驱动电流对制备态钴基非晶丝GMI效应的影响

采用熔融抽拉法制备Co68.25Fe4.5Si12.25B15非晶丝材料,研究了不同振幅和频率的交流驱动电流对制备态非晶丝巨磁阻抗（GMI）效应的影响,分析了该组分非晶丝GMI比率较高的原因。结果表明,随着驱动电流振幅和频率的增加,该组分非晶丝的GMI比率均为先增后减;当驱动电流振幅和频率分别为5.5 mA和9.5MHz时,其GMI比率达到620.2%。     

利用非晶材料制备数字开关式磁敏传感器

利用Fe4.3Co68.2Si12.5B15非晶丝的巨磁阻抗效应（giant magneto-impedance GMI）,设计制作出一种新型的磁敏传感器,以满足在信息、测量和控制设备快速发展过程中对磁敏传感器小型化、低价、高灵敏度、快速反应的要求.介绍了巨磁阻抗效应,非晶材料特性,传感器的电路设计和传感器性能测试.     

铁基纳米非晶丝脉冲电流退火的最佳电流密度研究

Fe基纳米非晶丝通过脉冲电流获得Fe基纳米晶丝,可以改善其巨磁阻抗效应.通过在不同的准电流密度下对非晶丝进行退火,并分析退火后Fe基纳米晶丝的巨磁阻抗效应,得出当准电流密度为8.0 V时,可获得最佳的巨磁阻抗效应,其巨磁阻抗效应达到16.911%,退火效果为6.791%.     

两种成分制备态纤维和薄带的巨磁阻抗效应

用熔融抽拉法制备了Co68.25Fe4.5Si12.25B15和Fe72Co8Si5B15两种成分的非晶合金纤维材料。对两种成分制备态纤维和薄带的磁阻抗进行了频谱分析,表明制备态Co68.25Fe4.5Si12.25B15非晶纤维的GMI(Z)=|(Z(H)-Z(20Oe))／Z(20Oe)|高达438.5％,接近国外报导的最大值。分析了磁阻抗中电阻、电感分量随频率的变化,表明电阻的变化对维持高的GMI起主要作用。     

低频脉冲磁场致Co60.15Fe4.35Si12.5B15非晶合金纳米晶化的GMI

采用低频脉冲磁场致Co60.15Fe4.35Si12.5B15非晶合金纳米晶化，晶化过程温升小于5℃，有效避免了材料变脆，获得了优于常规等温退火的纳米晶软磁性能。从实验中观察到较大的GMI效应，且最佳驱动电流频率为2MHZ，横向磁各向异性场为0．9kA／m。     

脉冲频率对铁基纳米非晶丝的GMI影响研究

Fe基纳米非晶丝通过脉冲电流获得Fe基纳米晶丝,可以改善其巨磁阻抗效应。通过在不同的脉冲频率下对非晶丝进行退火,并进行巨磁阻效应分析,得出当脉冲频率为25 Hz时,可获得最佳的巨磁阻抗效应,其退火效果（ΔZ1-ΔZ0）/Z00达到12.287%,巨磁阻抗效应（ZHex-Z0）/Z0达到21.988%。     

锂离子电池Si_(1.81)Co_(0.6)Cr_(0.6)Zn_(0.2)/MGS复合负极材料的制备与性能

采用两步高能球磨法制备了一种新的锂离子电池硅基复合负极材料Si1.81Co0.6Cr0.6Zn0.2/MGS.用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了材料的组成和形貌结构.电化学测试表明,Si1.81Co0.6Cr0.6Zn0.2/MGS作锂离子电池负极材料有较好的电化学性能:首次可逆容量为561 mAh.g-1,50个循环后,可逆容量的保持率为91%.Si1.81Co0.6Cr0.6Zn0.2/MGS循环性能的改善归因于电极结构在循环过程中的稳定性.     

