一种高精度低成本10位D/A转换器的设计与实现

设计了一个采用UMC 0.35μm工艺的高精度、低成本10位D/A转换器电路.该电路对电阻匹配系数要求与7位D/A转换器相同,在相同精度要求下有效减小了版图面积,降低了设计难度和生产成本.最后,在版图上采用新颖的排列方式,进一步减小了温度等因素的影响.该D/A转换器的DNL为-0.2～+0.2,INL为-0.6～+0.6.设计的电路模块已成功应用于商用驱动芯片.     

一种串行逐次逼近10位 D/A转换器

首先对几种形式的D/A转换器进行了比较,设计了一种电容型D/A转换器。这些电容在逐次逼近结构中构成二进制权阵列。这种结构的D/A转换器动态范围大、建立时间短,精度易于保证;且它的温度系数、电压系数、功耗及面积均优于电阻型D/A转换器。在Cadence SpectreS环境下进行仿真验证,该转换器信噪比为49 dB,积分非线性为±0.5 LSB。     

一种应用于SOC的4位超高速CMOSFlash A/D 转换器

介绍了一种应用于片上系统超高速4位快闪式A/D转换器的设计。该转换器采用0.18μm CMOS工艺。其特点是采用一种基于反相器的阈值电压比较器(TIQ)阵列替代传统Flash结构中的模拟电路部分。仿真结果显示,该4位A/D转换器在2 GSPS的速度和1.8 V的工作电压下,功耗仅为9.80 mW。     

一种低功耗10位流水线结构的CMOS A/D转换器的设计

本文设计了一种可满足视频速度应用的低电压低功耗10位流水线结构的CMOS A/D转换器.该转换器由9个低功耗运算放大器和19个比较器组成,采用1.5位/级共9级流水线结构,级间增益为2并带有数字校正逻辑.为了提高其抗噪声能力及降低二阶谐波失真,该A/D转换器采用了全差分结构.全芯片模拟结果表明,在3V工作电压下,以20MHz的速度对2MHz的输入信号进行采样时,其信噪失调比达到53dB,功率消耗为28.7mW.最后,基于0.6μm CMOS工艺得到该A/D转换器核的芯片面积为1.55mm2.     

10位逐次逼近型A/D转换器的芯片设计

介绍了一种10位、3M sample/s逐次逼近型A/D转换器的设计,描述了具有可变时钟电路结构的有效工作方式.该模数转换器在0.6 μ m双多晶硅、双金属层CMOS工艺上实现,芯片总面积为3.2mm2.转换器采用单5V电源供电,功耗仅为3 5mW.     

一种8通道12位逐次逼近式A/D转换器的设计

设计实现了一个8通道12位逐次逼近式A/D转换器。A/D转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型D/A转换器,实现数字位的串行输出。整体电路采用HSPICE进行仿真,转换速率为133 ksps(千次采样每秒),转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.8 mA。芯片基于0.6μm BiCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.5 mm×2.2 mm。     

一种2.5 V 1-MS/s 12位逐次逼近A/D转换器

设计了一种低功耗、中速中精度的单端输入逐次逼近A/D转换器,用于微处理器外围接口。其D/A转换器采用分段电容阵列结构,有利于版图匹配,节省了芯片面积;比较器使用三级前置放大器加锁存器的多级结构,应用了失调校准技术;控制电路协调模拟电路完成逐次逼近的工作过程,并且可以控制整个芯片进入下电模式。整个芯片使用UMC 0.18μm混合模式CMOS工艺设计制造,芯片面积1 400μm×1 030μm。仿真结果显示,设计的逐次逼近A/D转换器可以在2.5 V电压下达到12位精度和1 MS/s采样速率,模拟部分功耗仅为1 mW。     

一种10位10 MS/s自补偿SAR A/D转换器

基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种10位自补偿逐次逼近(SAR)A/D转换器芯片。采用5+5分段式结构,将电容阵列分成高5位和低5位;采用额外添加补偿电容的方法,对电容阵列进行补偿,以提高电容之间的匹配。采用线性开关,以提高采样速率,降低功耗。版图布局中,使用了一种匹配性能较好的电容阵列,以提高整体芯片的对称性,降低寄生参数的影响。在输入信号频率为0.956 2 MHz,时钟频率为125 MHz的条件下进行后仿真,该A/D转换器的信号噪声失真比(SNDR)为61.230 8 dB,无杂散动态范围(SFDR)达到75.220 4 dB,有效位数(ENOB)达到9.87位。     

