共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
2.
《电子制作.电脑维护与应用》2010,(7)
<正>半导体制造商罗姆株式会社开发出适合安装在移动电话手机、游戏机、数码相机、便携式音乐播放器、笔记本电脑等便携式装置内进行过热检测、温度监视的超小型、低消耗电流的恒温输出温度传感器IC 相似文献
3.
可实现零待机功耗的芯片技术正开始朝实用化方向发展(见图1)。在该领域领先一步的是日本罗姆公司,该公司于2008年成功试制出采用相应技术的微处理器原型,现在正在为多家设备厂商设计定制芯片。罗姆公司表示:“我们将于2009年下半年开始提供定制IC,采用这些芯片的设备将在2009年末上市。” 相似文献
4.
5.
6.
该文提出了一种低电压、高稳定性低压差(LDO)线性稳压器,该LDO线性稳压器可输出6种可调电压(2.0V、1.8V、1.6V、1.4V、1.2V、1.0V).LDO的基本功能是优化便携设备的电池使用寿命,并且为电路系统提供稳定的输出电压.芯片设计基于CSMC公司的0.18微米CMOS混合信号模型.仿真结果表明,该稳压器的线性调整和负载调整的典型值分别为0.7mV和5mV;输出的最大电流为90mA;其输出压差在90mA输出电流,1.8V输出电压下为170mV. 相似文献
7.
8.
9.
在分析传统LDO稳压器稳定性的基础上,提出一种新式电路结构.经HJTC 0.18umBi-CMOS工艺仿真验证,结果表明该电路显著提高LDO的频率稳定性,增益达到100dB左右,在负载电流从0-50mA变化时,输出电压变化为0.037V,最大负载电流为50mA时的电流效率为99.97%. 相似文献
10.
NEC公司开发出实现零待机功耗SoC所需的关键技术——“非易失性磁性触发器(MFF)”。该技术可以大幅降低数字消费类设备及便携设备的待机功耗,如可使普通的蓝光/DVD录像机的待机功耗降至原来的几十分之一。 相似文献
11.
一种高线性调整率无电容型LDO的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种1.8 V、70 mA片上集成的低功耗无电容型LDO(Low Dropout)电路。电路中采用了一级增益自举运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;带隙基准源(BGR)采用了线性化VBE技术进行高阶补偿,可以获得温度稳定性更好的BGR,降低了BGR对线性调整率的影响。该设计采用HHNEC 0.13μm CMOS工艺(其中VTHN≈0.78 V、VTHP≈-0.9 V),整个芯片面积为0.33 mm×0.34 mm。测试结果显示:在2.5 V-5.5 V电源供电下,LDO输出的线性调整率小于2.14 mV/V,负载调整率小于1.56 mV/mA;在正常工作模式下,整个LDO消耗56μA静态电流(其中测试用的放大器消耗电流约18μA)。 相似文献
12.
《电子制作.电脑维护与应用》2020,(2)
采取LDO的过流保护设计方案来进行电路的设计,通过屏蔽电路来屏蔽信号,并根据电流大小来调整是否关断功率管,使得LDO不会因为过流信号的干扰而发生中断,确保功率管的安全性和稳定性。 相似文献
13.
《电子技术应用》2014,(1):52
<正>2013年12月18日,凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出LDO+TM系列的最新器件LT3086,该器件提供了以前线性稳压器所没有的重要功能。该40 V、2.1 A低压差线性稳压器(LDO)具有电流监视(利用可在外部设定的电流限值)和温度监视(采用外部控制的热限制温度)功能。LT3086包括一个可编程电源良好状态标记,提供电缆压降补偿,且易于并联。LT308x LDO系列器件的电流基准可提供不受输出电压影响的调节。LT3086具备1.4 V~40 V的输入电压范围。单个电阻器在0.4 V~32 V范围内设定输出电压,压差电压在2.1 A时仅为 相似文献
14.
15.
16.
《单片机与嵌入式系统应用》2012,12(7)
罗姆株式会社开发出内置绝缘元件的栅极驱动器BM6103FV—C,最适合作为电动汽车(EV)和混合动力车(HEV)逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。 相似文献
17.
18.
介绍了一种基于CLASS-AB类运放无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。电路在高摆率误差放大器(EA)的基础上,通过构建动态偏置电路反馈到EA内部动态偏置管,大幅改善了LDO的瞬态响应能力,且动态偏置电路引入的左半平面零点保证了LDO的环路稳定性。同时,EA采用过冲检测电路减小了输出过冲,缩短了环路稳定时间。电路基于65 nm CMOS工艺设计和仿真。仿真结果表明,在负载电流10μA~50 mA、输出电容0~50 pF条件下,LDO输出稳定无振荡。在LDO输入2.5 V、输出1.2 V、无片外电容条件下,控制负载在10μA和50 mA间跳变,LDO输出恢复时间为0.7μs和0.8μs,下冲和上冲电压为58 mV和15 mV。 相似文献
19.