集成型非穿通超β晶体管的工艺技术

本工作首先分析了非穿通超β晶体管性能与器件结构的关系,导出其制作的关键是低浓度宽基区的实现,其次通过硼分布工艺控制规律的研究说明获得低浓度宽基区的基本工艺途径,最后提出了一项制作集成型非穿通超β器体的新工艺技术并给出了研制的结果。     

低温硅双极晶体管电流增益研究

着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应，导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式，很好地解释了实验结果。     

双极性晶体管电流增益的研究

在传统双极性晶体管（简称BJT）的Gummel曲线中电流增益β都只有一个波峰（简称单峰）,然而现在实验室实测数据得到BJT的增益特征曲线出现了两个波峰的现象（简称双峰）,针对双峰现象建立器件模型,并分别从器件的结构和基极发射极和集电极的掺杂浓度上进行分析,得到基极的掺杂浓度和掺杂位置影响器件产生双峰现象。     

多晶发射极超增益晶体管

用多晶发射极工艺制成了超增益晶体管,当I_c从1mA减小到20nA时,h_(FE)始终保持在2000左右。     

硅双极晶体管低温电流增益模型修正

多晶硅发射区双极晶体管的低温（７７Ｋ）电流增益模型建立在理想掺杂近似的基础上．本文由基区电子电流密度Ｊｎ和发射区空穴电流密度Ｊｐ出发，根据实际掺杂情况中的近似高斯分布，分析了理想掺杂近似对电流增益结果的影响，指出引用这一近似在常温下偏差较小，在低温下则会出现较大的误差．在此基础上，对多晶硅发射区双极晶体管低温电流增益模型作了修正．结果表明，修正后的模型与ＰＩＳＣＥＳ模拟结果取得了较好的吻合．     

高电流增益的碳化硅双极型晶体管

A novel 4H-SiC BJT of high current gain with a suppressing surface traps effect has been proposed. It is effective to improve the current gain due to the lower electrons density in the surface region by extending the emitter metal to overlap the passivation layer on the extrinsic base surface. The electrons trapped in the extrinsic base surface induce the degeneration of Si C BJTs device performance. By modulating the electron recombination rate, the novel structure can increase the current gain to 63.2% compared with conventional ones with the compatible process technology. Optimized sizes are an overlapped metal length of 4 m, as well as an oxide layer thickness of 50 nm.     

电流增益温度稳定的硅双极晶体管

随着现代电子工业的迅猛发展,高可靠己成为现代武器系统、军用电子设备、航天航空工程和高性能电子整机的基本要求,电子整机、设备和系统要求能够在各种条件下工作,这就对半导体器件提出了具有耐环境变化的高可靠性和高稳定性的要求.半导体器件的电特性参数大多是温度敏感参数,环境温度的高低温变化将引起半导体器件电性能的剧烈变化,这直接影响了电子整机、设备和系统的性能,甚至使它们丧失工作能力.     

高增益InGaAlAs/InGaAs异质结双极晶体管和光电晶体管

<正>以InP为衬底的异质结双极晶体管(HBT),因具有优良的高频特性,且适用于1.3～1.55μm范围的光电集成电路应用而受到人们青睐。过去研制的以InP为衬底的HBT是用In_(0.52)Al_(0.48)As作发射极,In_(0.53)Ga_(0.47)As作基极。《IEEE EDL》1991年12期报道了美国AT&T Bell实验室用四元InGaAlAs(E_9～1.1er)代替InAlAs作发射极材料,在温度485～515℃时进行分子束外延生长制造HBT的信息,器件分层结构如下图。     

双极型晶体管电流增益温度特性的研究

修正了电流增益表达式。对样品3DK105B在不同温度点下进行测试分析。考虑样品理想因子n随温度的变化、VBE随温度的变化,以及禁带宽度随温度变化对电流增益的影响,对电流增益表达式进行了修正,使修正后的结果更加接近实际测试结果。     

