ZnO上欧姆接触的研究进展

为制备高性能的ZnO基器件如UV光发射器，探测器、场效应晶体管，在ZnO上形成优良的金属电极是十分必要的。回顾了近年来ZnO上制备欧姆接触的新进展，对在n型ZnO上制备欧姆接触的Al，A1/Pt，A1/Au，Ti/Al，Ti，AU，Ti/A1/Pt/Au，Re/Ti/Au等金属化方案的性能与特点，以及影响欧姆接触电阻率和热稳定性的因素，如表面处理和退火等进行了分析与归纳。同时，对P型ZnO上难以获得低接触电阻的原因进行了讨论。文章还简要说明了ZnO上透明欧姆接触的研究现状，指出获得低阻、高导电、高透光和高热稳定性的接触是未来ZnO基光电器件的发展方向。     

金属/多晶锗硅肖特基接触特性的影响因素研究

用射频磁控溅射在单晶硅上沉积Si1-xGex薄膜.溅射的SiGe薄膜样品,用俄歇电子谱(AES)测定其Ge含量,约为17％,即Si0.83Ge0.17.样品分别做高温磷、硼扩散,经XRD测试为多晶态,制得n,p-poly-Si0.83Gge0.17.在n-poly-Si0.83Ge0.17上分别溅射Ni、V、W、Cu、Pt、Ti、Al、Co膜,做成金属/n-poly-Si0.83Ge0.17肖特基结.利用Ⅰ-Ⅴ测试数据进行接触参数的提取,从而定量研究金属的功函数、金属膜厚以及快热退火温度对肖特基接触特性的影响.结果发现,肖特基势垒高度(SBH)与金属的功函数有微弱的正相关,Al/n,p-poly-Si0.83Ge0.17接触存在Shannon效应,金属膜厚对Co/n,p-poly-Si0.83Ge0.17接触特性有不同的影响,随快热退火温度的升高,Ni、V、W、Co、Cu、Pt、Ti、Al八种金属在n-poly-Si0.83Ge0.17上的肖特基势垒高度和理想因子未见有一致的变化规律,但存在不均匀性.     

rGO-AuNPs/n-Si的肖特基接触特性研究

通过水热法制备了还原氧化石墨烯负载Au纳米复合材料(rGO-AuNPs),结合旋涂法,将其涂覆在单晶硅表面,制备出rGO-AuNPs/n-Si肖特基接触。结果表明,rGO-AuNPs的衍射峰以单质Au为主,存在较弱的石墨烯衍射峰,同时纳米Au粒子(Au nanoparticles, AuNPs)较均匀分布在石墨烯表面,表明成功合成了负载Au的还原氧化石墨烯。从电流-电压(Current-voltage,I-V)曲线可以看出rGO-AuNPs/n-Si肖特基接触具有整流特性。在负载量下,随着Au含量的递增,肖特基势垒高度增加,理想因子减小,但漏电流增大,可能是由于氧化石墨烯在还原过程中缺陷的存在,产生了隧道电流和镜像力,降低了肖特基势垒的横向均匀性。     

ZnO基半导体的研究进展——点缺陷、掺杂及接触

ZnO以其优异的特性正在世界范围内再次掀起新的研究热潮.简要综述了近年来在ZnO点缺陷、掺杂、接触等方面的研究进展.目前,ZnO施主缺陷得到进一步研究和鉴别,P型转变已经初步实现,ZnO与金属的接触也得到了研究和改进,但仍存在许多极富挑战性的课题,有待于从掺杂机理、缺陷化学、材料设计及其制备技术等方面进一步地创新与研究.     

Au修饰ZnO纳米带及其光催化性质研究

采用离子溅射方法在ZnO纳米带表面蒸镀Au层,经过500℃退火,在样品表面形成Au纳米颗粒,通过SEM、XRD对退火后样品进行结构表征,结果表明,随着蒸镀Au量的增加,在500℃退火后的Au颗粒尺寸逐渐减小,且分布均匀。Au颗粒与ZnO纳米带接触可以形成肖特基结,肖特基结能够有效地使电子与空穴分离并且快速导出电子,所以能够有效提高光催化活性。将以上产物作为光催化剂,在紫外光照射下降解甲基橙（Methyl Orange）,研究其光催化性能,与纯zn0相比,金修饰ZnO纳米带的光催化性能有明显的提高,且不同Au颗粒尺寸降解能力不同。     

金属/半导体肖特基接触模型研究进展

在分析理想金属/半导体肖特基接触的基础上,概述了一般情形下肖特基接触的形成机理和影响因素。金属/半导体间的界面层使得肖特基势垒高度(SBH)对功函数的依赖减弱,也导致SBH与外加偏压有关。研究证实,多种因素,如界面晶向、原子结构、化学键和结构不完整性等,都会造成SBH的空间不均匀分布。该特性在肖特基接触中普遍存在,并对基于肖特基结的器件工作有显著影响。     

氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响

研究了不同的干法刻蚀以及氧气等离子体处理条件对AlGaN表面特性的影响。在合适的条件下,氧气等离子体处理可以使AlGaN表面发生氧化,并使肖特基接触的反向漏电流降低两个数量级,反向击穿电压也有显著提高。该方法简单易行,可应用于制备高性能的AlGaN／GaN HEMT器件。     

金属/Hg1-xMnxTe接触的I-V特性研究

分别采用溅射和蒸发镀膜法在Hg1-xMnxTe试样表面形成了Au/Hg1-xMnxTe和Al/Hg1-xMnxTe接触,并用Aligent4155c I-V测试仪对其I-V特性进行了测量,随后对试样在10%NH4F:10%H2O2:H2O中进行了钝化处理,并对处理后的试样再次进行了I-V测量,对于测试结果用热电子发射-扩散理论进行了分析.结果表明:Au与Hg1-xMnxTe形成了良好的欧姆接触,而Al与Hg1-xMnxTe形成了具有整流特性的肖特基接触,其肖特基势垒的理论推算值为0.38eV.钝化处理后的试样,其表面漏电现象明显降低,Au/Hg1-xMnxTe接触的电流下降幅度在0.1V时最大,为76.1%;而Al/Hg1-xMnxTe接触在0.2V时最大,为93.2%.随着偏压的进一步增大,两种接触的电流减小的幅度都逐渐变小.     

肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究

基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。     

ZnO同质p-n结的研究

调节反应气体中O2的比例和RF电源的功率可以增加本征施主V0的形成焓,降低本征受主VZn和Oi的形成焓,制备出p型ZnO薄膜;采用掺杂金属Al制备出低电阻n型ZnO薄膜,在此基础上得到性能可观的ZnO同质p-n结.