一种电流型10位D／A转换器的设计

介绍了一种电流型１０位Ｄ／Ａ转换器的设计。着重阐述了差分式电流开关，Ｒ－２Ｒ梯形电阻、二进制电流加权网络和精密基准源的设计原理和结构。该Ｄ／Ａ转换器采用线性兼容Ｉ２Ｌ工艺制作，具有体积小、功耗低、可靠性高、使用方便灵活等特点。线性误差、微分线性误差均低于１／２ＬＳＢ，建立时间≤２００ｎｓ，在－１５Ｖ电源下功耗低于６０ｍＶ。     

一种10位50 MSPS CMOS流水线A/D转换器

介绍了一种CMOS流水线结构高速高精度A／D转换器，该器件具有50MHz工作频率和10位分辨率。设计采用双采样技术，提高了有效采样率；由于运用了冗余数字校正技术，可以采用低功耗的动态比较器。对转换器的单元结构进行了优化，并对主要电路进行了分析。     

一种8位高速硅D/A转换器的设计

介绍了一种电流舵结构的单调乘法型8位高速硅D／A转换器。着重讨论了为实现高速而采用的全差分电流开关和电流分裂技术及3μm双极工艺。模拟测试结果证明了设计的正确性。     

12位CMOS电流舵结构D／A转换器的设计

设计了一种适用于CMOS工艺的电流舵结构数模转换器,提出8 4分段式的电流舵结构,权衡了面积与性能的关系。文中对所设计的电路进行了仿真,并得到了很好的仿真结果。     

一种10位50 MHz电阻分压型D/A转换器

实现了一个可驱动传输线的采样时钟频率为50 MHz、精度为10位的电阻分压型数模转换器(DAC)。“dual ladder”、“best INL”矩阵式布局等新技术的采用,使得电阻串无需校正即可达到10位的精度。同时,通过运放复用技术,可在不消耗额外功耗的前提下实现阻抗匹配,并达到1.2 V的输出摆幅。该DAC在0.18μm数字CMOS工艺上得以验证实现,芯片面积为0.5 mm2,积分非线性误差(INL)为±0.45 LSB。在3.3 V电源供电、50 MHz的采样频率下,信噪失真比(SNDR)达到61 dB,功耗为55 mW。     

四位GaAs超高速D/A转换电路的研究

本文简要介绍了目前国际上GaAs超高速D/A转换器的研制情况。在详细分析了几种常用类型D/A转换电路工作原理的基础上,结合现有GaAs VHSIC的制作工艺条件,设计并制作了一种4位单片集成GaAs MESFET D/A转换电路。测试结果表明,该电路分辨率为4位,转换速率办1Gs/s,建立时间小于1.0ns,微分线性误差小于±1/2LSB,功耗约为20mW。     

高速14位A/D转换器的动态测试平台设计

研究了高速A/D转换器动态参数测试方法,设计了基于Quartus Signaltap的测试平台。利用该平台对一款14位80MS/s的A/D转换器芯片进行动态参数测试。测试结果表明,该平台方案可行、操作简便、实时性强,适合于高速高精度A/D转换器的动态参数测试。     

一种8位高速折叠内插A/D转换器的设计

介绍了基于0.35μm BiCMOS工艺的8位高速A/D转换器,采用独特的折叠和内插结构,在大大降低成本、功耗的同时,既能保证超高转换速率,又能达到较高的静态和动态指标。在采样率1GS/s和模拟输入差分250mV(Vp-p)、484MHz条件下进行测试,SFDR高达56dB,SNR高达45.5dB;在3.3V电源电压下,功耗为800mW。     

GaAs超高速集成电路的发展与展望

概述了ＧａＡｓ超高速集成电路的现状与发展趋势,介绍了门阵列、Ａ／Ｄ（Ｄ／Ａ）转换器、ＭＵＸ／ＤＥＭＵＸ以及异质结器件的发展和应用前景。     

不用激光修调的高速12位D／A转换器

传统的集成12位D/A转换器要求用精密的薄膜电阻网络和电阻的激光修调技术。本文介绍的分段设计技术只需要采用常规的高速双极数字IC工艺,采用扩散电阻方法,不需要微调技术,就能保证其D/A的单调性。它比用激光修调的R—2R薄膜电阻网络结构的12位D/A转换器具有更均匀的台阶尺寸,其电阻的精度要求也比后者放宽了8倍;由于内部采用了ECL电路的结构形式,工作速度快,其建立时间在80～100ns。