于版图匹配,节省了芯片面积;比较器使用三级前置放大器加锁存器的多级结构,应用了失调校准技术;控制电路协调模拟电路完成逐次逼近的工作过程,并且可以控制整个芯片进入下电模式。整个芯片使用UMC 0.18μm混合模式CMOS工艺设计制造,芯片面积1 400μm×1 030μm。仿真结果显示,设计的逐次逼近A/D转换器可以在2.5 V电压下达到12位精度和1 MS/s采样速率,模拟部分功耗仅为1 mW。 相似文献
8.
基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种10位自补偿逐次逼近(SAR)A/D转换器芯片。采用5+5分段式结构,将电容阵列分成高5位和低5位;采用额外添加补偿电容的方法,对电容阵列进行补偿,以提高电容之间的匹配。采用线性开关,以提高采样速率,降低功耗。版图布局中,使用了一种匹配性能较好的电容阵列,以提高整体芯片的对称性,降低寄生参数的影响。在输入信号频率为0.956 2 MHz,时钟频率为125 MHz的条件下进行后仿真,该A/D转换器的信号噪声失真比(SNDR)为61.230 8 dB,无杂散动态范围(SFDR)达到75.220 4 dB,有效位数(ENOB)达到9.87位。 相似文献
9.
介绍了一种电流型10位D/A转换器的设计。着重阐述了差分式电流开关,R-2R梯形电阻、二进制电流加权网络和精密基准源的设计原理和结构。该D/A转换器采用线性兼容I2L工艺制作,具有体积小、功耗低、可靠性高、使用方便灵活等特点。线性误差、微分线性误差均低于1/2LSB,建立时间≤200ns,在-15V电源下功耗低于60mV。 相似文献
10.
11.
12.
13.
一种10位50 MHz电阻分压型D/A转换器 总被引:2,自引:0,他引:2
实现了一个可驱动传输线的采样时钟频率为50 MHz、精度为10位的电阻分压型数模转换器(DAC)。“dual ladder”、“best INL”矩阵式布局等新技术的采用,使得电阻串无需校正即可达到10位的精度。同时,通过运放复用技术,可在不消耗额外功耗的前提下实现阻抗匹配,并达到1.2 V的输出摆幅。该DAC在0.18μm数字CMOS工艺上得以验证实现,芯片面积为0.5 mm2,积分非线性误差(INL)为±0.45 LSB。在3.3 V电源供电、50 MHz的采样频率下,信噪失真比(SNDR)达到61 dB,功耗为55 mW。 相似文献
14.
15.
16.
17.
概述了GaAs超高速集成电路的现状与发展趋势,介绍了门阵列、A/D(D/A)转换器、MUX/DEMUX以及异质结器件的发展和应用前景。 相似文献
18.
传统的集成12位D/A转换器要求用精密的薄膜电阻网络和电阻的激光修调技术。本文介绍的分段设计技术只需要采用常规的高速双极数字IC工艺,采用扩散电阻方法,不需要微调技术,就能保证其D/A的单调性。它比用激光修调的R—2R薄膜电阻网络结构的12位D/A转换器具有更均匀的台阶尺寸,其电阻的精度要求也比后者放宽了8倍;由于内部采用了ECL电路的结构形式,工作速度快,其建立时间在80~100ns。 相似文献