Gd5(Ge2-xSi2-xM2x)化合物的晶体结构和磁性研究

研究了用稳定元素Mn、Mo、Al和V代替非磁性的Si和Ge对Gd5Ge2Si2化合物的居里温度的影响；并且研究了Gd5(Ge2-xSi2-xM2x)(M=Mn、Mo、Al和V)样品退火处理对居里温度的影响．结果表明少量的合金化元素替代会提高Gd5Ge2Si2化合物的居里温度；退火后居里温度随替代元素的含量变化比退火前更敏感．X射线粉末衍射分析表明少量的合金化元素(Mn、Mo、Al和V)替代不会影响母体Gd5Ge2Si2化合物的晶体结构．对样品的晶态显微组织和表面微结构研究发现退火后组织分布比退火前更均匀。     

Fe3B添加量对Nd-Fe-B快淬薄带结构与磁性能的影响

通过在Nd2Fe14B合金中按Fe3B原子比同时添加Fe与B,研究了Nd15Fe77B8、Nd9Fe81B10、Nd4.5Fe77.0B18.5 3种合金薄带的结构与磁性能.试验发现,40 m/s的快淬速度使三种合金薄带中形成了较多的非晶相,而且随着合金中Fe3B添加量的增加,薄带的非晶形成能力增强、α-Fe与Fe23B6含量增加、Nd2Fe14B含量减少,磁性能单调降低.经680℃保温10 min退火处理后,3种薄带中的非晶相明显减少,Fe3B相消失,.α-Fe与Fe23B6含量随Fe3B添加量的增加而增加.其中,薄带中Nd2Fe14B晶粒约50 ～ 100 nm,而α-Fe晶粒一般小于50 nm.Nd15Fe77B8退火薄带更多地表现为单硬磁相特征;Nd9Fe81B10退火薄带中形成了α-Fe/Nd2Fe14B/Fe23B6三相交换耦合微结构,剩磁比达到了0.612,并获得最大的剩磁58.3 A· m2/kg;而Nd4.5Fe77.0B18.5薄带中Fe23B6与α-Fe含量太高,矫顽力太低而使剩磁增强效应不明显.     

溶胶凝胶生长(111)择优取向的MgO薄膜

用一种简单的方法制得MgO的前驱溶液并用溶胶凝胶法在Si（100）和Si（111）衬底上制备出（111）择优取向的MgO薄膜.使用X射线衍射曲线、摇摆曲线、原子力显微镜图来研究薄膜的微结构与基板取向、退火温度、薄膜厚度之间的关系.结果表明，在退火温度高于500℃时结晶，Si衬底的取向对MgO薄膜的取向没有显著影响.同时，退火温度的升高和薄膜厚度的增加都能使MgO（111）的择优取向性越来越好;Si的易氧化是导致镁醇盐经过高温分解结晶形成MgO（111）择优取向的主要原因.     

Giant magnetoimpedance effect in as quenched Fe89—xZr7B4Cux（x=1.0—2.5） ribbons

The giant magnetoimpedance (GMI) effect in as-quenched Fe_(89) _xZr_7B_4Cu_x (x= 1.0-2.5) ribbons is reported. The as-quenched Fe_(89-x)Zr_7B_4Cu_x(x=1.0-2.5) ribbons were prepared by the vacuum melt-spun processes with the quenching speed of 37m/s. The magnetoimpedance measurement were performed at room temperature, where the current flows through the length of the ribbons in the direction parallel to the dc fields. Results show that values Z (impedance), R (resistance) and X (reactance) for both H=0 A/m and H=5 127 A/m increases with increasing ac frequency. This can be explained by the skin effect mechanism. The GMI effect almost can not be found in the Cu content (mass fraction) range x ≤ 1.5%. With increasing Cu content x > 1.5%, the GMI effect become evident for as-quenched Fe_(89-x)Zr_7B_4Cu_x (x=1.0-2.5) ribbons. GMI ratio (Z(0)-Z(H)/Z(0)) in as quenched Fe_(86.5)Zr_7B_4Cu_(2.5) with melt-spun quenching speed of 37 m/s can reaches 33.69% atH=5 127 A/m. This indicated that good GMI properties can     