双极型晶体管电流增益的温度特性研究

分析了大注入效应对双极型晶体管电流增益温度特性的影响,建立了双极型晶体管电流增益温度解析模型。选取产品3DD167来进行不同温度不同工作条件下的测试分析。实验结果表明,在特定工作条件下,该器件在不同温度时其电流增益都有一个零温度点。实验结果和模型吻合较好。     

双极型晶体管电流增益温度特性的研究

本文研究了影响双极型硅晶体管电流增益h_(FE)温度特性的各种因素。计及基极电流非理想因子n的影响,引入了“禁带宽度视在变窄量”△E_(8a)的概念,提出了描述h_(FE)温度特性的理论模型。实验表明,降低发射区掺杂浓度和改变发射区的图形结构,对改善h_(FE)的温度特性十分有利。据此理论模型研制成功了电流增益温度特性优良的中小功率晶体管系列。     

C波段双极晶体管噪声和增益的同时测量

本文叙述了只用一套噪声测量系统对C波段双极晶体管的噪声系数和功率增益同时测量的原理及方法,并对其误差来源作了简单的分析。     

超增益硅MIS异质结发射极晶体管

描述了共发射极电流增益接近25000的硅双极晶体管,这个值被认为是曾报导过的双极器件电流增益的最大值。以一个隧道贯穿金属二薄绝缘体一半导体(MIS)接触连同一个浅注入基区为基础的异质结发射极结构是获得这种改进性能的主要原因。该结果的意义在于:它证明了在发射极的注入效率和可以导致在应用范围内改进硅双极晶体管性能的基区特性控制这两方面的优点。     

高效率双极晶体管

恩智浦半导体(由飞利浦创建的独立半导体公司)发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1A时低于60mW)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电脑、PDA和数码相机)的发热     

低温高注入硅双极晶体管电流增益的定理模拟

本文了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高主入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合。     

低温高注入硅双极晶体管电流增益的定量模拟

本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合，计算还表明在低温７７Ｋ时，电流增益的大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在３００Ｋ时则由有效基区展宽效应决定。     

双极晶体管电流增益与发射区杂质浓度关系的温度特性

本文从理论和实验两方面对积极型晶体管电流增益HFE与发射区杂质浓度NE的关系的温度特性进行了探讨。研究结果表明，HFE与NE的相关程度与温度有关，在常温下，HFE随NE的增加而增加；当温度升高时，HFE将随NE的增加而更剧烈地增加。     

高电流增益的分子束外延双异质结双极晶体管

本文论述了分子束外延(MBE)生长的Al_(0.35)Ga_(0.65)As/GaAs双异质结双极型晶体管(DH BJT)的制造和试验。基区宽度为2000(?)和500(?)的器件,在集电极电流和基极电流变化范围大的情况下,其共发射极电流增益分别达到325和500左右。为获得这样高的电流增益,需采用足够高的铝克分子分数和双异质结结构,生长参数必须严格,最佳化且准确控制。这些电流增益与过去用分子束外延生长的基区厚度为500(?)的单异质结双极型晶体管的最好结果(电流增益为120)进行了比较。     

全离子注入双极晶体管

本文讨论了用砷发射极和硼基极的全离子注入双极晶体管的制造技术。该技术能获得极为均匀的电参数分布,即在一个片子上的h_(FE)=113,而其标准偏差为1.3。此外,它还能获得宽范围的掺杂分布,因而可得到宽范围的器件性能。用非常简单的设计程序已经制出h_(FE)从20到大于5000,f_T从1.5到8.1千兆赫的晶体管。注入砷以获得优良的发射极,其特征如下: 1) 砷可被高浓度注入,其深边的尾垂很小,这对典型的晶体管基区之影响可忽略。 2) 由于它的扩散系数对浓度的依赖关系,使它在扩散之后形成一个非常陡峭的分布。 3) 当扩散离开注入区一短距离(～1000埃)时,可把高寿命的材料引进发射极之中,从而可制成高增益低漏电流的晶体管。当砷发射极与双峰硼注入基极相结合时,器件有源基区和无源基区的性质可实现精确的独立控制。这种独立控制对全注入双极晶体管器件参数有很大的选择余地。