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本文介绍了近几年来锗的光度分析发展状况,论述了显色剂及其显色反应条件,以及相应的光度分析方法的检出限、干扰情况和应用范围。 相似文献
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自从1886年德国化学家Winkler发现锗元素至今已有一百多年。自1941年发现了锗的检波特性,1948年美国贝尔电话实验室的Bardon等发现了锗的电流放大效应,发明了锗晶体管,开创了半导体电子工业发展的新时代。半导体工业的发展,要求锗的冶炼 相似文献
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微量锗分析测定的研究进展 总被引:6,自引:0,他引:6
介绍了近几年微量锗分析测定方法的研究进展,叙述了用于微量锗分析测定的吸光光度法、原子光谱分析法、极谱法及其他等分析方法,并分别进行了评述;对今后微量锗分析测定方法进行了展望。 相似文献
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锌电解液中痕量锗的极谱测定 总被引:3,自引:0,他引:3
为提高电锌的质量,湿法炼锌要求控制ZnSO_4二次净化液中锗的含量不超过0.04微克/毫升。目前,国内一些厂家采用苯芴酮萃取比色法测定锗,不能满足准确、灵敏和快速的要求。示波极谱测定锗已有报导。我们在前人工作的基础上,提出了在本法所述的最佳底液条件下示波极谱测定锌电解液中痕量锗的方法。在该底液中,检出下限达 相似文献
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文章介绍了近几年微量锗分析测定方法的研究进展,叙述了用于微量锗分析测定的吸光光度法、原子吸收光谱法、极谱法及其他分析方法,并分别进行了评述;对今后微量锗分析测定方法进行了展望。 相似文献
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提出了一个快速测定氧化锌中微量锗的方法。在盐酸 -高氯酸 -偏钒酸铵 -茜素红S -抗坏血酸 -EDTA二钠体系中 ,不经任何分离手续 ,直接测定了氧化锌中 0.0 0 0x %~ 0.x %范围内的锗 ,效果良好。 相似文献
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在微乳液 (CTMAB -正丁醇 -环己烷 -水 )中 ,Ge -水杨基荧光酮 (SAF)络合物的最大吸收波长位于 5 0 5nm处 ,ε由1.8× 10 5增至 2.1× 10 5,锗量在 0~ 3 0 μg/2 5mL范围内服从比尔定律 ,本法成功地应用于地质样品中痕量锗的测定 ,RSD≤ 10 %。 相似文献
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用荧光熄灭法研究了 5’-硝基-水杨基荧光酮 ( 5’-NSAF) -TritonX 10 0 -Ge 体系的反应条件和测定方法。在0.0 0 2~ 0.0 8mol/L的硫酸介质中 ,TritonX 10 0存在下 ,Ge 与 5’ NSAF反应生成 1∶4的红色络合物 ,使 5’ NSAF溶液的荧光明显熄灭。其激发波长λex=5 0 5nm ,发射波长λem=5 3 3nm。线性范围为 8~ 2 10ng/mL ,检出限为 8ng/mL ,本法灵敏度高 ,选择性好 ,可不经分离直接测定煤中微量锗 相似文献
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研究硝酸银吸光光度法测定高纯二氧化锗中痕量砷的新方法.高纯二氧化锗中主体锗分离后,痕量砷被还原成砷化氢气体逸出,在酸性吸收液中还原硝酸银为单质银,单质银在聚乙烯醇作用下显均匀的黄色,其最大吸收波长在400nm处,砷量在0.2—5μg/10ml吸收范围内符合比耳定律.方法检出限为O.06μg/ml,加标回收率为96%-103%,结果令人满意。 相似文献
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针对单晶锗微切削热传导问题,采用移动热源法分别建立了在剪切滑移面热源和前刀面摩擦热源作用下单晶锗的微切削温升理论模型,计算了单晶锗三种切削速度下的最高切削温度,同时以同类硬脆性材料单晶硅的切削温度对此模型进行了验证。通过单点金刚石车削实验,利用红外热像仪对单晶锗微切削过程中的温度进行了在线测量。实验测量结果与模型计算结果对比发现,不同切削速度下,单晶锗的最高切削温度变化趋势一致,切削速度越大温度越高,其相对误差在2.56%~6.64%之间;单晶硅的最高切削温度相对误差为3.84%。模型能够对单晶锗及同类硬脆性材料的温度场进行较准确的预测,为研究其热效应提供进一步理论支持。 相似文献
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探讨了2-羟基-3-甲氧基苯基荧光酮(HMPF)与锗(IV)的显色反应。在pH 2.0的盐酸和酒石酸介质中,在OP存在下,HMPF与锗反应生成摩尔比为2∶1的稳定络合物,该络合物可用CL-N235树脂萃取富集,然后用光度法可测定树脂相中的锗,由此建立了测定痕量锗(IV)的新方法。吸附络合物树脂相的最大吸收波长为505 nm,表观摩尔吸光系数为1.56×105 L·mol-1·cm-1。锗的质量浓度在0~480 μg/L范围内符合比尔定律。经CL-N235树脂萃取富集后,锗的测定灵敏度可提高数倍,大多数常见离子不干扰测定。方法应用于粉煤灰中锗的测定,结果与苯芴酮分光光度法相符,实际样品分析结果的相对标准偏差小于4%,加标回收率为97%~102%。 相似文献