钒酸钇晶体楔型光隔离器

介绍了用钒酸钇晶体的与偏振无关的Ｗｅｄｇｅ型光隔离器的基本原理，用琼斯矢量法得到了插入损耗和隔离度的数学表达式，并介绍了隔离器的结构设计．制作的隔离器光纤到光纤的插入损耗为１．０４ｄＢ，隔离度为４２ｄＢ，回程损耗为４４．３ｄＢ，偏振灵敏度≤０．２ｄＢ，带宽大于４０ｎｍ，体积为１０×１０×４０ｍｍ３．     

掺饵光纤放大器用1480／1550nm波分复用器的优化设计

以组合波导理论为基础，分析了１４８０／１５５０ｎｍ波分复用器的耦合区横截面形状和尺寸与偏振灵敏度的关系。着重比较了矩形截面和椭圆形截面二种波分复用器的偏振性能，并发现当椭圆截面的短轴与长轴之比为１：１．８８时，器件性能几乎与偏振无关。研制成功的１４８０／１５５０ｎｍ波分复用器的波长隔离度大于２０ｄＢ．偏振灵敏度小于０．１ｄＢ．附加损耗小于０．５ｄＢ。     

偏振有关光隔离器性能的理论分析

本文系统地分析了偏振有关光隔离器的性能，讨论了光隔离器中各元件的加工精度、表面反射率以及光纤耦合等因素对光隔离器特性的影响。理论分析表明，当各元件表面的光强反射率＜０．２５％，４５°法拉第旋转器的法拉第旋转误差＜４．３°，偏振器Ｐ１和Ｐ２透光轴之间的夹角误差＜０．５７°时，可以得到隔离度＞４０ｄＢ、正向损耗＜０．９ｄＢ的光隔离器。在实验中，我们已成功地研制了１．５５μｍ和１．３μｍ带尾纤的光隔离器，隔离度＞４０ｄＢ、正向损耗＜ｌ．５ｄＢ。     

熊猫光纤用小型自保持式光开关

通过相对光纤之间主轴的精密对准开发了一种小型低偏振串扰１×２ＰＡＮＤＡ（熊猫光纤开关。其插入损耗为０．５ｄＢ,回波损耗４２ｄＢ,偏振串扰－４２ｄＢ,驱动功率９ｍＷ,在１０＾４次切换作业中,达到了损耗变化〈０．１ｄＢ,串扰变化〈２ｄＢ的高切换重复性。     

宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的功率处理能力大于２０ｄＢｍ。此开关具有极低的直流功率耗散。     

1.3μm波长金属膜波导偏振器的研制

文章针对Ｔｉ扩散ＬｉＮｂＯ３波导１．３μｍ波长偏振器的制作，论述了单模ＴＥ波传输的波导偏振器的器件结构设计，理论分析及制作方法。采用的优化结构ＭｇＯ／Ａｌ覆盖波导偏振器其ＴＭ波的消光比达４０ｄＢ以上，ＴＥ波附加损耗〈１ｄＢ，器件综合消光比〉３５ｄＢ，结果与理论计算相近。     

反射型GaAs光控微波开关

对反射型ＧａＡｓ光控微波开关的结构、实验系统和特性参量进行了研究。实验测出该微波开关的插入损耗低于１ｄＢ，隔离度达到３０ｄＢ。用５０ｎｓ光脉冲照射开关，其开关速度小于１０ｎｓ。     

1.55μm波段低偏振灵敏度半导体光放大器

研制了１．５５μｍ波段低偏振灵敏度的半导体光放大器（ＳＯＡ）．其有源区材料采用张应变和压应变交替排列的混合应变量子阱结构,由ＭＯＣＶＤ生长．张应变量子阱加强了ＴＭ模式的增益,改善了ＳＯＡ的偏振灵敏度．腔长为４００μｍ的单端耦合ＳＯＡ,在１６０ｍＡ偏置下,增益大于１６ｄＢ,偏振灵敏度约为１．８ｄＢ．     

适于DFB—LD光源耦合的微型化光隔离器

本文报道一种微型化光隔离器。隔离度大于４０ｄＢ，插入损耗小于０．３５ｄＢ，能适应ＤＦＢ—ＬＤ光源的耦合封装要求。文中先简要介绍了器件基本原理与设计，然后对其主要性能指标进行了评估与测试。     

一种改进型宽带3dB混合环定向耦合器

叙述了一种改进型３ｄＢ混合环定向耦合器，它的结构简单，频带宽，在３７．７％的带宽内，各端口的电压驻波比小于１．３，隔离度大于２０ｄＢ。给出了设计实例和测试结果。     

C波段超短延时声体波延迟线

叙述了超短延时声体波微波延迟线的设计和制作。制作了工作频率４．２ＧＨｚ，延迟时间分别为５０ｎｓ和７０ｎｓ的器件。直通隔离度达８０ｄＢ和三次抑制大于１８ｄ     

11.4MHz中等带宽晶体滤波器设计

本文介绍了１１．４ＭＨ中等带宽晶体滤波器的设计。该滤波器是为中国航天工业总公司军工产品的需求与研制。其技术要求为：（ＢＷ６０ｄＢ）大于７６ＫＨｚ，扦入损耗低于４ｆｄＢ，带外衰减大于６０ｄＢ≤±５０ＫＨｚ，输入输出阻为１ＫΩ，体积：４８×２５×１６（ｍｍ）。用三节一臂两晶体，一臂一晶体差接桥式电路结合四端网络分析各臂的阻抗特性。     

