功率MOSFET并联驱动特性分析

并联MOSFET非常适合于在低电压、大电流下工作.基于IRFS4227PBF功率MOSFET,分析和测试了在一定散热环境下MOSFET结温的收敛特性与漏极电流的关系,说明了MOSFET的实际电流容量受散热条件制约,并以此确定在额定电流下需要并联的个数.用PSPICE电路仿真论述了外围电路Q值和功率管参数等因素对并联驱动的动态均流特性的影响.在此基础上搭建实验平台,成功实现了8个MOSFET并联在高频状态下的稳定工作.     

功率MOSFET并联应用及研究

对作用在C类状态下频率为MHz以上的功率MOSFET并联均流情况进行了研究,分析功率MOSFET并联时造成不均流的各种因素,着重解析稳态和暂态电流平衡问题,并通过仿真提出一些解决方法和建议。实验结果表明,使用参数尽量一致的MOSFET管对称分布进行并联,并采取合理的电路布局,通过调节电路参数能获得较好的均流效果。     

小功率开关电源并联使用均流技术

本文介绍了并联开关电源均流技术的必要性、技术要求,着重介绍了几种均流技术及其特点,并作了定性的分析.     

小功率开关电源并联使用均流技术

本文介绍了并联开关电源均流技术的必要性、技术要求，着重介绍了几种均流技术及其特点，并作了定性的分析。     

电源的并联均流方案讨论

介绍了稳压电源并联均流的一般原理和几种不同的实现方案，并简单介绍了几种电流采样的方法。     

电源并联均流技术

讨论了几种常用的电源并联均流技术的工作原理及其主要特点。     

大功率晶闸管并联的物理级均流研究

针对常规电路级均流分析方法存在实现方式复杂、需要增加装置的不足，本文从场的角度出发，提出了一种物理级均流分析方法。该方法直接使用实物模型仿真，综合分析多物理场间的耦合作用，得到更加真实的均流分析结果。以大容量晶闸管并联实物模型为例，叙述了并联均流的物理级建模和仿真过程，在此基础上对均流母线的结构进行了改造，通过双排布置和不均匀分布两种措施显著提高了均流效果。     

电源并联均流技术

稳定电源输出扩流应用较多,文中详细介绍了６种常用的电源均汉技术,其中改变单元电源输出内阻法,最大电 自动均流法,强迫均汉法等已有集成控制芯片。随微处理技术发展,整个电源系统可采用智能总线结构,实现均流冗余控制,故障检测、故障信息显示等功能。这样会使均汉效果更理想。     

直流稳压电源并联均流及实现

本文介绍了直流稳压电源并联均流控制常用方法和实现电路。     

并联均流高频开关电源的研究

随着分布式电源系统的发展，开关电源并联技术的重要性日益增加。文中介绍了一种新型高频开关电源及220V／10A整流模块的实现方案。其中整流模块采用高可靠性电流型PWM整流器及全桥变换电路来分别实现三相功率因数校正和DC／DC变换，并在模块间采用最大电流自动均流法实现自主均流。     

MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究

并联应用时MOSFET管会产生电流分配不匀的现象,为减小此问题造成的不良影响,只能通过实验确定有关的电路参数。这里用数学方法详细分析MOSFET管的特性参数和电路参数对静态和动态漏极电流分配不匀的影响,推导出反映漏极电流分配不匀程度和对漏极电流上升速度影响程度的精确计算公式,为在实际工作中减小电流分配不匀的影响提供理论依据。     

轻掺杂漏(LDD)MOSFET的数值模拟

轻掺杂漏(LDD)MOSFET是一种已用在VLSI中的新型MOSFET结构.为了有效地进行LDD MOSFEI的优化设计,我们在二维数值模拟器MINIMOS的基础上,修改了边界条件及输入输出格式,考虑了轻掺杂区的杂质分布,研制成功了一种既适用于常规以MOSFET,又适用于LDD MOSFET的二维数值模拟程序FD-MINIMOS.应用该程序对LDD MOSFET的一系列直流特性模拟的结果表明,不同的轻掺杂浓度对于抑制沟道电场及热电子效应具有不同的效果,为轻掺杂区优化设计提供了重要信息.     

基于功率MOSFET的磁流变阻尼器控制器的研究

根据磁流变阻尼器的阻尼力与控制电流之间的关系,采用功率MOSFET和脉位调制器设计出磁流变阻尼器的电流控制器.实验测试表明,控制器电流可在0～2A范围连续可调,响应速度快,输出的电流精度高,线性度好,输出电流稳定,能够满足磁流变阻尼器的需要.     

一款700V功率场效应管失效分析与改进

对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在215μm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果表明,其硅表面最大场强为2.65×105 V/cm,有效解决了芯片失效问题,提高了器件的可靠性。同时终端长度比原失效终端长度缩小了13%,有效减小了器件的面积。     

SOI MOSFETI－V特性的计算机模拟

本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速，所用参数易于提取。     

功率MOSFET寄生振荡的研究

针对MOSFET易产生寄生振荡的问题,在分析振荡与驱动电路各参数之间关系的基础上,通过加入合适的驱动电阻来解决该振荡问题,从而保证MOSFET能在高速应用场合的可靠运行.该方法具有实现简单、成本低廉、安全可靠的特点.经过1000W纯正弦波逆变器设计应用,实验波形表明驱动电路的合理性和有效性.     

MOSFET的驱动保护电路的设计与应用

率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOS-FET的匹配;设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。     

Si3N4栅MOS器件的隧穿电流模拟

随着MOS器件尺寸按比例缩小到亚100 nm时代,栅绝缘层直接隧穿(Direct Tunnel-ing,DT)电流逐渐增大.使用Si3N4材料作为栅介质,利用其介电常数高于SiO2的特性,可以在一定时期内有效地解决隧穿电流的问题.文章在二维器件模拟软件PISCES-II中首次添加了模拟高k材料MOS晶体管的器件模型,并对SiO2和Si3N4栅MOS晶体管的器件特性进行了模拟比较.     

SOI LDD MOSFET的栅电流的模拟

本文介绍一种采用载流子总量方法分析ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件特性及热载流子效应的数值模型。使用专用模拟程序ＬＡＤＥＳ７联解器件内部二维泊松方程、电子和空穴的连续性方案。ＬＡＤＥＳ７可用于设计和预测不同工艺条件、几何结构对器件性能的影响。该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起，可准确地模拟ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件的特性并给出清晰的内部物理图象。本文给出了ＬＡＤＥＳ７软件模拟的部     

B型缓冲电路用于MOSFET逆变器的仿真分析

针对B型缓冲电路用于以大功率MOSFET为主开关器件的全桥逆变器时所存在的受各种因素影响较大的问题，在缓冲电路组数不同、开关频率不同、负载性质不同以及缓冲电路各参数不同等情况下使用PSpice仿真软件进行仿真，通过仿真波形分析上述各因素对开关管尖峰电压吸收效果的影响，得出了一些有益的结论，对设计B型缓冲电路时有重要的参考价值。