ECR Plasma CVD淀积介质膜的工艺模拟

以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ）淀积硅的氮、氧化物介质膜折射率ｎ与气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）关系的数学模型,此模型在给定气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（Ｓ９Ｈ４）时所预测的成膜折射率跟实验值符合得很好,该数学模型为ＥＣＲ Ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ淀积全介质光学膜的工艺模     

蒸发淀积氧化铅膜层的电性能

已研究出用以解释微晶体氧化铅膜层的“准本征”性能的模型。该模型以实验为依据,实验证明:接近禁带宽度中心的表面态决定四方氧化铅晶体的费米能级。数值的计算表明:在尺寸为0.1微米以下的晶体中,表面态而不是体态决定平衡时的电性能,甚至在相当高的体掺杂水平时也是这样。在很小的晶体尺寸的极限内,深表面态的多晶体半导体等效于深的能态补尝了浅施主和浅受主的均匀材料。本文阐述了这种模型的某些结论。     

蒸发淀积PbO膜层烧伤的分析

研究了PbO光电导摄象管中PbO膜层的烧伤行为,发现了烧伤随靶压降低和光通量增大而加重,并且常与光电流随靶压变化不呈现饱和状态同时产生。分析蒸发淀积膜层工艺和制管工艺过程中烧伤的产生和变化,以及膜层结构的特征,认为微晶多孔PbO膜层吸气能力极强,微量水气、CO₂沾污膜层是产生烧伤的主要原因。采用HCl低温处理膜层,可以降低PbO膜层比表面积,从而显著降低吸气能力,对改善烧伤有明显效果。对试验结果也进行了初步讨论。     

淀积速度对铝膜吸附力的影响

一、引言由于铝蒸镀膜的电导率高,可用于LSI的布线或用作聚光器膜等,还由于它具有很高的分光反射率,也可作为反射膜使用。无论属于哪一种情况,其实用膜的强度都与膜的硬度及膜与衬底间的吸附力有关,特别是吸附力对膜的耐久性具有很大的影响。为此对于铝膜制备条件对吸附力的影响作了各种分析和研究,但是关于采用真空镀膜法时淀积速度给予吸附力的影响的报告却很少。因此,作为改变淀积速度的方法,而分别在改     

光学薄膜淀积的计算机仿真

介绍了利用计算机对光学薄膜淀积过程进行仿真,编写了基于Matlab的计算机仿真程序.对采用反射率极值法监控的镀膜系统的薄膜淀积结果以及薄膜淀积过程中监控片透射率的实时变化进行了模拟,根据模拟结果所计算的薄膜的光学特性曲线与成膜的实测结果一致.     

光学薄膜淀积的计算机仿真

介绍了利用计算机对光学薄膜淀积过程进行仿真 ,编写了基于 Matlab的计算机仿真程序。对采用反射率极值法监控的镀膜系统的薄膜淀积结果以及薄膜淀积过程中监控片透射率的实时变化进行了模拟 ,根据模拟结果所计算的薄膜的光学特性曲线与成膜的实测结果一致。     

光学薄膜淀积的计算机仿真

介绍了利用计算机对光学薄膜淀积过程进行仿真,编写了基于Matlab的计算机仿真程序.对采用反射率极值法监控的镀膜系统的薄膜淀积结果以及薄膜淀积过程中监控片透射率的实时变化进行了模拟,根据模拟结果所计算的薄膜的光学特性曲线与成膜的实测结果一致.     

应用IAD工艺在室温塑料片上淀积MgF2减反膜

本文介绍了应用离子辅助淀积技术(IAD)在室温塑料基片(CR-39)上淀积MgF_2减反膜。应用IAD工艺在塑料基片上淀积的MgF_2单层减反膜光学性能稳定,牢固度耐磨性等机械强度指标明显提高。XRD分析表明离子辅助轰击有助于薄膜结构晶化。应用该工艺可以解决由于塑料基片不能加高温烘烤因而无法制得牢固优质膜层的问题,这无疑为塑料基片的表面处理开辟了一条新途径。     

低压化学气相淀积的模型及模拟

通过对几个淀积工艺模型的讨论,分析了气体在低压下的传输机理及各部分反应对淀积结果的贡献,在此基础上提出了低压化学气象淀积(LPCVD)的二维淀积模型.这个模型在结构上比较简单,计算方便,模型考虑了中间产物的作用,能得到与实际情况较为符合的结构.最后使用C语言编程,采用线算法将模型变为程序,计算过程较为简单,计算速度较快.     

等离子化学气相淀积设备抗干扰的应用研究

阐述对半导体行业等离子化学气相淀积设备干扰的基本发生源头,干扰现象以及设备维修人员在维修过程中抗干扰应采取的措施。     

等离子体溅射石英晶体表面成膜实现液体黏度测量的研究

提出了用微波电子回旋共振等离子体溅射法（ECR）在石英晶体表面制备出性能优异的TiN薄膜，研究了TiN薄膜的性能以及作为液体黏度检测时的频率偏离特性。该装置具有灵敏度高、动态性能好和操作方便的优点，有广阔的应用前景。     

Cr过渡层沉积粘附型CVD金刚石膜的机理研究

研究了电沉积层作为过渡层沉积CVD金刚石膜的工艺，在硬质合金的Cr电沉积层上用热丝法沉积出CVD金刚石膜。利用SEM分析了电沉积层的形貌，利用EPMA分析了H等离子处理后电沉积层的断面，利用SEM和Raman分析了金刚石膜的表面形貌、成分，利用XRD分析了过渡层和CVD金刚石膜的结合面．利用压痕法研究了金刚石薄膜与基体的结合力。结果表明，H等离子处理使得硬质合全与Cr镀层成为冶金结合，提高了电沉积层的结合强度；在Cr过渡层与金刚石膜之间形成的Cr3C2和Cr7C3等碳化物有利于金刚石的成核和膜基结合强度的提高。     

热丝CVD法制备大面积金刚石薄膜基片的变形

采用热丝CVD法制备的大面积金刚石薄膜存在基片变形严重的问题,通过对热丝CVD设备和沉积工艺进行改进,成功解决了直径76mm、厚度0.4mm硅片的变形问题。结果表明:改进后金刚石薄膜基片的翘曲度为0.296%,比改进前的降低了88.9%;改进后金刚石薄膜的质量及晶粒大小均匀,膜厚不均匀度仅为1.53%,具有优异的大面积均匀性。     

基于人工神经网络的车削切屑形态预测动态建模及实时仿真

针对数控加工中切屑形成过程的监控问题,在基于实时工况智能监控平台上,通过研究切屑形态预测的神经网络动态建模方法,建立了切屑形态预测仿真动态模型.并根据切屑空间运动轨迹的数学模型,建立了切屑三维造型模型,在虚拟现实环境中实现车削过程的切屑实时动态仿真.