C波段高隔离度调制器的研究

介绍了一种采用混合集成电路工艺制作的隔离度大于１００ｄＢ的高隔离Ｃ波段ＩＮ调制器，讨论了隔离度与ＰＩＮ管级烽及腔体结构的关系，提出了提高通断比的关键途径。其主要技术指标为：ｆ＝４．４－５．８ＧＨｚ，插损〈３．０ｄＢ，隔离度〉１００ｄＢ，上升沿、下降沿时间〈６０ｎｓ。     

C波段高隔离度调制器的研究

介绍了一种采用混合集成电路工艺制作的隔离度大于１００ｄＢ的高隔离Ｃ波段ＰＩＮ调制器，讨论了隔离度与ＰＩＮ管级数及腔体结构的关系，提出了提高通断比的关键途径。其主要技术指标为：ｆ＝５．４～５．８ＧＨｚ，插损＜３．０ｄＢ，隔离度＞１００ｄＢ，上升沿、下降沿时间＜６０ｎｓ。     

FMS—1光纤固定连接器在单模光缆线路上的应用

本文介绍ＦＭＳ—１型光纤固定连接器在四条单模光缆线路中现场接续情况。四条光缆线路共用１５４只接头，平均接续损耗０．１２５ｄＢ，每根光纤的平均接头损耗≤０．１５ｄＢ。最长接续巨离３３ｋｍ。文中还对青阳至九华山段测量了全部接头的回波损耗，测量结果表明回波损耗大于３８ｄＢ。     

低压低能耗应用的InGaAs／AlGaAsPHEMT单片微波SPDT开关

提出了微波频率下ＰＨＥＭＴ在作开关运用时一种简化的等效电路模型，其模型参数可从对实际ＰＨＥＭＴ芯片的在片微波测试方便地确定。对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行的开关性能（插入损耗，隔离度，输入及输出反射损耗）的模拟计算表明，与实验结果符合良好。在对串／并联ＰＨＥＭＴ型ＳＰＤＴ开关的ＣＡＤ优化设计基础上进行了ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ单片ＳＰＤＴ微波开关的实验研制。从研制的ＭＭＩＣ芯片上在片测试得到的结果为：对应新的个人通信频段的应用，在０～２ＧＨＺ范围内，插入损耗＜１．０ｄＢ，隔离度＞５０ｄＢ，输入及输出反射损耗均优于２４ｄＢ。研制的这种高性能单片开关还可在低至－２．０Ｖ的控制电压下工作。     

一种宽带低损耗表面波滤波器

阐述了一种利用纵向耦合双模制作宽带损耗声表面波滤波器方法，给出了理论计算方法和计算机模拟结果，最后给出制作中心频率为４５３ＭＨｚ的声表面波滤波器实验结果，插入损耗为１．９ｄＢ，１ｄＢ带宽为６．６６ＭＨｚ远端带外抑制大于４５ｄＢ。     

SPDT,SP3T大功率PIN开关

描述了２－４ＧＨｚ、８－１２ＧＨｚ的ＳＰＤＴ和８－１２ＧＨｚ的ＳＰ３Ｔ大功率ＰＩＮ开关的设计方法、实现过程和测试结果。其连续波功率最大可承受８０Ｗ，插入损耗小于１．８ｄＢ，，隔离度大于２５ｄＢ，驻波比小于１．８，开关时间小于１ｕｓ具有功率容量大，工作频带宽、可靠性高，成本低，调试简单等特点。     

新颖的掺铒光纤放大器无源复合组件的研究

报道了一种将光波分复用器与光隔离器集于一体的适用于掺铒光纤放大器的新颖复合组件。根据复合组件的性能指标对组件的结构参数进行了优化设计。实际制作的复合组件，得到泵浦光插入损耗＜０．６ｄＢ，信号光的插入损耗＜１．５ｄＢ，反向隔离度＞４２ｄＢ，体积为９×４５ｍｍ３。将复合组件用于掺铒光纤放大器中（前向泵浦方式）得到约３０ｄＢ的小信号增益，１０ｄＢｍ的饱和输出功率。     

高温对GexSi1—x／Si

用ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ亚稳材料在高温下制作了光波导，它的传输损耗为０．８ｄＢ／ｃｍ，比低温工艺的０．５ｄＢ／ｃｍ稍大。并发现ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ材料的大量失配位错的一些有趣的现象。