基于内圆水纺丝的GMI微磁传感器设计

针对不同处理工艺对Co69.9Si12.5B9Fe5Cr3.5Mo0.1內圆水纺丝巨磁阻抗（GMI）特性的影响,设计了传感器检测探头及信号处理电路,论述了以內圆水纺丝的微磁传感器的基本结构与工作原理,给出了传感器输出特性、重复性、频率特性、温度特性的测试结果。并就灵敏度、线性测量范围和温度稳定性等方面进行了分析,得出了一些结论。     

Pressure stress-impedance effect in FeCuNbSiB amorphours ribbons

The stress-impedance effect in Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9 (at%) ribbons is measured to investigate the influences of vacuum annealing and pressure stress. The results can be explained by the influence of induced anisotropy in the magnetization processes at the chosen drive current frequency of 90 MHz. The maximum SI% value of the ribbon annealed at 300 ℃ is 2.52%.     

NiO/AC非对称超级电容器的研究

通过热处理球形Ni（OH）2得到NiO粉末，将其作为正极与活性炭（AC）负极组装成非对称超级电容器，用恒流充放电测试分析了超级电容器的电容特性。讨论了正负极活性物质比例、充放电电流和热处理时间对超级电容器比电容量、内阻的影响。结果表明：正负极活性物质比为1：3，工作电流密度为200mA／g，当Ni（OH）2的热处理时间为2h，充电电压为1．3V时，超级电容器的双电极比电容量可达71．5F／g。     

活性炭载Fe^2＋三维电极法处理染料废水

采用以载Fe^2＋活性炭为第三极的三维电极法电催化氧化处理酸性大红模拟废水,并对该体系与二维电极法、三维电极法去除废水COD及色度的效率进行对比,同时考察了活性炭投加量及载Fe^2＋活性炭使用寿命。结果表明：载Fe^2＋活性炭三维电极法处理效率明显高于二维电极法和三维电极法,在适宜的条件下,该体系对酸性大红模拟废水的脱色率和COD去除率分别可达95％、85％以上,表现出良好的三维电极电解、Fenton试剂、吸附的协同效应。     

铜包铝复合材料用于特高压携带型短路接地线的轻型化方案研究

针对现有携带型短路接地线(简称接地线)在特高压线路上挂接时存在质量重、不便于携带安装的问题,该文提出使用铜包铝复合材料用作特高压接地线导体的轻型化方案。对铜及铜包铝材料在短时间下的熔断电流进行理论计算及试验,并对典型1000 kV同塔双回线路接地线短路电热耦合暂态过程进行仿真分析。研究结果表明:当导线截面大于4 mm2、熔断时间小于1.5 s时,接地线导体材料熔断电流试验值与理论计算值基本一致。采用CCA-10铜包铝接地线相比铜接地线截面积增大71.1%,但质量减轻36.2%。对于1000 kV同塔双回线路单回停电检修的情况,可选择50 mm2的铜接地线或95 mm2的CCA-10铜包铝接地线,且铜包铝接地线安全裕度更大。     

Effect of Annealing on Ferroelectric Properties of Bi3.25La0.75Ti3O12 Thin Films Prepared by the Sol-gel Method

Bi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂(BLT) thin films were prepared on Pt/Ti/SiO₂/Si substrate by the sol-gel method. The effect of annealing on their structures and ferroelectric properties was investigated. The XRD patterns indicate that the BLT films annealed at different temperatures are randomly orientated and the single perovskite phase is obtained at 550°C. The remnant polarization increases and the coercive field decreases with the annealing temperature increasing. The leakage current density of the BLT films annealed at 700°C is about 5.8×10⁻⁸ Al cm² at the electric field of 250 kV/cm. Funded by the National Natural Science Foundation of China (No. 90407023)